• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.17 no.6 s.78
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• pp.99-107
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• 2002

이동전화시장에 대한 규제여부를 논의할 때 가장 중요한 요인으로 이동전화시장의 경쟁상황을 들고 있다. 대부분의 이동망 비규제를 주장하는 측의 논리는 이동전화시장은 복수사업자체제로 치열한 경쟁이 전개되고 있기 때문에 고정망에서와 같은 강력한 규제가 대칭적으로 적용되어서는 안된다는 점을 강조하고 있다. 본 고에서는 이러한 주장의 타당성을 검토하고 합리적인 이동망 시장 규제대안을 모색해보기 위해서 이동전화 시장구조를 살펴보고 세분화된 이동전화 시장 내에서의 경쟁상황을 검토하였다. 아울러 본 고에서는 이러한 분석을 바탕으로 세분화된 이동전화 시장상황에 적합한 정책 및 규제 대안을 제안하였다.

• Information and Communications Magazine
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• v.29 no.3
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• pp.41-48
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• 2012

최근 스마트폰의 도입과 더불어서 이동 인터넷 트래픽이 급증하고 있어서 미래 인터넷의 새로운 구조를 분석 및 연구할 때 이동성(Mobility)을 중요한 설계 요구사항으로 정하고 있다. 본 고에서는 미래 인터넷에서 이동 네트워크 구조 연구의 필요성에 대해 설명한다. 또한, 이동성 관리 연구에 있어서 최근에 많은 이슈가 되고 있는 분산/동적 이동성 관리에 대해 살펴보고 국내외의 여러 연구 그룹에서 제안하고 있는 대표적인 이동 네트워크 구조 및 연구 동향에 대해 기술한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.12 no.4 s.46
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• pp.1-11
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• 1997

차세대이동통신(IMT-2000/FPLMTS)을 중심으로 한 이동통신은 고도 정보화사회를 열어가는 주역으로 2000년대 초에는 전체 통신서비스의 약 50% 정도를 점유할 것으로 예견되고 있다. 본 고에서는 차세대 이동통신인 IMT-2000/FPLMTS에 대한 국제 표준화 동향 및 미국, 유럽, 일본 등의 표준화 및 개발 동향을 살펴보기로 하겠다. 또한 우리나라의 표준화 및 개발 동향을 살펴봄으로써 CDMA 디지털 셀룰러 세계 최초 상용화로 이룩한 이동통신 선진국의 위치를 차세대 이동통신 분야에서도 실현하여 우리나라가 이동통신 대국이 되는 방안을 모색해보기로 하겠다.

• TTA Journal
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• s.72
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• pp.17-26
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• 2000

이동통신의 요구사항이 종래의 음성위주에서 보다 발전된 형태인 무선멀티미디어 쪽으로 옮겨지면서 기존의 이동통신방식으로서는 지원에 한계가 생기게 되었다. 이러한 새로운 요구사항에 부응하면서 보다 고품질의 데이터 서비스를 제공하기 위한 이동통신방식에 대한 연구개발 노력이 ITU에서의 차세대 이동통신 표준인 IMT-2000 표준의 제정 움직임과 맞물려 차세대이동통신의 단일 국제표준을 제정하는 것을 목표로 하여 표준화 활동이 진행되었다. 그러나 표준의 진행과정에서 유럽과 북미를 중심으로 한 양대 표준으로 IMT-2000 표준의 축이 굳어지고 있는 형편이다. 이러한 표준화 움직임에 맞추어 본 고에서는 IMT-2000 무선접속 분야의 표준화 동향, 표준의 주요 기술 및 관련기술의 지적재산권 출원동향을 살펴보고자 한다.

