• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2010.05a
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• pp.47.1-47.1
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• 2010

Mg합금은 모든 구조용 재료 중에서 비강도가 크며 가공성이 가장 우수하여 재료의 실제 적용시에 2차 가공비 측면에서 다른 경량재료에 비해 유리하다. 그래서 경량화를 필요로 하는 최근 산업체의 요구를 충족시킬 수 있는 재료이다. 그러나 마그네슘 합금의 적용이 매우 제한되는 이유는 결정구조가 hcp로서 냉간가공이 어렵고, 강화기구가 석출경화 및 고용강화로 제한되기 때문에 기계적 성질, 즉 강도와 연성이 모두 낮다. 특히 고온에서 기계적 성질이 급격히 저하되기 때문에 구조용 재료로써는 사용이 어렵다. 따라서, 본 연구에서는 고온에서 안정한 MgZn상과 항복강도를 향상시키는 Mg4Ag상의 석출을 보이는 Mg-Zn-Mn-Ag합금의 시효거동 및 미세조직 변화에 대해 검토하고자 하였다. 본 합금의 석출거동, 미세조직 및 경도 변화에 미치는 시효처리의 영향에 관한 연구를 수행하기 위해 Pandat Program을 이용해 열역학적 계산을 통한 상태도 해석 및 석출상을 예측 하였다. 계산된 결과는 DSC실험을 통해 비교 분석함으로써 신뢰성을 확보하였고 미세조직 및 석출상 분석을 위해 OM, SEM 그리고 XRD로 관찰하였다. 또한, 시효처리에 따른 기계적 특성을 분석하기 위해 상온 및 고온 인장시험을 하였고, 인장시험 후 파단면 분석을 통하여 재료의 파괴거동을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.481-481
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• 2013

Chemical bath deposition (CBD) 기술에 의해 slide glass 기판 위에 CdS 박막을 적층 형성하였다. 적층된 박막들은 CdCl2와 thiorea (H2NCSNH2)를 증류수와 혼합 시dipping의 온도 조건, pH 조건, 시간 및 횟수를 달리하여 균일한 표면이 형성되도록 하였다. 적층된 박막은 $200^{\circ}C$ 이상의 고온에서 annealing하여 결정화하였다. 적층한 박막은 결정화 요인들을 XRD, FE-SEM, AFM, EDX, UV-Vis spectroscopy를 통해 조사하였다. 형성된 박막은 포토레지스터로 활용될 가능성을 조사하였다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.36 no.6
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• pp.599-603
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• 1999

In an effort to improve the mechanical properties of the belite cement active belite cement clinker was synthesized. Properties of the clinker were characterized by a XRD, FT-IE optical microscopy and SEM. The additive effects of slag on the hydration properties were investigated by the measurement of compressive strength heat evolution and SEM. The experimental results exhibited that the 3wt% borax was effective in stabilizing $\alpha$'-C2S and the addition of 5wt% anhydrite and 40wt% slag wee effective in the hydration.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2010.05b
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• pp.1108-1111
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• 2010

고온 고압 조건하에서 합성된 나노 다이아몬드는 비평형의 고속 생성조건으로 인하여 특이한 물리화학적 구조와 광학적 특성을 나타내는 최근의 신물질이다. 본 연구에서는 본 XRD, EDS, FTIR, 라만 분광기, DSC, BET 및 AFM의 분석장치를 이용하여 폭발 및 산처리 나노 다이아몬드의 표면 특성을 조사하고자 한다.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.16 no.1
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• pp.91-106
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• 2003

