• 제목/요약/키워드: 광 집적회로

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표면 감쇠파 이득에 기초한 초고품위 원통형 및 구형 미소 공진기 레이저 (Ultrahigh Q cylindrical and spherical microcavity lasers based on evanescent-wave-coupled gain)

  • 안경원
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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    • pp.38-39
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    • 2001
  • 반도체에서 소자의 크기를 작게 하고 집적도를 높임으로서 성능과 효율을 증가시키는 노력이 계속되듯이 광소자의 경우에도 고효율을 갖는 아주 작은 크기의 발광소자를 만들어서 광 정보처리에 이용하려는 노력이 진행중이다. 특히 마이크론 크기의 공진기와 이득물질간의 광결합 효율이 높으면 레이저 발진 문턱이 낮아진다는 원리를 이용한 마이크로 레이저 연구가 활발하다. 이러한 마이크로 레이저의 연구는 크게 두 가지 방향으로 진행된다. (중략)

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실리콘 나노결정/실리카 마이크로디스크의 제작과 광발광 특성분석 (Fabrication and Photoluminescence Characterization of Si nanocrystal/silica Microdisk)

  • 성주연;최용석;이용희;신중훈
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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    • pp.108-109
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    • 2003
  • 실리콘은 반도체 산업에 이용되는 주된 물질로, 원가, 기능성, 신뢰도 등의 면에서 이점을 가지고 있기 때문에 실리콘칩 위에 기존의 전기적 소자와 광전기적 소자들을 집적하고자 하는 노력이 계속되고 있다. 특히 실리콘 나노결정 (nc-Si)으로부터 가시광 방출을 관측한 이래, 이를 기반으로 한 광학적 능동매질에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는데, 최근에는 nc-Si을 이용한 LED와 어븀이 첨가된 nc-Si을 이용한 nc-Si/silica 광 도파로 광증폭기에서의 광학적 이득이 보고 된 바 있다. (중략)

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SOI 제작을 위한 수소 이온 주입 특성 (Characteristics of Hydrogen Ion Implantation for SOI Fabrication)

  • 김형권;변영태;김태곤;김선호;한상국
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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    • pp.230-231
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    • 2003
  • SOI (Silicon On insulator)는 SiO$_2$와 같은 절연체 위에 실리콘 (Si) 박막층이 놓여있는 구조로서 전자나 광소자들이 실리콘 박막층 위에 만들어진다. SOI의 기본적인 생각은 기생 정전용량 (parasitic capacitance)을 감소시킴으로서 소자의 스위칭 속도를 더 빠르게 하는 것이다. 최근에 초고속 광소자와 단위 광소자들의 집적을 위해 실리콘 이외의 GaAs, InP, SiC 등의 반도체 박막을 절연층 위에 만드는 연구가 많이 진행되고있다. (중략)

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고굴절률 불화폴리이미드를 이용한 광도파로 위상변조기 제작 및 특성 분석 (Optical-waveguide Phase Modulators Based on High-refractive-index Fluorinated Polyimide)

  • 이은수;천권욱;진진웅;오민철
    • 한국광학회지
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    • 제32권4호
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    • pp.180-186
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    • 2021
  • 불화폴리이미드는 우수한 광투과율과 광학적 굴절률이 높은 특징을 가지며 이를 이용하여 제작된 폴리머 광도파로 위상변조기는 광손실이 작고 저전력으로 안정적인 위상제어가 가능하게 된다. 본 논문에서는 고굴절률 불화폴리이미드를 이용하여 광도파로 위상변조기를 설계하고 제작하여 특성을 분석하였다. 광도파로를 제작하여 손실을 측정하기에 효율적인 새로운 방법을 제시하였고, 제작된 폴리이미드 광도파로의 전파손실은 0.9 dB/cm로 확인되었다. 위상변조기는 π 위상변화를 위해 9.1 mW의 전력을 필요로 하였으며, 기존 폴리머 위상변조기 대비 응답속도가 10배 정도 향상된 290 μs 정도의 응답시간을 가지는 것을 확인하였다.

InGaAs APD/GaAs MESFET를 이용한 광 수신 전치증폭기의 설계 (Design of Optical Peramplifier with InGaAs APD/GaAs MESFET)

  • 이영철;신철재
    • 한국통신학회논문지
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    • 제16권11호
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    • pp.1071-1083
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    • 1991
  • 본 논문에서는 InGaAs APD와 GaAs MESFET를 이용하여 광 수신 전치증폭기의 설계와 제작에 대하여 논의 하였다. 3단 전달 임피던스형 광 수신 전치 증폭기에 대하여 분석하였으며 마이크로스트립을 이용하여 실현 시켰다. 실현된 광수 신전치 증폭기의 성능을 컴퓨터 시뮬레이션에 의하여 예측할 수 있었으며 이론값을 실험한 결과와 비교하였다. 설계 제작한 혼합 마이크로파 집적회로 형태의 광 수신 전치 증폭기는 대역폭이 380MHz이었으며 565Mb/s, $BER10^9$에서 수신기의 감도는 -40.6dBm을 보였다.

