• Convergence Security Journal
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• v.6 no.3
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• pp.79-86
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• 2006

This paper studies the sensitivity analysis of an infrared rays (IR) sensor (SHARP-GD2D12) with bluetooth communication. To evaluate the performance of the IR sensor-bluetooth module, the distance and angle data between the sensor and the fixed object are measured with an IR sensor and the measured data are transferred to PC via bluetooth within 100 meters. This experiment shows that the IR sensor-bluetooth system can be used to measure the distance and angle for a fixed object within 100 meters.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.18 no.12
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• pp.1148-1151
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• 2005

Photovoltaic effects in organic solar cell were studied in a cell configuration of ITO/PEDOT:PSS/CuPc(20 nm)/$C_{60}$(40 nm)/BCP/Al(150 nm) at room temperature. Here, the BCP layer works as an exciton blocking layer. The exciton blocking layer must transport electrons from the acceptor layer to the metal cathode with minimal increase in the total cell series resistance and should absorb damage during cathode deposition. Therefore, a proper thickness of the exciton blocking layer is required for an optimized photovoltaic cell. Several thicknesses of BCP were made between $C_{60}$ and Al. And we obtained characteristic parameters such as short-circuit current, open-circuit voltage, and power conversion efficiency of the device under the illumination of AM 1.5.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.369-369
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• 2010

소자제조 공정의 질과 생산성을 향상시키기 위하여 플라즈마 감시가 필요하다. 본 연구에서는 광반사분광기(Optical Emission Spectroscopy)를 이용하여 소스전력의 변화에 따른 플라즈마 상태 데이터를 수집하였다. 수집된 데이터를 이용한 시계열 신경망 감시 모델을 개발하였으며, 개발된 모델과 CUSUM(Cumulative Sum Control Chart)를 결합하여 플라즈마의 이상 상태를 실시간으로 감시하는 기법을 개발하였다. 매우 우수한 감시 성능을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.273-274
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• 2005

Photovoltaic effects in organic solar cell were studied in a cell configuration of ITO/PEDOT:PSS/CuPc(20nm)/$C_{60}$(40nm)/BCP/Al(150nm) at room temperature. Here, the BCP layer works as an exciton blocking layer. The exciton blocking layer must transport electrons from the acceptor layer to the metal cathode with minimal increase in the total cell series resistance and should absorb damage during cathode deposition. Therefore, a proper thickness of the exciton blocking layer is required for an optimized photovoltaic cell. Several thicknesses of BCP were made between $C_{60}$ and Al. And we obtained characteristic parameters such as short-circuit current, open-circuit voltage, and power conversion efficiency of the device under the illumination of AM 1.5.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.4
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• pp.361-373
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• 1992

이온이나 플라즈마를 사용해서 박막형성이나 MBE진공증착법에 비해서 분자배열이나 고차구조의 제어 및 그의 다양성에 있어서 LB법에 대한 기대가 크다. 특히 습식법인 점에서 생체기능을 짜넣을 수 있는 분자소자의 개발에는 불가능하다. 역으로 생체분자의 자기조직화나 정보전달기능을 분자 Level로 이해하는 점에서도 LB법은 중요하다고 본다. 또 저차원자성체 전도체 여기자등 물리량에 의한 차원성을 고찰하는 점에서도 LB막의 거동이 주목되고 있다. 또 자발분극된 강유전성의 고분자 즉 Poly등의 박막에 광조사를 하면 광생성된 캐리어가 내부전계에 따라서 이동하고 ~$10^{4}$V 정도의 높은 광기전력을 발생시키는 것도 나타났다. 얻어진 전류는 단지 초전효과를 상회하고 광전류라고 할 수 있다. 쇼트키형 소자의 금속-반도체의 절연막층을 MIS형이라고 하며 특성이 향상된다. SnO$_{2}$/NiPc/Polyethylene막/Al형 광전지가 만들어졌다. 광전변환막이 다양한 목적에 사용되리라 사료되며 지금은 초기 연구단계이나 실용화하는데는 많은 시간이 소요되나 간단한 디바이스 등과 같은 것은 제작이 가능할 것이며 광에너지로 힌한 화학, 전기, 역학 에너지로 변환되는 데는 시간 문제인것 같다. 1년간 일본 동경공업대학 생명이공학부에서 연구한 내용을 정리하여 보았으며 이에 협조하여 주신 문교부 학술진흥재단에 감사드리며 또 등평연구실에 감사드린다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.16 no.4
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• pp.32-35
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• 1979

When photon was injected to SnO2- amorphous Sb S thin film -Sn structure through the window of SnO2, photo- voltaic effect was observed. With the energy change of photon, photovoltage had either positive or negative value This phenomenon was considered to be caused by formation of n-n heterojunction in SnO2 - Sb S structure and Schottky junction Sb S -Sn structure.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.39 no.3
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• pp.163-175
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• 1995

