• 제목/요약/키워드: 고온스트레스

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브로콜리(Brassica oleracea var. italica)의 온도 스트레스 평가를 위한 다중 센서 모니터링 (Multi-sensor monitoring for temperature stress evaluation of broccoli (Brassica oleracea var. italica))

  • 차승주;박현준;이주경;권선주;지효경;백현;김한나;박진희
    • Journal of Applied Biological Chemistry
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    • 제63권4호
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    • pp.347-355
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    • 2020
  • 기상이변으로 인한 식물 스트레스를 평가하기 위해 토양과 식물에 적용할 수 있는 여러 센서가 개발되었다. 따라서 본 연구의 목적은 식물의 온도 스트레스를 평가하기 위해 다양한 센서를 사용하여 기후 및 토양 상태와 식물 반응을 모니터링하는 것이다. 식물 반응을 평가하기 위한 식물 센서로 식물 줄기의 전기전도도, sap flow rate를 모니터링하였다. 식물 줄기의 전기전도도는 물과 이온 수송을 포함한 식물의 생리적 활성을 반영한다. 완전히 자란 Brassica oleracea var. italica를 온도 20/15 ℃ (낮/밤), 16시간 광주기로 하여 대조구로 설정하였으며 저온 15/10 ℃ 및 고온 35/30 ℃에 노출시키면서 토양 및 식물 상태를 모니터링하였다. 식물 줄기의 전기전도도, sap flow rate는 낮에는 증가하고 밤에는 감소하였다. 저온 스트레스 하에서 Brassica oleracea var. italica 줄기의 전기전도도는 대조구보다 낮았고, 고온 스트레스 하에서는 대조구보다 높아 물과 이온 수송이 온도에 의해 영향을 받았음을 나타낸다. 그러나 엽록소 a와 b 함량은 저온 스트레스를 받은 잎에서 증가했고 고온 스트레스를 받은 잎에서는 대조구와 차이가 없었다. 잎의 프롤린 함량은 저온 스트레스에서는 대조구와 차이가 없는 반면, 고온 스트레스에서는 증가했다. 프롤린 합성은 환경 스트레스 하에서 식물의 방어 메커니즘으로 작용한다. 따라서 Brassica oleracea var. