• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.9 no.2
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• pp.141-148
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• 1999

High quality pure and Nb-doped $PbWO_{4}$ Single Crystal were grown from a 50 %~50 % mixture of Lead oxide (PbO) and Tungsten oxide $(WO_{3})$ by Czochralski method in Iridium crucible. The stoichiometric deviation correspond to the selective loss of the crystal constituents is found to be responsible for the yellowish coloration of $PbWO_{4}$. Through the X-ray powder diffraction experiment, we have investigated the lattice constant variations of each $PbWO_{4}$ crystals. We also present information on their photoluminescence (PL), optical absoption properties and Raman spectra. The temperature dependence of PL intensity and FWHM (Full Width Half Maximum) were measured in the temperature range 10 K~300 K. One observes a slight temperature dependence in the low temperature region and PL intensity decreases over 200 K by thermal quenching. The activation energy, Huang-Rhys coupling constant and inhomogenious brodenning acquired from their temperature dependence.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.34 no.1
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• pp.94-97
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• 2023

2,7-bis(3',6'-diphenyl-[1,1':2',1"-terphenyl]-4'-yl)-9,9'-spirobi[fluorene] (BTPSF) and 2,7-bis(1,4-diphenyltriphenylen-2-yl)-9,9'-spirobi[fluorene] (BDTSF) were successfully synthesized as novel blue-emission materials for organic light-emitting diodes (OLEDs) based on the spirobifluorene (SBF) moiety. BTPSF and BDTSF were obtained in high purity via a Diels-Alder reaction, without the use of a catalyst. Photoluminescence spectra of the synthesized materials showed maximum emitting wave-lengths of approximately 381 and 407 nm in solution and 395 and 434 nm in the film state, for BTPSF and BDTSF, respectively, indicating ultra-violet and deep blue emission colors. BDTSF was applied as an emissive layer (EML) in non-doped devices and achieved a current efficiency of 0.61 cd/A and an external quantum efficiency (EQE) of 0.46%.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.156-156
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• 2003

수평 전기로에서 ZnIn$_2$S$_4$ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 2nIn2S4단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판 위에 성장시켰다. ZnIn2S4 단결정 박막은 증발원의 온도를 610 $^{\circ}C$, 기판의 온도를 450 $^{\circ}C$로 성장시켰고 성장 속도는 0.5 $\mu\textrm{m}$/hr로 확인되었다. ZrIn2S4 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence) 스펙트럼이 433 nm (2.8633eV)에서 exciton emission스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 133 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 8.51$\times$$10^{17}$ electron/$cm^{-3}$ 291 $\textrm{cm}^2$/v-s였다. ZnIn2S4 단결정 박막의 광전류 단파장대 봉우리들로부터 10 K에서 측정된 $\Delta$Cr(crystal field splitting)은 0.1678 eV, $\Delta$So(spin orbit coupling)는 0.0148 eV였다. 10 K의 광발광 측정으로부터 고품질의 결정에서 볼 수 있는 free exciton 과 매우 강한 세기의 중성 주개 bound exciton등의 피크가 관찰되었다. 이때 중성 주개 bound exciton의 반치폭과 결합 에너지는 각각 9 meV와 26 meV 였다. 또한 Haynes rule에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 130 meV 였다.다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.05c
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• pp.204-207
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• 2001

HWE 법으로 전 영역의 ZnMnTe 단결정 박막을 성장하였다. 상온 반사 스펙트럼으로부터 상온에서의 에너지 띠 간격이 Mn 조성비 증가에 따라 선형적으로 증가함을 알았다. 외부 자기장이 없는 10 K에서의 photoluminescence 스펙트럼에서 엑시톤 관련 near edge emission과 큰 조성비에서 지배적인 inta-$Mn^{2+}$ transition($^4T_1{\rightarrow}^6A_1$)을 관측하였다. edge emission은 조성비에 따라 선형적이고, intra-ion transition은 거의 변화가 없었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.20 no.1
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• pp.42-49
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• 2011

We deposited $SiN_x$ thin films by using PECVD technique at $200^{\circ}C$ with various flow ratios of the $SiH_4/N_2$ gases. The photoluminescence measurements revealed that the maximum emission wavelength shifted to long wavelength as the ratio increased, however, positions of the several peak wavelengths, such as 1.9, 2.2, 2.4, and 3.1 eV, were independent on the ratio. Changes of the photoluminescence spectra were measured in the $N_{2}-$, $H_{2}-$, and $O_2$-annealed films. The luminescence intensities increased after the annealing process. In particular, the maximum emission wavelength shifted to short wavelength after $H_{2}-$ or $O_2$-annealing. But there were still several peaks on the spectra of all annealed films, several peak positions remained to be unchanged after the annealing. As for the light emission mechanism, we have considered the defect states of the Si- and N- dangling bonds in the $SiN_x$ energy gap, so that the energy transitions from/to the conduction/valence bands and the defect states in the gap were attributed to the light emission in the $SiN_x$ films. The experimental results point to the possibility of a Si-based light emission materials for flexible Si-based electro-optic devices.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.34-38
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• 2007