XRD results on annealing studies of Na-feldspars (Amelia albite) show rapid changes in the lattice parameters of the $1073^{\circ}C$-heated samples owing to disordering of Al and Si as well as lattice distortions upon quenching of the heated specimens. While a low albite transformed to a high albite by 7-days annealing at $1073^{\circ}C$, it remains as an early intermediate albite even by 140-days annealing at $924^{\circ}C$ due to the slower Al-Si disordering rate. From the heated samples tweed structures of $100∼200\AA$ were typically observed by TEM, which showed different ways of development between the $1073^{\circ}C$ -heated one and the $923 ^{\circ}C$ -heated one. The former locally trans-farmed to rnicrostructures similar to albite twin, while the latter transformed to domain structures containing albite twin plane in the wider area. The origin of tweed structures is suggested to be formation of incipient twins (albite twin and pericline twin) to reduce the lattice instability which is increased by disordering of Al and Si as well as quenching.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.46 no.6
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• pp.1135-1141
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• 2008

The $La_{1-x}(Ca\;or\;Sr)xCrO_3$(x=0 and 0.25) interconnect materials for high temperature electrolysis of steam were investigated in views of sinterability and electrical conductivity. $LaCrO_3$, $La_{0.75}Ca_{0.25}CrO_3$ (LCC), and $La_{0.75}Sr_{0.25}CrO_3$ (LSC) powders were synthesized by coprecipitation method. Crystal structure was confirmed by X-ray diffraction (XRD). The sintering characteristics were analyzed by relative density and scanning electron microscopy. The electrical conductivity was measured by a DC four probe method. From the analyses of relative densities, it was found that the doped $LaCrO_3$ showed better sinterability than $LaCrO_3$ and the those sinterability increased with decrease of those particle sizes. The XRD results at different sintering temperatures for LCC and LSC revealed that the sinterability is closely related to the second phase transformation, that is, the second phase melting above $1,300^{\circ}C$ for LCC and $1,400^{\circ}C$ for LSC significantly promotes the sinterability. In case of electrical conductivities of LCC and LSC, which had a similar relative density, LCC showed better electrical conductivity than LSC.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.108-108
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• 1998

최근의 GaN에 관한 연구는 주로 MOCVD법과 MBE법이 이용되고 있으며 대부분 800¬1$\alpha$)()t 정도의 고옹에서 이루어지고 었다. 그러나 이러한 고온 성장은 GaN 성장 과청에서 질 소 vacancy를 생성시켜 광특성을 저하시키고 청색 발광충인 InGaN 화합물에 In의 유입울 어 렵게 하며 저온에서보다 탄소 오염이 증가하는 동의 문제캠을 가지고 있다. 이러한 고온 생장 의 문제점을 해결하기 위한 방법중의 한 가지로 제시되고 있는 것이 저온 성장법이다. 본 연구 에 사용된 RPE-UHVCVD법은 Nz률 rf plasma로 $\sigma$acking하여 공급함으로써 NI-h롤 질소원으 로 사용하는 고온 성장의 청우와는 다르게 온도에 크게 의존하지 고 질소원올 공급할 수 있 어 저옹 성장이 가능하였다. 기판으로는 a - Alz03($\alpha$)()1)를 사용하였고 3족원은 TEGa(triethylgallium)이며,5족원으로는 6 6-nine Nz gas를 rf plasma로 cracking하여 활성 질소원올 공급하였다 .. Nz plasma로 질화처리 를 한 sapphire 표면 위에 G따애 핵생성충을 성장 옹도(350 t, 375 t, 400 t)와 성장시간(30 분,50 분) 그리고 VIllI비(1$\alpha$)(), 2뼈)둥을 변화시키면서 성장시킨 후 GaN 에피택시충을 450 $^{\circ}C$에서 120 분 동안 성장시켰다 .. XPS(x-ray photoelectron spectroscopy), XRD(x-ray d diffraction), AFM(atomic force microscope)둥올 이용하여 표면의 조성 및 morphology 변화와 결정성을 관찰하였다. X XPS 분석 결과 질화처리를 한 sapphire 표면에는 AlN가 형성되었다는 것을 확인 할 수 있 었으며 질화처리를 한 후 G따J 핵생성충올 성장시킨 경우에 morphology 변화를 AFM으로 살 펴본 결과 표면에 facet shape의 island가 형성되었고 이러한 결파는 질화처리 과청이 facet s shape의 island 형성을 촉진시킨다는 것을 알 수 있었다. 핵생성충의 성장온도가 중가함에 따 라 island의 모양은 round shape에서 facet shape으로 변화하였다. 이러한 표면의 morphology 변화와 GaN 에피택시충의 결정성과의 관계를 살펴보면 GaN 에피택시충 표면의 rms(root m mean square) roughness가 중가하는 경 우 XRD (j -rocking curve의 FWHM(full width half m maximum) 값이 감소하는 것으로 나타났다. 이러한 현상은 결정성의 향상이 columnar 성장과 관계가 었다는 것올 알 수 있었다 .. columnar 성장은 결함의 밀도가 낮은 column의 형생과 G GaN 에피택시충의 웅력 제거로 인해 G값{의 결정성을 향상시킬 수 있는 것으로 생각된다. 톡 히 고온 성장의 경우와는 달리 rms roughness의 중가가 100-150 A청도로 명탄한 표면올 유 지하면서 결정성을 향상시킬 수 있었다. 본 실험에서는 핵생성충올 375 t에서 30 분 생장시킨 경우에 hexagonal 모양의 island로 columnar 성장을 하였고 GaN 에피태시충의 결정성도 가장 향상되었다 이상의 결과로부터 RPE-UHVCVD법용 이용한 GaN 저온 성장에서도 GaN의 결청성올 향 상시킬 수 있음융 확인할 수 있었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.21 no.6
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• pp.235-239
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• 2011

