• Title/Summary/Keyword: 광반사

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1매의 편광판으로 구성된 반사형 Fringe Field Switching Mode의 전기광학 특성

  • Park, Ji-Hyeok;Jeong, Tae-Bong;Kim, Hyang-Yul;Go, Jae-Wan;Lee, Seung-Hui
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2002.04b
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    • pp.136-140
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    • 2002
  • 투과형 광 시야각 모드의 하나인 Fringe Field Switching (FFS) mode를 반사형 액정 디스플레이소자로 응용하여 전기 광학적 특성을 컴퓨터 시늉 하였다. FFS mode는 액정이 수평으로 균일하게 유지되면서 구동하므로, 시야각에 따른 굴절률 변화 역시 균일하게 유지된다. 이러한 특성 때문에 반사형 FFS mode는 부가적인 위상필름을 쓰지 않고, 액정층과 편광판 1매 만으로도 일정한 수준의 반사형 디스플레이 특성을 얻을 수 있다. 컴퓨터 시늉을 통해 1매 편광판과 액정층, 반사판으로 구성된 Normally Black모드의 셀 구조를 취하고, 셀 간격을 일정하게 유지하면서 액정의 ${\Delta}n$을 변화시켜 특성을 구하는 방식으로 수행하여, 입사광의 파장이 550nm일때 최적의 셀 위상차값으로 $d{\Delta}n$$0.1365{\mu}m$를 얻었다. 입사광원을 $0^{\circ}C$로 하고 편광판 투과율이 41%였을 때 정면 반사율은 on시 33.6%, off시 0.14%로 명암대비가 233:1이었다. 특히 시야각은 극각 $60^{\circ}C$이내의 전 방향에서 명암 대비비가 5이상의 특성을 보였다.

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HIPIMS를 활용한 SiO2 반사방지막 코팅 제조 및 특성분석

  • Kim, Gyeong-Hun;Kim, Seong-Min;Lee, Geun-Hyeok;An, Se-Hun;Kim, Dong-Hwan;Han, Seung-Hui
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.168.2-168.2
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    • 2014
  • 반사방지막 코팅(Anti-reflection coating)은 태양전지(Solar cell), 발광다이오드(LED) 등의 반사율을 낮추어 효율을 증대시키기 위하여 사용되고 있다. 본 실험에서는 유리 기판 위에 실리콘 타겟을 이용한 반응성 high power impulse magnetron sputtering (HIPIMS) 장비를 활용하여, 높은 공정 압력(High-pressure)에서 펄스폭(Pulse width)을 조절하여 $SiO_2$ 반사방지막 코팅층을 형성하였다. 또한, 기공이 더 많은 박막을 제작하기 위해 빗각증착(Oblique-angle deposition)을 적용하여 더 좋은 광학 특성을 갖는 반사방지막 코팅층을 형성하였다. UV-Vis spectrometer를 이용하여, 380~800 nm 파장에서 투과율(Transmittance)을 측정하여 비교, 분석하였다. Ellipsometer를 이용하여 $SiO_2$ 박막층의 굴절률(Refractive index)을 측정한 결과, 반사방지막 코팅층 내부 기공에 따라 다양한 굴절률을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 코팅층 내부 기공의 형상을 확인하기 위해 SEM(Secondary electron microscopy)을 활용하여 코팅층 단면(Cross section)을 측정하였다. 이를 활용하여 낮은 굴절률을 갖는 반사방지용 $SiO_2$ 코팅층을 형성하여 태양전지의 광 변환 효율을 상승 시킬 수 있고, 발광다이오드의 광 추출 효율을 증가시킬 있을 것으로 여겨진다.

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Plasma Etching에 의한 Silicon 태양전지 표면의 광반사도 감소

