Surface morphology and preferred orientation of 20${\mu}{\textrm}{m}$ gold electrodeposit formed from aqueous solution of the sodium gold sulfite were studied in terms of current density, plating temperature and Au concentration. As the current density changed from 13.0mA/$\textrm{cm}^2$ to 4.6mA/$\textrm{cm}^2$, the solution temperature from 3$0^{\circ}C$ to 6$0^{\circ}C$, pH from 12.0 to 9.0, agitation speed from 0 rpm to 3200rpm and Au concentration from 10g/1 to 14 g/1, local Au concentration near the cathodic surface increased. With increasing the Au concentration, the surface morphology chanced from porous structure to fine-grained structure. Furthermore, it was observed that the preferred orentation of the Au layer changed from (111) to (220) upon the same variation In the Au concentration. The surface morphology and the preferred orientation of the Au layer were found to be closely related to each other.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.111.2-111.2
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2016
주사전자현미경은 시료표면에 전자빔을 주사하여 시료와 전자빔간의 상호작용으로 발생하는 이차전자(SE)와 후방산란전자(BSE)를 이용하여 시료표면을 관찰하는 장비이다. 일반적으로 텅스텐필라멘트를 사용하며, 10E-5 mbar이하 압력의 고진공에서 시료관찰이 이루어진다. 고진공 시료관찰시 도체 시료는 표면 코팅 없이 관찰이 가능하지만, 부도체 시료의 경우 전자빔에 의한 대전(Charging)현상이 발생하여 이미지가 왜곡되며, 이를 방지하기 위해 금, 백금 등의 금속을 표면에 코팅하여야 한다. 하지만 10E-1 mbar 이상 압력의 저진공에서는 부도체 시료도 전자빔에 의한 대전(Charging)현상이 발생하지 않아 생물시료 등의 부도체 시료를 표면코팅 없이 관찰할 수 있다. 본 발표에서는 현재 개발 중인 CeB6 필라멘트를 탑재한 저진공 주사전자현미경의 차동배기구조를 보여준다. 차동배기에 의해 가동 압력 10E-1 mbar이상의 저진공을 유지하는 시료실과 CeB6 필라멘트를 사용하기 위한 10E-6 mbar이하의 고진공을 유지하는 전자총실의 진공 배기특성을 보고한다.
It is very important to know the real roughness of electrode surface in electrochemistry. But it is impossible to know absolute roughness of electrode surface for various reasons. In this work, we compared the roughnesses of polycrystalline gold electrode often used in electrochemistry calculated from the images of scanning tunneling microscopy (STM) and cyclic voltammetry with those of Au (111) and HOPG. The roughness of polycrystalline gold calculated from STM image was $1.1(\pm0.1)$, that from adsorption-desorption of oxygen was $2.4(\pm0.7)$ and that from adsorption of N-docosyl-N'-methyl viologen was $1.6(\pm0.1)$.
Jo, Min-Gyo;O, Mu-Hyeong;Lee, Won-Hae;Park, Jong-Wan
Korean Journal of Materials Research
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v.6
no.7
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pp.700-708
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1996
Electroless plating technique was utilized to flip chip bonding to improve surface mount characteristics. Each step of plating procedure was studied in terms pf pH, plating temperature and plating time. Al patterned 4 inch Si wafers were used as substrstes and zincate was used as an activation solution. Heat treatment was carried out for all the specimens in the temperature range from room temperature to $400^{\circ}C$ for $30^{\circ}C$ minutes in a vacuum furnace. Homogeneous distribution of Zn particles of size was obtained by the zincate treatment with pH 13 ~ 13.5, solution concentration of 15 ~ 25% at room temperature. The plating rates for both Ni-P and Au electroless plating steps increased with increasing the plating temperature and pH. The main crystallization planes of the plated Au were found to be (111) a pH 7 and (200) and (111) at pH 9 independent of the annealing temperature.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.141-141