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PD조정방식을 이용한 픽업 홀로그램 모듈 개발 (Development of holographic pickup module by adjusting PD Package)

  • 경천수;전영선;정호섭
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
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    • pp.262-263
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    • 2003
  • 홀로그램은 광학계의 소형화, 집적화, 저가격화를 위해 많은 장점을 가진 광학소자로, 픽업에는 1980년대 중반부터 Pencom, Sharp, Matsushita, Philips등이 연구, 개발, 상품화하였다. 홀로그램을 사용하여 집적화한 픽업헤드를 홀로그래픽 광헤드 또는 픽업 모듈이라고 하는데 이것은 조립조정이 간단하여 신뢰성에 많은 장점을 가지고 있다. 또한 새로운 아이디어의 픽업을 개발해서 시장에 발표할 때에도 개발시간이 단축된다는 장점이 있다. (중략)

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광 리소그래피의 최후\ulcorner (The End of Optical Lithography\ulcorner)

  • 오혜근
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
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    • pp.276-277
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    • 2003
  • 전체 반도체 소자 제조 공정의 40 %를 차지하고 있는 리소그래피 기술은 기억 소자뿐만 아니라 마이크로 프로세서, ASIC 등의 실리콘 소자와 군사 및 통신에 많이 사용되고 있는 화합물 반도체를 만드는 데도 쓰이고 있고, 요즈음은 DRAM 의 리소그래피 기술들을 LCD 등의 평판 표시 장치, 디스크 헤드, 프린터 헤드 및 MEMS(Micro-Electro-Mechanical System), 나노 바이오 칩 등의 제작에 응용하여 쓰고 있다. 리소그래피 기술은 생산 원가 면에서 제일 큰 비중을 차지하고 있을 뿐만 아니라 집적소자의 초고집적화 및 초미세화를 선도하는 기술이다. (중략)

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칩상호 광접속용 GaAs 광전집적회로의 기본 공정 II (LD 구조 ; 집적화 연구) (GaAs OEIC Unit Processes for chip-to-chip Interconnection II (LD structure ; integration))

  • 김창남
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 1989년도 제4회 파동 및 레이저 학술발표회 4th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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    • pp.185-192
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    • 1989
  • It is shown that GaAs/GaAs stripe Roof-Top-Reflector LD is better than cleaved mirror LD by numerical analysis. And surface light emitting device is developed by LPE melt-back growth, which is of good controllability for OEIC. OEIC transmitter using RTR LD structured device and FET has been made and modulated, expected to show good modulation characteristics after solving process problem. Beam-Lead LD mounted on Si carrier has been made and shows low heat-resistance and so long life and good characteristics of LD.

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?은 테이퍼 길이를 가지는 분리형 모드 크기 변환기의 설계 및 분석 (Design and Analysis of a Segmented Mode Size Converter with Short Taper Length)

  • 박보근;정영철
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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    • pp.208-209
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    • 2003
  • 고밀도 광집적회로의 광도파로는 단일모드 광섬유와 굴절률의 차이 및 코어 크기에 의해 모드 부정합 문제가 존재한다. 본 논문은 이러한 모드 부정합 문제를 해결할 수 있는 모드 크기 변환기를 설계 하고 3-D Beam Propagation Method (BPM)을 이용하여 분석하였다. 모드 크기 변환기술에는 마이크로 렌즈, 테이퍼 광섬유, 렌즈화 광섬유가 사용되고 있으나 이는 패키징 가격이 높으며 광섬유와의 정렬 문제가 존재하므로, 집적된 실리콘 기판위에 제작하는 모드 크기 변환기에 대한 연구가 다각도에서 시도되고 있다. (중략)

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광 집적회로용 실리콘 기반 궤도 각운동량 부호 변환기 (Silicon Electro-optic Orbital Angular Momentum Sign Modulator for Photonic Integrated Circuit)

  • 이인준;김상인
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제15권4호
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    • pp.659-664
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    • 2020
  • 본 논문에서는 실리콘 기반의 광 집적회로에서 외부 전압 조절을 통해 |l|=1 궤도 각운동량 모드의 궤도 각양자수를 변조할 수 있는 전기 광학 변조기를 설계하였다. 설계된 전기 광학 변조기는 위치별로 서로 다른 도핑농도를 가지는 실리콘 코어와 실리콘 산화막으로 구성되어 있으며, 도핑농도의 분포를 통해 궤도 각운동량 모드를 구성하는 두 고유 모드의 전파 손실과 유효굴절률 변화량을 조절할 수 있도록 설계되었다. 변조기는 역전압을 기준으로 -0.33V에서는 궤도 각운동량 모드의 부호가 유지되는 광도파로로, 10V에서는 궤도 각양자수 부호 변환기로서 동작한다. 고유 모드 확장법으로 계산한 신호변조 후의 전기장 분포를 통해 얻은 궤도 각양자수는 두 동작모드에서 모두 |l|>0.92 으로 매우 높은 궤도 각운동량 모드 순도를 보였다.