• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.573-576
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• 2007

가스 하이드레이트의 구조-I 및 구조-H의 공존 현상을 13C NMR과 Raman spectroscopy를 이용하여 분석하였다. 하이드레이트 생성 조건이 구조-H 영역에만 있을 때는 CH4+neohexane 혼합 하이드레이트가 구조-H만을 나타냈지만, 구조-I의 영역에서는 구조-H의 혼합 하이드레이트와 구조-I의 순수 메탄 하이드레이트가 공존하는 것을 $^{13}C$ NMR spectra를 통해 확인하였다. 이러한 현상은 구조-H 생성자로 알려진 isopentane, MCP, MCH 에서도 관찰되었으며, Raman spectroscopy를 이용해서도 확인할 수 있었다.

• 한국동물학회지
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• 제39권4호
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• pp.419-425
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• 1996

lksookimia(신칭,참종개속) 어류 5종의 부착막 구조 (adhesive membranes)를 조사하기 위하여 전자현미경으로 성숙란을 조사한 결과, 난황형성시기인 난황구 후기의 zona radiata에는 다음과 같은 3가지 형태의 부착막이 구별되었다. Iksookimia koreensis, I pumila, 그리고 I. hugowolfeldi는 융모형(villous form)을 보였으며, I.longicorpus는 원추모양의 솜 형태(cotton form)을 보여주었으며, I. choii는 덩클모양 (vine form)의 독특한 부착막 구조를 가지고 있었다. I. koreensis와 I pumila,그리고 I. hugowolfeldi는 같은 융모형의 부착막구조를 가지고 있으나 난막의 미세구조는 종간에 뚜렷한 차이를 보여주었다. 또한 참개종속 어류의 난막과 부착막 구조는 그들의 서식처와 산란습성에 관련된 종의 특이성을 보여 주고 있어서 분류학적으로 주목되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.345-345
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• 2007

본 연구는 x선 영상검출기 적용을 위한 $HgI_2$ 필름의 누설전류 특성 향상을 위한 연구로서, $HgI_2$기반의 다양한 물질을 이용하여 다층구조 방식으로 제작된 필름의 누설전류 특성평가 및 제작된 다층구조의 상부전극물질의 변화에 따른 누설전류 특성을 평가하였다. $HgI_2$기반 다층구조의 제작 물질은 Parylene, $PbI_2$, a-Se을 사용하여 시편(parylene/ITO, ITO/$HgI_2/PbI_2$/ITO, ITO/$HgI_2$/a-Se/ITO)을 제작하였으며, 필름 제작공정은 Screen print, PVD공정으로 다층구조 필름을 제작하였다. 또 한, 다층구조로 제작된 필름에 상부 전극물질은 Au, In, ITO를 사용하여 누설전류의 특성을 평가하였다. 측정 장치로 DC Power Supply(556H. EG&G : 50~200V), X 선 발생장치(Toshiba KXO-50N), 차폐체 (Al 및 Cu), Oscilloscope (LeCroy, LC334AM, USA), Electrometer (Keithley, 6517), Ion chamber 2060 (Radical Co.)을 이용하여, 제작된 $HgI_2$기반 다층구조 sample의 누설전류 특성을 실험하였다. 이 결과로 다층구조에 제작된 물질 및 상부전극에 따른 누설전류의 특성을 평가하였다.

• 한국결정학회지
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• 제1권2호
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• pp.76-83
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• 1990

완전히 Ca2+ 이온으로 치환된 탈수구조(a=12 2f3(2) .41와 이 결정에 요오드가 흡착된 구조(a= 12.258(2) 입)를 21살에서 입방공간군 Pm3m를 사 용하여 단결정 X-선 회절법으로 구조를 해석하였다. 탈수구조는 I>3 w (I)인 206개의 반사를 사용하 여 Rw값이 0.081까지 정밀화되었고 요오드가 흡착 된 구조는 173개의 반사를 사용하여 Rw값이 0.084 까지 정밀화되었다. 각각의 구조에서 단위세포당 6 개의 Ca2+ 이온은 6-링의 산소와 결합하면서 3개 의 다른 3회 회전축상에 위치하였다. 탈수한 칼슘 치환 제올라이트 A는 80살에서 단위세포당 여섯개의 요오드 분자를 흡착하며 각 요오드 분자는 골조 산소 원자와 전하이동 착물을 형성하였다(I-0=3. 32(3) A, I-I=2.7l (2) A 그리고 I-I-0=180℃).

• 전산구조공학
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• 제3권4호
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• pp.24-28
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• 1990

I-DEAS System Dynamics Analysis는 컴퓨터에 의한 해석적 동특성 파악이 어려운 구조요소와 해석적 동특성 파악이 가능한 구조요소가 함께 결합되어 있는 복잡한 구조물에 대하여, 전자의 구조요소에 대해서는 실험에 의해 추출된 동특성을 후자의 구조요소에 대해서는 컴퓨터 해석에 의한 동특성을 사용하여 전체 구조 시스템에 대한 동적해석을 가능하게 하는 프로그램이다.