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1999
전기화학과 초고진공(ultra-high vacuum, UHV) 분광법을 이용하여 고체/액체의 계면에서 일어나는 현상을 분자단위에서 이해하고 조절하기 위한 연구를 수행하였다. 이들 중 전기화학으로 형성된 구리 및 은 금속(sub)monlayer 박막을 그 예로 선택하여 소개한다. 초박막 금속의 흡착량은 cyclic voltammogram과 새로 개발된 Auger electron spectroscopy (AES) 정량법을 통해 얻어졌고, 이 값들은 low energy electron diffraction (LEED) 및 in-situ atomic force microscopy (AFM)법을 이용한 구조 분석결과와 비교되어졌다. 또한 화학상태를 확인하기 위하여 core-level electron energyy loss spectroscopy (CEELS)를 사용하였다. 먼저 황산 전해질에서 금(111) 단결정 전극상에 전기화학적으로 형성된 굴의 계면특성을 조사하였다. 특정 전위값에서 2/3 ML의 구리와 1/3 ML의 음이온이 상호 흡착하여 ({{{{ SQRT { 3} }}$\times${{{{ SQRT { 3} }}) 격자 구조를 보였고, 전위값이 커지거나 줄어들면, 이 구조가 사라지는 현상이 관찰되었다. 즉 이 ({{{{ SQRT { 3} }}}}$\times${{{{ SQRT { 3} }}}}) 흡착구조는 첫 번째 UPD underpotential deposition) 피크에 특이하게 관련되어 있음을 알 수 있었다. 금속 초박막 형성에 미치는 음이온의 영향을 좀 더 확인하기 위해 초박막 은이 증착된 금 단결정 전극상의 황산 음이온에 관하여 연구하였다. 은의 증착이 일어날 수 없는 양전위값 영역에서 ({{{{ SQRT { 3} }}}}$\times${{{{ SQRT { 3} }}}})의 규칙적인 음이온의 구조를 보였다. 그리고 은의 장착은 세척 과정과 용액의 농도에 따라 p(3$\times$3)과 p(5$\times$5)의 규칙적인 두가지 구조를 가졌다. in-situ AFM에서는 p(3$\times$3)의 은 증착 구조만 나타났고, 음 전위값으로 옮겨가면 p(1$\times$1) 구조로 바뀌었다. ex-situ 초고진공 결과와 이 AFM의 in-situ 결과를 상호 비교 논의할 것이다. 음이온의 흡착이 없는 묽은 플로르산(HF) 전해질에서 은은 전위값을 음전위 쪽으로 이동해 감에 따라 p(3$\times$3), p(5$\times$5), (5$\times$5), (6$\times$6), 그리고 (1$\times$1)의 연속적 구조 변화를 보였다. 이 다양한 구조들을 AES로부터 얻어진 표면 흡착량과 연결시켰더니 정량적으로 잘 일치되는 결과를 보였다. 전기화학적인 증착에서는 기존의 진공 증착과 비교할 때 음이온의 공흡착이 금속 초박막 형성 메카니즘에 큰 영향을 미침을 알 수 있었다. 또한 은의 전기화학적 다층박막 성장은 MSM (monolayer-simultaneous-multilayer) 메카니즘을 따름을 확인하였다. 마지막으로 구조 및 양이 규칙적으로 조절되는 전극의 응용가능성이 간단히 논의될 것이다.
Jang, H. G.;Kim, H. S.;Han, S.;Choi, W. K.;Koh, S. K.;Jung, H. J.
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.5
no.4
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pp.371-376
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1996
Au films with a thickness around 1600 $\AA$ were deposited onto glass at room temperature by ion beam sputtering with a 5 cm cold-hollow ion gun at pressure $1\times 10^{-6}-1\times 10^{-5}$ Torr. Irradiation of the Au deposited samples was carried out at pressure of $7\times 10^{-6}$ Torr. For the sputter depositions, $Ar^+$ ion energy was 1 keV, and the current density at the substrate surface was 15 $\mu$A/$\textrm{cm}^2$. Effects of 1 keV $Ar^+$ ion dose($I_d$) between $1\times 10^{16}\; and\;2\times 10^{17}\;Ar^+\textrm{cm}^{-2}$on properties such as crystallinity, surface roughness and adhesion, etc. of the films have been investigated. The Au films sputtered by $Ar^+$ ion beam had only (111) plane and the X-ray intensity of the films decreased with increase of $I_d$. The thickness of Au films reduced with Id. $R_{ms}$ surface roughness of the films increased from 16 $\AA$ at as-deposited to 1118 $\AA$ at ion dose= $2\times 10^{17}\;Ar^+\textrm{cm}^{-2}$. Adhesion of Au film on sputtered at $I_d$= $2\times 10^{17}\;Ar^+\textrm{cm}^{-2}$ was 9 times greater than that of Au film with untreated, as determined by a scratch test.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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