Metal free phthalocyanine($H_2Pc$) partially doped with iodine, $H_2Pc(I)x$, has been made to improve photosensitizing efficiency of ZnO/$H_2Pc$. The content of iodine dopant level(x) for $H_2Pc(I)x$ upon $H_2Pc$ polymorphs was characterized as ${\chi}-H_2Pc(I)_{0.92}$ and ${\beta}-H_2Pc(I)_{0.96}$ by elemental analysis. Characterization of iodine-oxidized $H_2Pc$ were investigated by TGA (thermogravimetric analysis), UV-Vis, FT-IR, Raman and ESR (electron spin resonance) spectrum, and the adsorption properties of $H_2Pc(I)x$ on ZnO were characterized by means of Raman and ESR studies. TGA for $H_2Pc(I)x$ showed a complete loss of iodine at approximately 265$^{\circ}C$ and the Raman spectrum of $H_2Pc(I)x$ and ZnO/$H_2Pc(I)x$ at 514.5 nm showed characteristic $I_3^-$ patterns in the frequency region 90∼550 $cm^{-1}$. ZnO/$H_2Pc(I)x$ exhibited a very intense and narrow ESR signal at $g=2.0025{\pm}0.0005$ compared to $H_2Pc$/ZnO. Iodine doped ZnO/$H_2Pc(I)x$ showed a better photosensitivity compared to iodine undoped ZnO/$H_2Pc$. That is, the surface photovoltage of ${\chi}-H_2Pc(I)_{0.92}$/ZnO was approximately 31 times greater than that of ZnO/${\chi}-H_2Pc$ and ZnO/${\beta}-H_2Pc(I)_{0.96}$ was 5 times more efficient than ZnO/${\beta}-H_2Pc$ at 670 nm. And the dependence of photosensitizing effect upon $H_2Pc$ polymorphs was exhibited that the surface photovoltage of ZnO/${\chi}-H_2Pc(I)_{0.92}$ was approximately 5 times greater than ZnO/${\beta}-H_2Pc(I)_{0.96}$ at 670 nm. Therefore Iodine doping of H_2Pc$ resulted in increase in photoconductivity of $H_2Pc$ and photovoltaic effect of ZnO/$H_2Pc$ in the visible region.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.39 no.3
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• pp.176-185
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• 1995

To improve photosensisitizing efficiency of ZnO/$H_2Pc(I)_x$ system, ZnO/$H_2Pc(I)_x$ system was dispersed in a typical photoconductive polymer of poly(9-vinylcarbazole)(PVCZ). The iodine dopant level(x) of ZnO/${\chi}-H_2Pc(I)_x$ is proportional to concentration of iodine, whereas x of ZnO/${\beta}-H_2Pc(I)_x$ decreased from the highest x=0.97 at more than $6.3{\times}10^{-3}$ M iodine solution. The Raman spectra of ZnO/${\chi}-H_2Pc(I)_x$ at 514 nm exhibited characteristic $I_3^-$ patterns in the range of 50∼550 $cm^{-1}$ at $x{\geq}0.57.$ The surface photovoltage of ZnO/${\chi}-H_2Pc(I)_{0.48}$/PVCZ was approximately 1.6 times greater than ZnO/${\chi}-H_2 Pc(I)_{0.48}$ and was 1.8 times of ZnO/${\chi}-H_2Pc(I)_{0.57}$/PVCZ at 670 nm. With ZnO/$H_2Pc(I)_x$/PVCZ, the highest iodine dopant levels showed a higher photovoltage. Therefore the injection of holes from H2Pc into PVCZ resulted in that photosensisitizing effect of ZnO/$H_2Pc(I)_x$/PVCZ system was improved compared to ZnO/$H_2Pc(I)_x$ case.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.162-162
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• 2011

고강도 저가형 탄소 섬유 제작에 마이크로파 장비를 이용하는데 있어 공정 제어를 위한 온도 측정이 중요하다. 석영관 내부에 들어 있는 섬유의 표면 온도를 측정하기 어려우므로 직접 삽입한 K타입 열전대를 이용하여 입력 전력에 따른 섬유 다발 표면의 온도를 측정 하였다. 그 결과 안정화에 필요한 $300^{\circ}C$ 부근의 온도는 쉽게 얻을 수 있었으나 마이크로파가 방사되는 영역의 온도만 빠른 상승을 보여서 불균일도 해결을 위한 노력이 필요하다. 탄화 처리를 위한 고온 가열을 위해서 투입 전력을 648 W까지 증가시켰을 때 $727^{\circ}C$까지는 쉽게 상승하였으나 $2000^{\circ}C$ 이상을 획득하기 위해서는 고온 복사 손실을 줄 일 수 있는 전략이 필요하다.

• The Optical Journal
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• s.131
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• pp.37-41
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• 2011

휴대전화에 카메라가 탑재된 지도 10년 이상이 지났다. 점차 고해상도화와 더불어 카메라로서 점점 실용적으로 진화하고 있다. 장기간 배터리 구동의 필요성에서 저소비전력은 중요과제이고, 종래의 CCD 이미지센서에서 CMOS센서로 거의 대체되었다고 할 수 있다. 기기의 소형화에 동반해 탑재되는 카메라모듈의 소형화에 대한 요구는 매우 강하다. 특히 박형화된 표시부와 함께 실장되는 inside 카메라의 저배화(低背化)는 급속히 진행됐다. 모듈의 높이를 낮게 하기 위해서는 광학렌즈의 광로장을 적게 하는 것이 요구되지만 고해상도 때문에 이미 지사이즈가 대형화하는 경향과 상반된다. 본고는 광기술컨텍트 2010년 10월호에서 발췌한 것으로서 이미지사이즈를 유지하면서 고해상도화를 실현하는 미세 셀에서 성능을 확보하는 기술과 카메라모듈을 소형화하는 기술에 대해서 개괄하였다.