• Journal of Korean Electronics
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• v.10 no.6
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• pp.98-103
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• 1990

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.18 no.1
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• pp.129-135
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• 2019

4M D램 공동연구 개발사업(1986.10~89.03)은 당시 미 일의 강력한 기술보호주의를 극복하기 위한 자구책으로 시작되었다. 국내 반도체업계는 선진국의 높은 기술장벽 및 기술보호주의를 극복하고, 강력한 경쟁력확보 및 기술축적을 위해 정부에 건의하였다. 이에 정부는 적극적인 자금지원을 통해 4M D램 개발 및 주변기술 개발을 목표로 초고집적반도체기술공동개발사업을 수행하게 되었다. 본 공동R&D사업은 ETRI의 주관으로 당시 금성반도체, 삼성전자, 현대전자산업 등의 반도체 업체와 학계가 참여하였고, 1986년 10월부터 1989년 3월까지 3단계에 걸쳐 수행되었다. 공동연구의 목적은 설계, 공정, 조립, 검사 등 4M D램 제조와 관련되는 기본기술개발과 함께 $0.8{\mu}m$ 선폭의 4M D램을 개발하는 것이며, 이를 위해 단계별 목표를 설정하고 관민연의 혼연일치로 추진되었다. 1차년에는 중요 핵심기술개발, 2차년에는 $0.8{\mu}m$ 4M D램 Working-die개발, 3차년에는 수율 20%의 $0.8{\mu}m$ 4M D램 양산시 제품을 목표대로 완료하였다. 각 연구단계별로 주요 핵심기술에 대한 연구평가가 실시되었으며, 관련기술에 대한 중복투자 방지를 위해 2차년도부터 분담연구가 수행되었고, 상호 기술공유를 위한 기술교류회가 활발히 이루어졌다. 또한 R&D수행을 통해 4M D램 Working-die를 2차년도 중반에 개발완료하였으며, 3차년도에는 4M D램의 20% 수율확보와 공정기술의 최적화 및 DB 구축을 수행했다. 공동R&D 방식에서도 기업간 경쟁체제 도입에 입각하여 동기유발 형태로 진행되었다. 정부는 자금적 지원으로 기업간의 경쟁 심리를 자극하는 전략을 추진했다. 선두기업인 삼성에게는 선행적 개발 지위에 비례하여 더 많은 지원을 부여하는 대신에, 삼성의 기술성과를 다른 기업에게로 확산시킴으로써 반도체 3사 전체의 기술능력을 향상시키는 전략을 추진했다. 본 사업이 성공적으로 수행되어 반도체 제품의 세계시장 점유율제고, 국제수지 개선, 반도체 핵심기술 조기확보뿐만 아니라 16M D램급 이상 차세대 반도체기술 개발의 교도보가 되었다.

• Journal of Korean Electronics
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• v.11 no.5
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• pp.51-57
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• 1991

• Journal of Korean Electronics
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• v.5 no.3
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• pp.112-114
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• 1985

• Journal of Korean Electronics
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• v.3 no.2
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• pp.124-125
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• 1983

• Journal of Korean Electronics
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• v.7 no.2
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• pp.85-88
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• 1987

• Journal of Korean Electronics
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• v.5 no.8
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• pp.89-92
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• 1985

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1991.07a
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• pp.1-4
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• 1991

근래 금성중앙연구소에서 수행하소 있는 광관련 산업기술 개발 현황의 소재를 통해 한국기업의 기술수준을 짐작할수 있을 것이다. 본 연구소의 광관련 기술 개발은 화합물 반도체를 이용한 광소자, 박막기술을 이용한 액정 및 이미지 센서, 광자기 디스크 그리고 호로그래피 관련분야로 구별될수 있고, 이에 해당하는 과제의 성과를 소개하고자 한다.

• 전기의세계
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• v.34 no.7
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• pp.398-403
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• 1985

IC는 수많은 전자부품중에서 가장 기본적인 부품으로서 현재 산업사회에서는 필수 불가결한 존재로 부각되어 있다. IC의 집적도는 SSI로부터 MSI, LSI를 거쳐 현재에는 VLSI의 단계가 실용화 되고 있으며 IC가 새로운 기기의 기능을 주도하고, 전기전자 공업의 발전에 원동력이 되고 있다는 것은 이미 기정 사실로 되고 있다. 최근 IC는 "산업의 핵" 또는 "산업의 공기"라고 불리울 만큼 그 역할 또한 큰 비중을 차지하면서 전 산업분야에서 폭넓게 사용되고 있으며 IC는 그 자체가 고도성장산업분야에 속해 있지만 IC가 산업의 미래상과 같이 중요성을 가졌기 때문에 최근에는 우리나라의 럭키금성, 현대, 삼성 및 대우그룹을 비롯하여 세계규모의 기업간 경쟁이 강화되어 가고 있다. IC시장은 1980년대의 전반기를 통하여 IC기술이 급속한 진보에 의해 다이나믹한 전개를 이룩한 것으로 볼수 있지만, IC시장의 장래를 전망하는 경우 세계적인 시점으로 보는 것은 매우 중요한 것이라 생각된다. 따라서 본 해설에 있어서는 서방자유세계를 중심으로 IC의 수급, 제품종별의 시장및 지역별 시장등에 관하여 1985년까지의 동향을 살펴보고 1980년대 전반기의 IC시장에 관한 흐름을 고찰하여 1980년대 후반기의 시장 및 기술개발의 전망에 관하여 기술하고자 한다.발의 전망에 관하여 기술하고자 한다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.23 no.6
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• pp.795-800
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• 1986

High value sheet resistance (Rs, 350\ulcorner/ -80K\ulcorner/) born implanted polysilicon resistors were fabricated under process conditions compatible with bipolar integrated circuits fabrications. This paper includes studies of sensitivity of Rs to doping concentration, the effect of thermal annealing temperature on Rs, temperature coefficient of resistance (TCR), the effect of polysilicon thickness on Rs and the Rs variation within a run and between runs.