• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1995년도 제8회 학술발표회 논문개요집
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• pp.062-63
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• 1995

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1998년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.30-31
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• 1998

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1995년도 제9회 학술발표회 논문개요집
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• pp.70-70
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• 1995

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1992년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.106-107
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• 1992

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1992년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.108-109
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• 1992

• 한국재료학회지
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• 제5권4호
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• pp.476-482
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• 1995

TbFeCo 박막의 Facing Targets Sputtering System 조건, 조성 및 시효 처리에 따른 광자기적 특성과 산화 특성을 조사하였다. XPS와 AES를 통하여 보호막 없이 제조된 TbFeCo 박막의 표면에는 Co에 우선하여 Tb과 Fe가 안정한 산화물의 형태로 존재하며, 표면에서 3.2nm 깊이부터는 산화되지 않은 TbFeCo 박막이 존재함을 확인하였다. TbFeCo 박막을 시효 시킴에 따라 Fe 산화층의 두께는 거의 변화가 없었으며, Tb Oxide 층만이 증가하였다. TbFeCo 박막은 사용된 기판의 종류나 제조조건에 따라 열적 안정성에 큰 차이를 보였다.

• 전자통신동향분석
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• 제3권4호
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• pp.25-44
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• 1988

고속 및 광전자응용에 기반이 될 반도체들과 그 architecture 에 대한 연구 경향과 미래적 전망에 대하여 개괄적으로 살펴보았다. 주요점은 무기물 반도체에 두었고, 유기물 반도체 및 기타 반도체들은 필요한대로 언급할 뿐 넓게 다루지는 않았다. 우선 현대가 처한 정보처리의 전환기적 특성을 살핀뒤, 미래에 다가올 고속 및 광전자 정보처리의 필요성을 논하였다. 다음 전자와 광자의 특성을 비교해 보고, 이들의 매개체가 되는 반도체 재료와 소자들, 이들의 2차원적 집적과 3차원적 집적에 따른 제반문제, 해결점, 전망 등을 살펴 보았다. 결론적으로 점진적연구보다는 선진적연구의 필요성을 이야기하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.216-217
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• 2003

마이크로프로세서의 전송대역 증가와 함께 요구되어지는 집적형 광자기술은 좁은 영역에서 복잡한 광 배선들을 나열함에 따라 기존의 Electrical Interconnection들의 전자기적 분산이나 방출에 의한 결함 문제를 극복함으로써, 높은 전송 효율을 갖는 Optical Interconnection을 구현 할 수 있게 되었다. 그러나 집적화시 고려되는 배선들 간의 상호 연관성과 효율적인 특성이 문제시 되는데 이를 위한 경향성과 최적화 요소들이 필요하게 되었다.(중략)

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권6호
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• pp.511-519
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• 1994

The effect of the deposition conditions, such as the base pressure, working pressure, sputtering power, pre-sputtering, and deposition thickness in facing targets sputtering system(FTS), on the oxidation of the TbFeCo thin films was studied by investigating the magneto-optical properties as well as oxygen analysis by the AES depth profiles. The results showed that the base pressure did not affect the magnetic properties so much, probably due to the short flight distance of the sputtered particles. At the higher sputtering power and lower working pressure with pre-sputtering the oxidation of TbFeCo thin films was decreased. As the film thickness increased the TbFeCo thin films showed the perpendicular anisotropy from in-plane anisotropy overcoming the oxidation effect at the beginning of the sputtering.