  • Ryu, Seung-Heon;Yang, Cheng;Yu, Won-Jong;Kim, Dong-Ho;Kim, Taek
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.90-90
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    • 2008
  • 실리콘을 기판으로 하는 대부분의 태양전지에서는 표면반사에 의한 광에너지손실을 최소화시키고자 습식에칭(wet etching)에 의한 텍스쳐링처리가 이루어진다. 그러나 습식 에칭은 공정 과정이 번거롭고 비용이 많이 든다. Inductively Coupled Plasma Etcher 장비를 이용한 플라즈마 에칭 (plasma etching)을 실리콘 표면에 적용하여 공정을 간단하고 저렴하게 하며 반사도를 획기적으로 낮추는 기술이 개발되었다. 습식 에칭으로 형성된 표면의 피라미드 구조는 1차 반사 후 빛의 일부가 외부로 흩어져 나가지만 플라즈마 에칭으로 형성된 나노구조는 내부전반사가 가능하여 대부분의 태양 에너지를 흡수한다. 나노구조는 필라(pillar)의 형태로 형성되며 이 필라의 길이에 따라 반사도가 다르게 나타난다. 이는 플라즈마 에칭 시 발생하는 이온폭격과 에칭 측벽 식각 보호막(SiOxFy : Silicon- Oxy- Fluoride)이 필라의 길이에 영향을 주기 때문이며, 필라가 길수록 반사도를 저하시킨다. 최저의 반사도를 얻기 위해서 나노필라 형성에 기여하는 플라즈마 에칭 시간, RF bias power, SF6/O2 gas ratio의 변화에 따른 실험이 진행되었다. 플라즈마 발생 초기에는 표면의 거칠기만 증가할 뿐 필라가 형성되지 않지만 특정조건에서 3um 이상의 필라를 얻는다. 이는 에칭 측벽 식각 억제막이 약한 부분으로 이온폭격이 집중되어 발생한다. 플라즈마 에칭을 적용하여 형성된 나노필라는 반사도가 가시광 영역에서 대략 1%에 불과하며, 마스크 없이 공정이 가능한 장점이 있다.

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Method of Correcting Hyperspectral Image for Seabed Material Analysis of Coastal Area (연안 해저 재질 분석을 위한 초분광영상의 보정 방법)

  • SHIN, Myung-Sik;SHIN, Jung-Il;KIM, Ik-Jae;SUH, Yong-Cheol
    • Journal of the Korean Association of Geographic Information Studies
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    • v.19 no.2
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    • pp.107-116
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    • 2016
  • Airborne or spaceborne remote sensing can increase the efficiency of seabed material surveys compared with field surveying using a vessel. For the same seabed material, the optical remote sensing image shows variation in the reflectance depending on the water depth, which is due to the absorption and scattering by the water column. This study suggests a correction procedure to use the hyperspectral image for seabed material analysis. The study is conducted in the coastal area from Sacheonjin Port to Gyungpo Beach in Gangwon-do. The hyperspectral image is acquired using the CASI-1500 sensor. The diffuse attenuation coefficient is estimated for each band through regression models between the water reflectance and depth. Then, the coefficient is applied to each band of the image. As a result, the completely corrected image can be interpreted for a deeper area, although the interpretable area is very shallow without water column correction. Additionally, the water column corrected image shows decreased variation of reflectance with various water depths.

Optical property and the Origin of the Zodiacal light

  • Yang, Hongu;Ishiguro, Masateru
    • The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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    • v.39 no.1
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    • pp.68.2-68.2
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    • 2014
  • 내행성계의 행성간 공간에는 행성간 티끌이 편재하고 있다. 이 행성간 티끌의 산란이나 열복사로 인하여 황도광이 관측된다. 그러나 빛에 의한 끌림힘이나 행성의 중력적 섭동으로 인하여 행성간 공간의 티끌은 수백만 ~ 수천만 년 이내에 사라질 수 밖에 없다. 따라서 행성간 공간에 티끌을 공급하는 티끌의 공급원이 지속적으로, 또는 최근에 존재하였음이 확실하다. 본 연구에서는 행성간 티끌의 공급원을 밝히기 위하여 황도광의 광학적 특성을 이용하였다. 우리는 혜성, C형 소행성, S형 소행성, X형 소행성의 반사도와 스펙트럼을 합성하여 $4600{\AA}$에서 측정된 황도광의 반사도, 연속 스펙트럼과 비교하였다. 큰 비중의 티끌이 혜성에서 기인하고 나머지가 C형 소행성과 S형 소행성에서 기인한 모형을 통하여 황도광의 광학적 특성을 설명할 수 있었다. 우리의 모형은 독립적으로 측정된 기존의 황도광 분광 관측 결과와 상합한다.

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Preparation of Very Low Resistance Transparent Electrode with ITO/Ag/ITO Multilayer (ITO/Ag/ITO 다층 구조를 이용한 초저저항 투명 전도막 제조)

