• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.79-79
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• 2003

최근 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 능동소자에 사용되는 MOS-FET (Metal Oxide Semiconductror Field Effect Transitror)의 전체적인 크기 감소추세에 따라 금속 전극과 반도체 사이의 절연층 두께 감소가 요구되고 있다. 현재 보편적으로 사용되고 있는 SiO$_2$층은 두께 감소에 따른 터널링 전류의 증가로 더 이상의 두께 감소를 기대하기 어려운 상태이다. 이러한 배경에서 최근 터널링 전류를 충분히 감소시키면서 요구되는 절연특성을 얻을 수 있는 새로운 고유전 물질 (high-k dielectric material)에 대한 연구가 이루어지고 있다. 현재까지 연구되어온 고유전 물질 중, 고유전 상수, 큰 밴드갭, Si과의 열적 안정성을 갖는 물질로 ZrO$_2$가 주목을 받고 있다. 본 연구에서는 Metal Organic Molecular Beam Epitaxy (MOMBE) 방법을 이용한 ZrO$_2$ 층의 성장조건 및 특성을 평가하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.619_620
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• 2009

본 논문은 자기장을 이용하여 전류를 안정화시켜 정밀전류를 발생 시킬 수 있는 장치에 관한 연구이다. 일반적으로 전류를 안정화 시키는 방법은 전류회로에 직렬로 저항을 연결하여 저항 양단에 유도되는 전압을 측정하여 전류를 제어하는 방법을 많이 사용한다. 그러나 이 방법은 정밀한 전류를 제어하기 위하여 직렬로 연결되는 저항값이 커야하며, 또한 전류에 의해 발생되는 열로 인해 저항값이 증가하기 때문에 정밀한 제어가 어렵다. 이러한 단점을 보완 할 수 있는 방법으로 전류회로에 직렬로 코일을 연결하여 전류가 변화면 코일속에 자기장이 변화는 원리를 이용하여 전류를 안정화시켜 정밀전류를 발생 할 수 있다. 본 연구에서는 저자기장 국가표준 확립 및 물리고유상수인 양성자 자기회전비율 측정을 위해 원자자기공명 방법을 이용하여 직류전류를 1 A 범위에서 $0.1{\mu}A$ 수준으로 안정화 시켰다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.15 no.6
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• pp.65-72
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• 2001

This paper deals with a novel full digital control of the single-phase PWM(Pulse Width Modulation) inviter for UPS(Uninterruptible Power Supp1y). The voltage and current of output filter capacitor as a state variable are the feedback control input. In the proposed scheme a double deadbeat control consisting of minor current control loop and major voltage control loop have been developed In addition, a second order deadbeat currents control which should be exactly equal to its reference in two sampling time without error and overshoot is proposed to remove the influence of the calculation time delay. The load current prediction is achieved to compensate the load disturbance. The simulation and experimental result shows that the proposed system offers an output voltage with THD(Total Harmonic Distortion) less than 5% at a full nonlinear load.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2002.11a
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• pp.481-485
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• 2002

In this study, we fabricated the PBH-LD by meltback method using the LPE. The PBH-LDs are analyzed the leakage current that flows through leakage current path like the p-n diode and p-n-p-n current blocking layer. We observed the variation of threshold current with the leakage width $W_{ι}$. As a consequence, we confirmed that the threshold current became low in the decrease of the leakage width and in the increase of the ratio of specific resistivity of leakage region to active region. We also compared between the calculated threshold current in the absence of leakage region and the measured threshold current in the device. As a result, the ratio of specific resistivity was about 0.5 in the measured LDs, which have the width of a active layer of 1.4${\mu}{\textrm}{m}$ and leakage width of 0.6${\mu}{\textrm}{m}$.

• Electric Engineers Magazine
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• v.230 no.10
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• pp.30-33
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• 2001

음향공명 발생원인 가스가 들어있는 방전관내에 방전전류가 흐르면 전력에너지가 발생하여 열을 발생 시키고 이 열은 방전관내의 압력변화를 가져온다. 이 압력변화는 방전관내의 음향변화와 같다. 주기적인 압력변화가 내벽에 반사되어 정재파가 발생되는 현상이 방정관의 고유진동수이며 이 고유진동수와 전원주파수가 일치될 때 음향공명현상이 일어난다.

