기원전 27세기경, 고대 이집트의 피라미드건설을 위해 앗시리아 지방에서 나일강변으로 이주한 기술자들의 집합주택에는 거의 환기구가 설치되어 있었다는 기록이 있다. 이 환기방법은 실내와 실외의 기온차에 의한 공기의 부력을 이용한 중력환기로 생각된다. 중력환기는 지금도 주물공장 등의 고온, 발열을 수반하는 작업장에서 적용되고 있으며, 이와 같이 자연력을 이용한 환기를 자연환기라 부른다.
생강 재배지 토양의 물리 화학적 특성 변화, 생강의 양분 흡수 관계, 생강의 생육 변화를 조사하였다. 시험 전 토양과 생강 수확 후 토양 특성을 비교하면, 시험 전 토양의 전질소 함량은 $0.04{\sim}0.13g\;kg^{-1}$, 치환성 K는 $1.88{\sim}2.80cmol_c\;kg^{-1}$, 치환성 Mg는 $0.41{\sim}0.55cmol_c\;kg^{-1}$, 수확 후 토양의 전질소 함량은 $0.31{\sim}0.95g\;kg^{-1}$, 치환성 K는 $0.47{\sim}1.37cmol_c\;kg^{-1}$, 치환성 Mg는 $1.07{\sim}1.97cmol_c\;kg^{-1}$로서 전질소 함량과 치환성 Mg의 함량은 증가하였고, 치환성 K의 함량은 감소하였다. 식물 양분 중 K, Ca, Zn, Cu의 흡수량이 지상부에서, 망간의 흡수량은 지하부에서 높은 함량을 보였으며, K의 흡수량은 지상부에서 $63.9{\sim}72.3g\;kg^{-1}$, 지하부에서 $27.6{\sim}37.3g\;kg^{-1}$로서 특히 높은 함량을 보였다. 생강 중 K의 높은 흡수량으로 인하여 토양 중 치환성 K의 함량이 수확 후 감소한 것으로 보인다. 생강의 뿌리썩음병은 저지대 및 식양토에서 높은 병발생률을 보였는데, 저지대로의 수분이동과 저지대의 배수 취약성이 병발생을 증가시키고, 토양수분 보유력이 높은 식양토 또한 병발생 증가에 영향을 준 것으로 생각된다. 뿌리썩음병 발생률은 낮게는 26.7%에서, 높게는 88.1%로 나타났는데, 생강 성숙기인 8월과 9월의 고온다습한 기후 조건도 높은 뿌리썩음병 발생의 원인으로 보인다. 생강 뿌리썩음병은 토양의 토성 및 지형 조건에 따른 토양수분의 증가, 고온다습한 기후 조건 등에 따라 발생률이 증가되는 것으로 판단된다. 따라서, 생강 재배지 선정시 지대의 경사, 토성, 배수 system 등이 고려되어야 할 것이다.
어육연제품은 최근 그 생산량이 급증하고 있으나 AF-2 등 식품방부제의 사용이 전면 금지됨에 따라 재래식 방법으로 만든 어묵은 유통상 상당한 어려움을 겪고 있다. 이를 결정하기 위한 방안의 하나로 영양적 및 관능적인 품질의 저하를 최소화하되 저장 수명이 길면서 상온유통이 가능한 제품생산을 위한 고온열처리조건을 밝히고자 하였다. 즉 열처리시간은 $F_o$-값 6을 기준으로 하고 레토르트파우치 튀김어묵의 크기와 열처리온도를 달리 하였을 때의 품질을 검토하였다. 젤리강도와 경도는 열처리온도가 높을수록 컸으며 보수력과 강성은 차이가 없었다. 젤리강도, 경도, 명도 및 in vitro 단백질소화율은 전 제품에서 모두 직경이 12mm인 것을 $124^{\circ}C$에서 ?처리한 것이 가장 좋았다. 그러나 관능검사 결과는 $124^{\circ}C$에서 열처리 16mm의 것이 12mm의 그것보다 더 높은 점수를 나타내었다. 저장 40일까지 전 제품의 젤리강도는 증가하였다. 그러나 70일 저장하였을 때는 직경이 12mm인 것만 증가하고 23mm 이상의 것들은 대체로 크게 감소하였다. 저장중 직경이 23mm 이상의 제품은 약간씩 그리고 직경이 16mm 이상인 것은 크게 그 경도가 증가하였다. 전 제품에서 16mm 이상인 것은 크게 그 경도가 증가하였다. 전 제품에서 보수력, 강성 그리고 색조는 전 저장기간을 통하여 큰 변화가 없었다. 이상의 결과로 레토르트파우치 튀김어묵을 제조할 때 직경이 16mm 혹은 그 이상의 것은 고온단시간열처리로 품질저하를 최소화할 수 있다는 결론을 얻었다.