  • Choi, Kook-Hyun;Kim, Jin-Yong;Lee, Yoon-Seok;Kim, Hyeong-Joon
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.8 no.1
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    • pp.52-57
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    • 1998
  • 기존 산화물 투명전극에 비해 더욱 우수한 전기전도성을 가지는 다층구조의 투명전도막을 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용해 제작하였다. 전기전도성을 극대화하기 위해 비저항이 가장 낮은 Ag 금속을 사용하고, 금속층의 상하부에 반사광을 재반사시키는 산화물층을 형성시킨 다층막구조를 이용하였다. Ag 금속막은 충분한 투과율과 전기전도성을 확보하기 위해 연속된 막을 이루기 시작하는 두께인 140$\AA$로 증착하였고, ITO 박막은 가시광 영역의 반사광을 재반사시키는 최적의 두께인 600$\AA$ 내외로 증차하였다. Ag 박막의 증착조건과 후속 ITO 박막증착공정은 Ag박막의 특성에 영향을 미치므로 다층막의 전기적, 광학적 특성은 이들 증착 조건에 민감한 영향을 받음을 확인하였다. 상온에서 Ag박막을 형성하고 ITO박막은 7mTorr의 낮은 압력에서 증착하여 제작한 투명전도막은 SVGA 급의 STN-LCD용 투명전극으로 사용 가능한 4Ω/ㅁ 이하의 낮은 면저항과 빛의 파장이 550nm일 때 85%이상의 투과도를 나타내었다.

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Optical Design of a Wide-field Off-axis Two-mirror System without Ray Obstruction (광선의 차폐가 없는 광시야 비축 2반사광학계 설계)

  • Oh, Hye-Jin;Lee, Jong-Ung
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.28 no.6
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    • pp.263-272
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    • 2017
  • To design a wide-field optical system, the inverted telephoto configuration, which has a negative front group and a positive rear group, is popular. For a two-mirror system, the inverse Cassegrain system has the inverted telephoto configuration, but the inverse Cassegrain system with the conventional, axially symmetric configuration shows severe field screening and ray obstruction. To avoid these problems, we put the aperture stop on the secondary mirror of an inverse Cassegrain system to increase field of view, and designed a wide-field off-axis two-mirror system which only uses the off-axis field, without ray obstruction.

점진적인 굴절률 변화를 갖는 투명전도 산화막이 실리콘 태양전지의 특성에 미치는 영향

  • O, Gyu-Jin;Kim, Eun-Gyu
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.225.2-225.2
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    • 2013
  • 실리콘기반의 광전변환 소자는 소자공정의 편의성, 소자 신뢰성, 화학적 안정성, 그리고 저가경쟁력 등의 이점 때문에 수 십 년간 널리 연구되어 왔다. 그러나, 실리콘 재료의 경우 높은 굴절률로 인해 표면에서 높은 광 반사도를 가지고 있다. 일반적으로, 태양전지의 광전변환 효율은 빛이 서로 다른 유전율을 가진 계를 통과할 때 발생하는 계면반사로 인한 물리적인 한계를 가진다. Indium Tin Oxide (ITO)는 발광 다이오드, 태양전지, 그리고 광 검출기 등의 광소자에 적용하기 위해 수 년간 투명전도 산화막 재료로서 연구되어 왔다. ITO의 뛰어난 광학적, 전기적 특성은 높은 투과도와 낮은 전기 전도도를 요구하는 소자 응용에 대해 유망한 후보로 거듭나게 했다. 게다가, ITO의 굴절률은 대략 2정도이다. 그 결과, ITO는 반도체 기반 태양전지의 무반사 코팅 소재로서도 장점을 가지고 있다. 본 연구는 전자빔 증착법으로 경사입사 증착을 하여 실리콘 기반 태양전지에 증착될 ITO 박막의 굴절률을 조절한다. 여기서, 실리콘의 굴절률은 대략 3.5정도이다. 그러므로, 더 나은 광학적 특성을 가지기 위해 다층으로 올려진 ITO 박막이 점진적인 굴절률 변화를 가지는 것을 필요로 한다. 점진적 굴절률 변화를 가진 무반사 박막이 실리콘 태양전지의 특성에 미치는 영향을 평가하기 위해 광전변환 효율을 측정하였다. 증착된 박막의 굴절률과 표면형상은 각각 타원편광분석과 Atomic Force Microscopy (AFM)을 통해 분석되었다. 또한, 소자의 단면형상은 Scanning Electron Microscopy (SEM)으로 측정되었다.

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Anti-reflection coating on the facet of a spot size converter integrated laser diode using a pair of TiO2 and SiO2 thin films (TiO2와 SiO2 박막 쌍을 이용한 광모드 변환기가 집적된 반도체 레이저 단면의 무반사 코팅)

  • 송현우;김성복;심재식;김제하;오대곤;남은수
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.13 no.5
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    • pp.396-399
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    • 2002
  • Using a bi-layer anti-reflection coating of $TiO_2$and $SiO_2,$ we have achieved a minimum facet reflectivity of $~10^{-5}$ and a band width of 27 nm for a reflectivity of $~10^{-4}$ or less for 1.3 $\mu\textrm{m}$ spot size converter integrated semiconductor lasers. This coating is applicable to external-cavity-tuned laser sources and semiconductor optical amplifiers.