• Information and Communications Magazine
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• v.28 no.2
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• pp.46-53
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• 2011

본 고에서는 차량의 탑승자에게 고속, 고품질, 고신뢰도의 정보, 엔터테인먼트, 인터넷 등의 서비스를 제공하여 차량을 이동 오피스 (mobile office) 공간으로 만들 수 있도록 하기 위한 내장형 안테나 어레이 기반의 차세대 차량용 이동통신 시스템 기술에 대하여 알아본다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2000.11a
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• pp.11-11
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• 2000

이동통신기술의 급격한 발달로 고주파회로의 packaging과 interconnect 기술의 고성능화 와 저가격화에 대한 새로운 도전이 요구되고 있다‘ 대부분 기존의 무선통신 부품은 P PCB(Printed Wiring Board)기술을 활용하고 있으나 이러한 기술이 점차로 고주파화되는 경 향을 만족시킬수 없어 새로운 고주파 부품기술이 요구되고 있는 실정이다 .. RF 회로를 구성 하기 위하여 PCB소재의 환경적, 치수안정성 문제를 극복하기 위하여 L TCC(Low T Temperature Cofired Ceramics)기술이 최근 주목을 받고 있다. 차세대 이동통신 기술은 수십 GHz 이상의 고주파특성이 우수하고, 고성능의 초소형의 부품을 저가격으로 제조할수 있으며, 시장의 변화에 기민하게 대처할수 있는 기술이 요구되 고 있으며, 이러한 기술적 필요성에 부합할수 있도록 LTCC 기술이 제안되었다. 이러한 C Ceramic Interconnect 기술은 높은 신뢰성을 바탕으로 fine patterning 기술과 저가의 m metallizing 기술로 가능하게 되었다. 초고주파 통신부품기술은 미국과 유럽 등을 중심으로 G GHz 대역또는 mm wave 대역의 기술에 대하여 치열한 기술개발 경쟁을 벌이고 있으며, 이 러한 고주파 패키징 기술을 바탕으로 미래의 군사, 항공, 우주 및 이동통신 기술에 지대한 영향을 미칠수 있는 기반기술로 자리잡을 전망이다. L LTCC 기술은 기존의 후막혼성기술에 비하여 공정이 단순하고 대량생산이 가능하고 가 격이 비교적 저렴하다. 또한 다층구조로 제작할수 있고, 수동소자를 내장할수 있어 회로의 소형화와 고밀도화가 가능하다. 특히 무선으로 초고속 정보를 처리하기 위하여 이동통신기 기의 고주파화가 빠르게 진행됨에 따라서 고분자재료에 비하여 고주파특성이 우수할뿐아니 라 환경적, 치수안정성이 우수한 세라믹소재플 사용함으로써 고주파 손실율을 저감할 수 있 다 .. LTCC 기술은 후막회로 기술과 tape dielectric 기술이 결합된 기술이다. 표준화된 소재 와 공정기술을 활용하여 저가격으로 고성능소자플 제작할 수 있으며, 전극재료로서 높은 전 도도를 갖고 있는 Ag, Cu, Au 및 Pd! Ag릎 사용함으로써 고주파 손실을 저감시킬 수 있다. L LTCC 기술이 최종적으로 소형화, 고기능 고주파 부품기술로 지속적으로 발전하기 위하여 무수축(Zero shrinkage) 소성기술, 광식각 후막기술 등이 원천기술로서 확립될 수 있어야 하 며, 특히 국내의 이동통신 기술에 대한 막대한 투자에도 불구하고 차세대 이동통신 부품기 술에 대한 개발은 상대적으로 미흡한 실정이므로 국내에 LTCC 관련 소재공정 및 부품소자 기술에 대한 개발투자가 시급히 이루워져야 할 것으로 판단된다. 본 발표에서는 지금까지 국내외 LTCC 기술의 발전과정을 정리하였고, 현재 이 기술의 응용과 소재와 공정을 중심으로한 개발현황에 대하여 조사하였으며, 앞으로 LTCC가 발전 해야할 방향을 제시하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.192-192
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• 2013