청, 황 2-파장 발광층의 구성에서 청색층으로 GDI602를, 황색층으로 GD1602:Rubrene(10%)를 사용하여 2-파장 백색 유기발광다이오드(WOLED)를 제작하고 이들의 특성을 분석하였다. 실험에서는 GDI602:Rubrene (10%)-황색층의 두께를 $220\{AA}$으로 일정하게 두고, GDI602-청색층의 두께를 달리하여 소자들을 제작하였다. 제작된 소자들의 발광 스펙트럼 특성으로는 GDI602 층의 두께에 따라 중심파장의 위치는 거의 일정하나 2-파장 사이의 상대적 세기가 변화되었으며, GDI602 층의 두께가 얇아질수록 황색파장의 상대적 세기가 강해지는 것을 볼 수 있었다. GDI602 층이 $60{\AA}$인 소자는 11V, $70{\AA}$인 소자는 9V, $80{\AA}$인 소자는 8V, $90{\AA}$인 소자는 7V 에서 순수 백색광(x=0.33, y=0.33)에 가까운 발광 특성을 나타내었다. 또한 GDI602 층의 두께에 따른 효율과 휘도는 백색발광 조건에서 각각 0.51m/W와 $3650cd/m^2(60{\AA})$, 0.61m/W와 $1050cd/m^2(70{\AA})$, 0.91m/W와 $490cd/m^2(80){\AA}$, 1.61m/W와 $250cd/m^2(90){\AA}$을 나타내었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1599_1600
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• 2009

ZnS:Mn 나노입자가 포함된 PVP 고분자 하이브리드 나노사를 전기방사법으로 제작하였다. 하이브리드 나노사의 표면 특성은 주사 전자 현미경으로 관측하였으며, 형광분광광도계와 공초점 주사현미경 (CLSM)을 이용하여 하이브리드 나노사의 발광특성을 조사하였다. 순수한 PVP 나노사와 하이브리드 나노사의 photoluminescence (PL) 스펙트럼 비교를 통하여, 586 nm에서 관찰된 PL 피크는 ZnS:Mn 나노입자에서 기인되었음을 알 수 있었으며, CLSM을 이용하여 ZnS:Mn 나노입자의 발광을 이미지화 하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07c
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• pp.1864-1866
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• 2003

최근 마이크로파 방전에 의한 고압 2-원자 분자인 InBr중기는 고연색성(high color rendering index, CRI)의 백색광 발광원으로 주목 받고 있다. 잘알려진 무전극 황전등은 최고 효율이 173 lm/W까지 시연되어 알려진 모든 인조 광원 중에서 가장 높은 효율을 보인 혁신적인 광원이다. 이에 비해 InBr방전등은 무전극 황전등에 비해 효율은 떨어지지만 거의 완벽한 CRI(95이상)를 보이기 때문에 차세대 projection display의 발광원으로 대두되고 있다. 본 논문에서는 원편파 마이크로파 이용하여 무전극 InBr방전등의 입력전력의 변화와 InBr의 양 변화에 대한 특성(휘도, 상관색온도, 스펙트럼, 등)에 관한 실험결과를 보고한다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.25 no.4
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• pp.216-220
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• 2014

We have synthesized a $CaMgSi_2O_6:Eu^{2+}$ blue phosphor via a solid-state reaction method. The $CaMgSi_2O_6:Eu^{2+}$ phosphor has monoclinic structure with a space group of C2/c (15), and an emission band peaking at 450 nm (blue) due to the $4f^7-4f^65d$ transition of the $Eu^{2+}ion$. The emission intensity at $100^{\circ}C$ is 54% of the value at room temperature. A white LED was fabricated by integrating a UV LED (400 nm) with our blue phosphor plus two commercial green and red phosphors. The white LED shows a color temperature of 3500 K with a color rendering index of 87 (x = 0.3936, y = 0.3605), and a luminous efficiency of 18 lm/W. The white LED shows a luminance maintenance of 97% after operation at 350 mA for 400 hours at $85^{\circ}C$.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.134-135
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• 2002

Sm$^{2＋}$가 도핑된 불화물 결정은 실온에서 영구적 스펙트럼 홀 생성이 나타나며, 이러한 실온에서의 영구적 스펙트럼 홀 생성은 새로운 광 메모리의 개발에 매우 중요하므로 많은 관심을 받고 있다. 본 연구에서는 Sm$^{2＋}$가 도핑된 10Al$_2$O$_3$.90SiO$_2$ 박막을 제조하여 SEM 및 발광 스펙트럼(Photo-Luminescence; PL)을 측정함으로서 제조된 박막의 구조적, 광학적 특성을 조사하였다. (중략)