본 연구는 고온고습 시험을 통하여 Cell 레벨에서의 표면관찰 및 효율저하를 분석하였다. 고온고습 시험조건은 KS C IEC-61215에서 제시한 PV 모듈하의 조건을 이용하여 온도 $85^{\circ}C$, 습도 85%, 1000hr 동안 수행하였다. EL(Electroluminescence)촬영을 통하여 Cell 표면의 이상 유 무를 분석한 결과, 시간이 경과함에 따라, 부분적으로 표면이 손상되어 변색되는 것을 확인하였다. 고온고습 시험 전 단결정 Cell 및 다결정 Cell의 효율은 각각 17.7%, 15.5%였으며, 1000hr 수행 후 15.6%, 14.0%로 각각 11.9%와 9.3%의 감소율을 보였다. 또한, 경년 시 나타나는 전기적 특성을 분석하기 위하여 FF(Fill Factor)값을 분석한 결과, 고온고습 시험 후 단결정 Cell은 78.7%에서 75.0%로 4.7%, 다결정 Cell은 78.1%에서 76.7%로 1.8%의 감소율을 보였다. 태양전지 실리콘의 원자배열 및 순도에 따라 효율 변화에 영향을 받아 단결정 Cell이 다결정 Cell보다 효율저하가 크게 나타났다고 판단된다. 또한, FF감소율보다 효율 감소율이 크게 저하된 것을 확인할 수 있었으며, 이는 Cell의 외부환경적 요인에 의한 표면 손상이 p-n접합층 접촉저항과 경년 시 나타나는 FF 감소율보다 크게 영향을 준 것으로 판단된다.
차세대 플렉시블 디스플레이 소재로서, 탄소나노뷰브(CNT) 기반의 투명전도막은 기존의 ITO 박막보다 우수한 유연성을 갖기 때문에 많은 관심을 모으고 있다. 특히 낮은 저항과 투과도를 유지하면서 투명 전도막의 내구성을 향상시키는 연구는 상업화에 가장 필요한 연구 분야이다. 본 연구에서는 다층벽 탄소나노튜브(MWCNT)를 이용하여 제작된 투명 전도막의 내구성을 개선하기 위하여 오버 코팅을 통한 물성 개선을 연구하였다. 투명전도막은 PET기판 위에 스프레이 방식을 이용하여 균일하게 코팅하였다. 오버 코팅 물질로는 실리콘계 유무기하이브리드 투명하드 코팅을 적용하였다. 연구결과 오버 코팅층과 CNT 코팅층과의 젖음성이 물성 향상에 가장 많은 영향을 끼치는 것을 관찰하였고, 특히 젖음성이 증가할수록 투과도와 전기전도도가 향상되는 것을 확인하였다. 또한 고온 고습 환경에서 240시간 이상 내구성 테스트 결과, 저항률 변화가 1.1 이하인 것을 확인하였다.
차세대 태양전지로써 플렉서블 태양전지에 대한 연구가 활발하다. CIS 박막태양전지의 경우도 Glass base 태양전지 시스템 연구와 더불어 금속과 플라스틱 등 연성 기판재를 이용한 전지 시스템에 관한 연구가 진행 되고 있다. 그러나 태양전지의 핵심 부자재라고 할 수 있는 기판재에 대한 체계적인 연구는 미흡한 실정이다. 특히 플렉서블 박막태양전지용 기판재와 그 위에 적층되어 태양전지를 구성하는 박막 소재의 열팽창 거동들 사이에 차이가 있어 태양전지 시스템에 결함을 야기할 수 있다. 본 연구에서는 플렉서블 태양전지용으로 적용되거나 연구되고 있는 SUS 300 계열과 SUS 400번 계열을 중심으로 철계 연성 기판재의 열팽창 거동을 비교 분석하였다. 그리고 CIS 박막태양전지 제조 공정인 고온 박막 생성 공정의 열분석을 통해 기판재의 성능을 평가 하였다.
액상실리콘으로 이루어진 초고압전력케이블용 프리몰드 접속재의 반도전-절연체 계면접합체를 다양한 제조조건과 조합별로 제조하여 계면접착력에 대한 영향을 검토하였다. 후가교적용 시 계면접착력이 강화되며 grade조합에 따른 특성차이가 존재하였다. 하지만 고온 장시간의 후가교 조건에서는 계면간의 화학적 결합력의 저하로 인해 오히려 접착력이 낮아지기도 하였다. 절연 RTV와의 계면접착성은 S-1재료가, 절연 LSR의 경우에는 S-3 재료가 가장 우수하였으며 도전안정성 측면에서도 S-3 재료가 상대적으로 유리하였다. 매입형 전극체를 제조하여 절연파괴거동을 연구한 결과 계면접착성과의 직접적인 상관관계는 크지 않음을 알 수 있었다.
