대한설비건설협회는 하도급자인 회원사의 권리보호와 원도급자의 불법 불공정 하도급 거래행위를 개선코자 국회, 국토교통부, 공정거래위원회 등 여러 관련 부처에 지속적으로 제도개선을 추진하고 있다. 특히, 원도급자가 하도급자에게 일방적으로 불이익을 강요하는 부당한 특약을 설정하거나, 원도급자의 하도급지급보증 사고발생 시 하도급자의 보증금 청구에도 보증기관이 보증금을 지급하지 않아 하도급자인 회원사의 피해가 빈번함에 따라 제도개선을 추진해 왔다. 이러한 노력으로 최근 공정거래위원회에서는 하도급법을 개정하여 하도급공사의 부당특약 금지조항을 신설하고, 하도급대금지급 보증기관의 보증금 지급사유를 법률에 명시하게 됐다.
PCB는 수십개의 주공정과 보조공정으로 구성된 제품으로 동일한 생산라인에서 로트 단위로 다품종 혼류 생산되고 있다. 따라서 PCB 제조라인에서는 많은 공정수, 높은 불량률, 다양한 공정설비 및 빈번한 설비고장, 중소기업의 낮은 설계 및 생산기술력, 빈번한 수주 변경 및 다품종 혼류, 긴급 수주 등과 같이 제조원가를 증가시키는 다양한 교란요인들이 항상 발생하고 있다. 본 연구에서는 생산성, 품질 등을 고려하면서 리드 타임을 단축하기 위하여 TOC DBR 기법을 개선한 2개의 DBR 개념을 도입하여 성공적으로 리드타임을 개선한 사례를 소개하고자 한다.
2000년대 들어 소재기술의 진보와 함께 혁신적인 성능개선이 이뤄지고 있는 유기박막 태양전지는 가장 신형의 3세대 태양전지로서, 유기 재료의 손쉬운 가공성과 다양성, 낮은 재료비, 그리고 프린팅, 코팅 공정과 같은 값싼 소자 제작공정으로 인해 차세대 저가 태양전지로서 큰 기대를 모으고 있다. 현재 유기박막 태양전지는 단위소자 기준으로 7%대의 광전변환 효율을 달성하고 있는데, 다양한 반도체성 고분자나 단분자 도너 물질에 특히 전자 수용성이 좋은 fullerene(C60)계 억셉터 물질을 채택함으로써 급격히 성능 개선이 이뤄지고 있다. 그러나 상용화를 위해서는 궁극적으로 대면적에서 10% 이상의 성능 수준이 요구되는 바, 유기재료의 낮은 전하 이동도와 짧은 수명을 극복하고 성능을 극대화하기 위해서는 고성능 신규소재의 개발이 필수이다. 태양광 스펙트럼의 장파장 까지 빛흡수가 가능하면서도 광흡수계수가 높은 저밴드갭 도너 물질, 전하 이동도가 획기적으로 개선되고 광 안정성도 높은 신규 소재 개발이 일차적으로 요구되며, 박막 특성 개선과 소자구조의 최적화 등에서도 보다 광범위한 연구개발이 요구되고 있다. 특히 저가의 용액공정에 의한 소자 제작시 박막의 나노-모폴로지 제어는 소자의 성능에 지대한 영향을 미치므로 공정별 한계와 최적조건을 구축하는 것도 매우 긴요하다. 본 발표에서는 당 연구팀을 포함한 국내외 연구그룹들의 최근 유기박막 태양전지 신소재 개발 및 용액공정 기술 현황에 대하여 간략히 살펴보고자 한다.