• Journal of Industrial Technology
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• v.27 no.B
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• pp.91-96
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• 2007

Electrical impedance tomography (EIT) is a technique for determining the electrical conductivity and permittivity distribution within the interior of a body from measurements made on its surface. One recent application area of the EIT is the detection of breast cancer by imaging the conductivity and permittivity distribution inside the breast. The present standard for breast cancer detection is X-ray mammography, and it is desirable that EIT and X-ray mammography use the same geometry. A forward model of a simplified mammography geometry for EIT imaging was proposed earlier. In this paper, we propose an iterative algorithm for computing the current pattern that will be applied to the electrodes. The current pattern applied to the electrodes influences the voltages measured on the electrodes. Since the measured voltage data is going to be used in the impedance imaging computation, it is desirable to apply currents that result in the largest possible voltage signal. We compute the eigenfunctions for a homogenous medium that will be applied as current patterns to the electrodes. The algorithm for the computation of the eigenfunctions is presented. The convergence of the algorithm is shown by computing the eigencurrent of the simplified mammography geometry.

• 전기의세계
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• v.65 no.4
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• pp.21-27
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• 2016

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.9 no.5
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• pp.34-42
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• 1972

Current noise is an important indication of quality in deposited carbon film resistors. Imperfections in the resistive film create high current densities and consequently high current noise. The magnitude of current noise is depend upon many inherent properties of the resistor such as resistive material and others such as processing, fabrication and packing of resistive elements, etc. Performance tests have definitely established a correlation between current noise and electrical performance of carbon film resistors. To interprete the normal distribution of the current noise index for representative groups of resistors would serve as a powerful tool in judging the Quality control and product uniformity by the manufacturer.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.6
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• pp.44-51
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• 1999

The electrical conduction mechanism of high dielectric $(Ba,Sr)TiO_3$ (BST) thin film capacitor, which is the promising cell capacitor for high density DRAM, was investigated in low field region (<0.2MV/cm). It is known that the current in the low field region consists of dielectric relaxation current and leakage current. The current-time (I-t) measurement technique under the constant voltage was used for extracting successfully each current component. The conduction mechanism of the BST capacitor was deduced from the dependency of the current on the measurement temperature, strength of electric field, the polarity of applied electric field and post annealing process. From these results, it was suggested that the dielectric relaxation current and the leakage current are originated from the redistribution of internally trapped electron by hopping process and Pool-Frenkel conduction mechanism, respectively. It was also concluded that traps causing these two current components are due to oxygen vacancies within the BST film.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.5
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• pp.17-17
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• 2001

고유전 (Ba, Sr)TiO₃ (BST) 박막을 이용한 DRAM storage capacitor의 저전계 영역에서의 전하손실을 발생시키는 커패시터의 누설전류는 유전완화전류와 진성 누설전류로 이루진다고 알려져 있다. 특히, 기가급 DRAM의 동작 전압(~IV)에서 유전완화전류가 진성 누설전류에 비해 훨씬 크기 때문에 이에 대한 심도 있는 연구가 필요하다. 본 연구에서는 thermally stimulated current (TSC) 측정법을 BST 박막에 처음으로 적용하여 트랩의 에너지 level 및 공정변화에 따른 트랩 밀도의 상대적 평가를 하였다. 그리고, 기존에 사용되던 전류-전압(I-V) 측정이나 전류-시간(I-t) 측정과 비교 및 분석함으로써 유전완화 전류의 원인을 규명하고 TSC 측정법의 신뢰성을 살펴보았다. 먼저 안정적인 TSC 측정을 위해 전계, 시간, 온도 및 승온속도에 따른 polarization condition을 알아보았다 이 조건을 이용한 TSC 측정으로부터 BST 박막에서의 트랩의 energy level이 0.20(±0.01) eV와 0.45(±0.02) eV임을 알 수 있었다. Rapid thermal annealing (RTA)을 이용한 후속 열처리에 따른 TSC 측정을 통하여 이 트랩들이 산소결핍(oxygen vacancy)에 기인함을 확인할 수 있었다. MIM BST 커패시터의 열처리에 대한 TSC 특성은 전류-전압(I-V) 및 전류-시간(I-t) 특성과 같은 경향성을 보인다. 이것은 TSC 측정이 BST 박막내의 트랩을 평가하는데 있어서 매우 효과적인 방법이라는 것을 보여준다.