TiCrN layers (Ti : Cr = 20 : 80 and 5 : 95 wt%) were deposited on Inconel 617 and the effect of TiCrN coating on the high temperature stability of Inconel 617 up to $1000^{\circ}C$ was examined. XRD analysis and microstructural observation showed that vigorous and inhomogenous Cr diffusion to the surface was suppressed by TiCrN layer compare to the uncoated Inconel 617. This led to a distinctive enhancement in thermal oxidation resistance of Inconel 617.

• Journal of Energy Engineering
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• v.11 no.2
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• pp.136-141
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• 2002

Advanced zinc-based sorbents, ZA, for Hot Gas Desulfurization (HGD) process in Integrated Gasification Combined Cycle (IGCC) systems were formulated with $Al_2$O$_3$ as support to enhance the reactivity and their reactive characteristics was also investigated in this study. Changes in the physical and chemical properties of the sorbents based on both the mole ratios of ZnO/Al$_2$O$_3$ and the calcination temperatures were examined by a XRD. The results obtained in our desulfurization-regeneration cycle tests demonstrated that degradation of sorbents due to the heat generation could be improved through the optimization of the $Al_2$O$_3$ contents and of the calcination temperatures. From the durability study it is concluded that the prepared ZA sorbents with additives have the desirable features for HGD.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.10 no.3
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• pp.241-245
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• 2000

Thick GaN films were grown on (0001) sapphire substrates using the direct reaction gallium and ammonia. The GaN films grew dominantly along [0002] direction, but included the growth of GaN(1010) planeq with V-shaped facetted surfaces at low temperature. With increasing growth temperature, however, the growth of GaN (1010) and (1011) planes was appeared from the films, which gives rise to the growth of hexagonal crystal with pyramid-shaped surface. The growth rate of GaN films increased with increasing growth temperature, but decreased at $1270^{\circ}C$ because the GaN films began to decompose into Ga and N at the temperature. It seemed that the crystal and optical qualities of the GaN films improve with increasing $NH_3$ flow rate. From X-ray diffraction (XRD) and photoluminescence (PL) measurements, it was observed that the yellow luminescence (YL) appeared to be significant as the peak intensity of (1010) plane of XRD spectra increased.