최근 고집적화된 금속-산화막 반도체 metal oxide semiconductor (MOS) 소자는 크기가 점점 작아짐에 따라 얇은 산화막과 다양한 High-K 물질과 전극에 대하여 연구되고 있다. 이러한 소자의 열적 안정성과 균일성을 얻기 위해 다양한 열처리 방법이 사용되고 있으며, 일반적인 열처리 방법으로는 conventional thermal annealing (CTA)과 rapid thermal annealing (RTA)이 많이 이용되고 있다. 본 실험에서는 microwave radiation에 의한 열처리로 소자의 특성을 개선시킬 수 있다는 사실을 확인하였고, 상대적으로 $100^{\circ}C$ 이하의 저온에서도 공정이 이루어지기 때문에 열에 의한 소자 특성의 열화를 억제할 수 있으며, 또한 짧은 처리 시간 및 공정의 단순화로 비용을 효과적으로 절감할 수 있다. 본 실험에서는 metal-oxide-silicon (MOS) 구조의 capacitor를 제작한 다음, 기존의 CTA나 RTA 처리가 아닌 microwave radiation을 실시하여 MOS capacitor의 전기적인 특성에 미치는 microwave radiation 효과를 평가하였다. 본 실험은 p-type Si 기판에 wet oxidation으로 300 nm 성장된 SiO2 산화막 위에 titanium/aluminium (Ti/Al) 금속 전극을 E-beam evaporator로 형성하여 capacitance-voltage (C-V) 특성 및 current-voltage (I-V) 특성을 평가하였다. 그 결과, microwave 처리를 통해 flat band voltage와 hysteresis 등이 개선되는 것을 확인하였고, microwave radiation 파워와 처리 시간을 최적화하였다. 또한 일반적인 CTA 열처리 소자와 비교하여 유사한 전기적 특성을 확인하였다. 이와 같은 microwave radiation 처리는 매우 낮은 온도에서 공정이 이루어짐에도 불구하고 시료 내에서의 microwave 에너지의 흡수가 CTA나 RTA 공정에서의 열에너지 흡수보다 훨씬 효율적으로 이루어지며, 결과적으로 산화막과 실리콘 기판의 계면 특성 개선에 매우 효과적이라는 것을 나타낸다. 따라서, microwave radiation 처리는 향후 저온공정을 요구하는 nano-scale MOSFET의 제작 및 저온 공정이 필수적인 display 소자 제작의 해결책으로 기대한다.
철강압연공장에서 산세공정중 발생하는 산화철의 색상을 개선하기 위하여 배소로 조업과 색상혼합공정을 연구하였다. 배소로 조업에서는 조업온도, 폐산장입량, 폐산분사 노즐수에 대하여 검토하였으며, 색상혼합공정에서는 산화티탄, 실리카, 괴타이트를 색상혼합재로 검토하였다. 배소로 조업에서는 조업온도를 낮게 할수록 산화철의 명도가 개선되었으며, 색상혼합공정에서는 괴타이트 첨가 경우에 제일 많이 산화철의 적색 및 명도가 개선되었다.
공정거래위원회는 지난 5월 25일 2001년도 핵심업무로 추진 중인 6개 분야의 포괄적 시장개선대책 중 건설산업 공정화 방안의 일환으로 건설경기 침체로 경영상 애로를 겪고 있는 중소하도급업체의 부도를 방지하고 자금난을 완화하기 위한 '하도급대금 지급 보장제도 개선 방안'을 마련하였다.
본 연구는 기존의 방식으로 만든 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정에서 발생되는 결함에 대한 원인을 분석하고 해결함으로써 수율을 증대시키고 신뢰성을 개선하고자한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 $n^+a-Si:H$ 층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝하여 그것을 마스크로 상부 $n^+a-Si:H$ 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거한다. 그 위에 Cr층을 증착한 후 패터닝하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 이렇게 제조한 박막 트랜지스터에서 생기는 문제는 주로 광식각공정시 PR의 잔존이나 세척 시 얇은 화학막이 표면에 남거나 생겨서 발생되며, 이는 소자를 파괴시키는 주된 원인이 된다. 그러므로 이를 개선하기 위하여 ashing 이나 세척공정을 보다 엄격하게 수행하였다. 이와 같이 공정에 보다 엄격한 기준의 세척과 여분의 처리공정을 가하여 수율을 확실히 개선 할 수 있었다.
2,3,4호 시멘트밀은 기존의 Tube MiIl 단독의 시멘트 분쇄 밀에 예비분쇄기(이하 "Polycom", Polysius 1992년 공급)를 설치, 합리화하여 운영되고 있는 Combi grinding type의 시멘트밀이다. 생산능력은 일 생산성 4,800T/D, Blaine $3,200cm^2/g$ 품질로 설계되었다. 금번 공정개선 부문인 예비분쇄공정의 Polycom 출구 Bucket Elevator(이하 "B/E") 및 Disagglomerator(이하 "DISA")로 위치는 Fig.1과 같다. Polycom 출구 B/E 및 DISA는 Polycom에서 분쇄된 원료를 분급기로 이송 및 cake 상태의 원료를 파쇄하는 설비이다. 상기 설비는 시멘트밀 공정에서 반드시 필요한 설비이나 - 잦은 고장에 따른 설비 가동율 저하 - 순환량 증가시 제한운전에 따른 생산효율저하를 일으키는 주된 설비로써 원단위 절감 및 설비가동효율 향상을 위하여 개선이 불가피한 설비임.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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