최근 10여년 사이에 III-nitride 화합물 반도체가 전 세계적으로 주목을 받고 있다. 이는 질화물의 조성에 따라 자외선 영역에서 가시 광선의 전 파장, 측 자색에서 적색 영역대의 광소자 및 고온 고출력 전자소자에 쓰일 수 있기 때문이다. 지금까지 고휘도의 청색, 녹색 LED(Light Emitting Diode)는 상용화되어 있어, UC LD(Ultra-Violet Laser Diode)는 10,000 시간 상온 연속 발진에 성공하여 상용화의 단계에 이르고 있다. 그러나 많은 연구 투입에 비례하여 얻어지는 결과물의 효율은 그리 높지 않은 분야로 LED를 수준 급으로 상용화하는 곳은 세계에서 5개정도로 국한되면, 그 기술이 전파됨이 그리 쉽지 않다. LD(laser Diode)의 경우 상용화 초기 단계로 보편적 신뢰성을 확보하기까지는 또 다른 breakthrough 확보가 필요하며, 궁극적인 기술 전개는 기판을 해결하는 것에서 올 수 있다. 본 논문에서는 이러한 III-nitride 반도체 소자 개발을 가능하게 한 MOCVD(Metaloganic Chemical Vapor Deposition) 결정 성장 방법과, 기존에 사용화 되어 있는 LED 소자 특성 및 국내외 개발 동향 및 향후 발전 방향을 소개하고자 한다.
본 실험은 고온증기세척수의 분무가 돼지도체 표면 미생물수의 감소와 돈육품질에 미치는 영향에 대해 알아보고자 실시하였다. 처리전과 비교하여 처리후 복강쪽 및 체외표면에서 표면 미생물수는 감소하며, 분무온도가 증가할수록 총균수의 차이를 보여준다(P<0.05). 그러나 80℃ 이상의 온도 즉, 90℃의 고온증기 세척시 80℃의 분무온도와 비교하여 미생물수 감소 효과를 보이지 않은 것으로 미루어(P>0.05) 고온증기 세척수의 분무 온도는 80℃가 적당할 것으로 판단된다. 고온증기 세척수의 처리시간별 돼지도체 표면 미생물수의 변화는, 처리전과 비교하여 처리후 미생물수는 감소하였다(P<0.05). 그러나 복강쪽 및 체외표면 모두 20초의 분무시간에 비해 30초 및 60초 처리시 총균수 변화에 차이를 나타내지 않아 20초 세척시간이 효과적인 것으로 판단된다. 고온증기 세척수의 분무온도가 돈육질에 미치는 영향을 구명하기 위한 육질평가에서 80℃ 이상의 온도에서 등심과 뒷다리 모두 높은 명도 값이 나타났다(P<0.05). 근육의 pH와 보수력은 온도가 증가할수록 감소하며, 특히, pH와 근장단백질용해성은 80℃ 이상의 온도에서 유의적인(P<0.05)으로 낮게 나타나, 70℃의 고온증기 처리시 돈육질에 부정적인 영향을 미치지 않을 것으로 판단된다. 또한 세척시간에 따른 육색의 변화에서 등심과 뒷다리 모두 세척시간이 증가할수록 명도 값은 증가하며, 30초의 증기처리 이후 명도와 적색도에서 유의적인(P<0.05) 차이를 보여 빠른 pH 감소의 원인으로 돈육의 보수력이 나빠지는 것으로 나타났다. 따라서 70℃의 증기온도와 20초의 처리시간이 돼지도체 표면 미생물수를 감소시키며 돈육질에 부정적인 영향을 미치지 않는 최적 조건이라 판단된다.
한국, 일본을 비롯하여 아시아 대륙에 널리 분포하는 톱다리개미허리노린재 (Riptortus pedestris (Fabricius)) (Hemiptera: Alydidae)는 겨울에 성충으로 휴면한다. 2006년 10월~11월 사이에 야외에서 월동 중인 암컷 성충을 대상으로 휴면종료에 미치는 온도와 일장 및 그 처리기간의 영향을 연구하였다. 암컷을 해부하여 난소 발육 정도를 기준으로 휴면 종료 여부를 판정하였다. 처리 방법은 (1) 고온장일: $25^{\circ}C$, 14L:10D 조건에 1, 2, 3주 또는 30일간 처리, (2) 고온단일: $25^{\circ}C$, 10L:14D 조건에 1, 2, 3주 처리, (3) 저온장일: $8^{\circ}C$, 14L:10D에 1, 2, 3주 처리 후 고온장일에 3주간 처리, (4) 저온단일: $8^{\circ}C$, 10L:14D에 1, 2, 3 주간 처리 후 고온장일에 3주간 처리이었다. 고온단일처리는 난소발육에 영향을 미치지 않았고, 결과적으로 포란수나 휴면종료율이 무처리(실험 전의 성충)와 차이가 없었다. 그러나 고온장일처리는 고온단일처리보다 휴면종료 비율이 높았다. 고온 장일에 14일 이상 처리하면 휴면종료 암컷의 비율이 증가하고 난소발육이 촉진되었으며, 난소 내의 성숙난의 수도 증가하였다. 고온장일이나 고온단일 처리와 비교하였을 때, 저온장일이나 저온단일 처리 후 고온장일 처리는 난소발육을 촉진하였고 산란 성충수가 증가하였다. 저온단일에 일주일 간 전처리가 산란수 증가에 충분하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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