• 전산구조공학
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• 제20권4호
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• pp.51-57
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• 2007

• 건축구조
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• 제20권1호
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• pp.12-18
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• 2013

• 한국결정학회지
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• 제4권2호
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• pp.54-62
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• 1993

Cd2+ 이온으로 이온교환된 제올라이트 A를 650℃에서 2 ×10-6 T orr의 진공하에서 탈수한 구조 (a:l2.189(2)A)와 이 결정에 요오드가 흡착된 구조 (a:l2.168(2) A)를 21℃에서 입방공간군 Pm3m를 사용하여 단결정 X-선회절법으로 해석하고 정밀화하였다. 탈수한 가In-A의 구조 는 Full-rmoix 최소자승법 정밀화 계산에서 I > 3σ(I)인 186개의 독립반사를 사용하여 최종오차인자를 Rl:0.057, Ra:0.003 까지 정밀화 계산하였고, 이 결정을 요오드로 흡착시킨 구조는 181 개의 독립 반사를 사용하려 Rl = 0.082, R2 : 0.085가지 정밀화시켰다. 두 결정에서 단위세포당 6개의 Cd2+ 이온은 서로 다른 2개의 3회 회전축상에 위치 하고 있었다. 요오드가 흡착된 구조에서 4개의 Cd2+ 이온 은 0(3)의 (111) 평면에서 큰 동공쪽으로 약 0.68(1) A 들어간 I3- 이온이 결합하고 있고 나머지 2개의 Cd2+ 이온은 0(3)의 (111) 평면에서 소다라이트 동공 깊숙히 약 0.68(1) A 들어간 자리에 위치 하고 있다. 단위세포당 약 4개의 I이온이 큰 동공내에 흡착되었다. 각각의 I-는 6-링 Cd2+와 골조의 8-링 산소에 다리를 놓고 있으며 0(1)-I(1)-I(2) 각도는 172(1)˚로써 거의 선형이고 약한 전 하이동 착물을 골조의 8-링 산소와 이루고 있다. 큰 동공 내에 존재하는 I이온은 부분적으로 탈수된 효In-A에서 요오드 증기와 물분자가 반응하여 H+이온과 I-이온이 생성된 후 다시 I이온과 l2 분자와 반응하여 생성되었을 것이다.

• 한국게임학회 논문지
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• 제2권2호
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• pp.20-27
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• 2002

본 논문에서는 사용자 수 증가에 의한 네트워크 게임 서버 부하를 줄일 수 있는 효율적인 서버 구조를 제시하였으며, 이를 위해 대칭형 분산 서버 구조와 비대칭 형 분산 서버 구조를 적절히 혼용하는 방식을 채택하였다. 대칭형 분산 서버 구조 방식은 서버들간의 부하 분배를 효율적으로 운영할 수 있다는 장점이 있고 비대칭형 분산 서버 구조는 한 서버 그룹 내에서 서로 다른 게임 서버로 자유롭게 이동할 수 있다는 장점이 있다. 본 제안 서버 구조에서는 이러한 장점들을 적절히 이용하여 온라인 게임 서버의 효율성을 향상시켰다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.426-426
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• 2012

본 연구에서는 GaAs p-i-n 접합 구조에 InAs 양자점을 삽입한 양자점 태양전지(Quantum Dot Solar Cell; QDSC)의 내부 전기장(internal electric field)을 조사하기 위하여 Photoreflectance (PR) 방법을 이용하였다. QDSC 구조는 GaAs p-i-n 구조의 공핍층 내에 8주기의 InAs 양자점 층을 삽입하였으며 각 양자점 층은 40 nm 두께의 i-GaAs로 분리하였다. InAs/GaAs QDSC는 분자선박막 성장장치(molecular beam epitaxy; MBE)를 이용하여 성장하였다. 이 때 양자점의 형성은 InAs 2.0 ML(monolayer)를 기판온도 $470^{\circ}C$에서 증착하였다. QDSC 구조에서 여기광원의 세기에 따른 전기장의 변화를 조사하였다. 아울러 양자점 층 사이의 i-GaAs 층 내에 6.0 nm의 AlGaAs 퍼텐셜 장벽(potential barrier)을 삽입하여 퍼텐셜 장벽 유무에 따른 전기장 변화를 조사하였다. PR 측정에서 여기광원으로는 633 nm의 He-Ne 레이저를 이용하였으며 여기광의 세기는 $2mW/cm^2$에서 $90mW/cm^2$까지 변화를 주어 여기광세기 의존성실험을 수행하였다. 여기광의 세기가 증가할수록 photovoltaic effect에 의한 내부 전기장의 변화를 관측할 수 있었다. PR 결과로부터 p-i-n 구조의 p-i 영역과 i-n 접합 계면의 junction field를 검출하였다. p-i-n의 i-영역에 양자점을 삽입한 경우 PR 신호에서 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 주파수가 p-i-n 구조와 비교하여 변조됨을 관측하였다. 이러한 FKO 주파수성분은 fast Fourier transform (FFT)을 이용하여 검출하였다. FKO의 주파수 성분들은 고전기장하에서 electron-heavyhole (e-hh)과 electron-lighthole (e-lh) 전이에 의해 나타나는 성분으로 확인되었다.