본 연구에서는 RF/DC 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여co-sputtering 방법으로 성장시킨 고이동도를 갖는Ge-doped $In_2O_3$In2O3 (IGO) 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성을 평가하고, 이를 유기태양전지와 유기발광다이오드에 적용함으로써 고이동도 IGO 투명전극의 소자 적용가능성을 타진하였다. GeO2 타겟에 인가되는 도핑 Power와 급속열처리 온도가 30 W, $500^{\circ}C$일 때, 최적화 된 IGO 박막으로부터 $2.8{\times}10^{-4}$ Ohm-cm의 낮은 비저항과 86.9% (550 nm)의 높은 투과도를 확보하였다. 뿐만 아니라 Near Infra-red (750~1,200 nm) 영역에서의 IGO투명전극의 광투과율이 결정질의 ITO보다 높은(약15%) 투과도를 보이는 것을 통해 IGO박막의 높은 LAS (Lewis Acid Strength) 값을 가지는 Ge 원소의 도핑이 NIR 영역의 광투과율 향상에 미치는 영향을 확인할 수 있었다. 최적 조건의 IGO 박막을 적용하여 Fill Factor 67.38%, Short circuit current density 8.43 mA/cm2, open circuit voltage 0.60 V, efficiency 3.44%의 유기태양전지 및 19.24%의 외부양자효율을 갖는 유기발광다이오드를 제작함으로써 결정질 ITO 전극(20.05%)을 대체할 수 있는 고투과, 고이동도 IGO 투명 전극 및 이를 이용한 광전소자 적용 가능성을 타진하였다.

• Journal of the Korean Data and Information Science Society
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• v.21 no.3
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• pp.503-511
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• 2010

The goal of this paper is to suggest an algorithm to get the number of student on the elementary, meddle and high-school for the forecasting of the numbers of student by the moving average method using a proportional expression. Comparing with the results of Korean education statistical system 2005, 2006, and 2007, the results of this paper are better than those of the Korean education statistical system.

• The Science & Technology
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• s.527
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• pp.42-45
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• 2013

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.169.1-169.1
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• 2015

최근 디스플레이 기술은 급속도로 발전해 가고 있다. 디스플레이 산업의 눈부신 성장에 발맞추어 초고화질, 초고선명, 고속 구동 및 대형화 등을 포함하는 최신 기술의 디스플레이 구동이 필요하다. 이러한 요구사항을 만족하기 위해서는 각 픽셀에 영상정보를 기입하는 충전시간을 급격히 감소시켜야 하고 따라서 픽셀 트랜지스터(TFT)의 이동도는 급격히 증가해야 한다. 따라서 차세대 디스플레이 실현을 위해서 고이동도 특성을 구현 할 수 있는 신물질의 개발이 매우 중요하다. 현재 산화물박막트랜지스터는 차세대 디스플레이 실현을 위해 가장 주목받고 있으며, 실제로 산화물박막 트랜지스터의 핵심소재인 In-Ga-Zn-O(a-IGZO) 산화물의 경우 국내외에서 디스플레이에 적용되어 생산이 시작되고있다. 그러나 a-IGZO 산화물의 경우 이동도가 $5-10cm^2V{\cdot}s$ 수준이어서 향후 개발 되어질 초고해상도/고속구동 디스플레이 실현(이동도 $50cm^2V{\cdot}s$)에는 한계가 있다. 따라서 본 연구에서는 이를 해결 할 수 있는 'post-IGZO' 개발을 위해 In2O3에 Ga2O3를 조성별로 고용시켜 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성 및 TFT를 제작하여 특성 연구를 진행하였다. 조성은 In2O3에 Ga2O3를 7.5%~15% 도핑 하였으며, Sputtering을 이용하여 indium gallium oxide(IGO) 박막을 제작하였다. 박막은 상온 및 $300^{\circ}C$에서 증착 하였으며 증착 된 IGO 박막은 Ga=12.5% 까지는 In2O3에 Ga이 모두 고용되어 cubic In2O3 poly crystalline을 나타내는 것을 확인하였으며 Ga=15%에서 Gallium 관련 2차상이 확인되었다. Ga양이 변화함에 따라 박막의 전기적 특성이 조절 가능하였으며 이를 이용하여 IGO 박막을 30 nm 두께로 증착 하여 IGO 박막을 channel layer로 사용하는 bottom gate structured TFTs를 제작 하였다. IGO TFTs는 Ga=10%에서 on/off ratio ${\sim}10^8$, 그리고 field-effect mobility $84.8cm^2/V{\cdot}S$를 나타내며 초고화질, 초고선명 차세대 디스플레이 적용 가능성을 보여 준다.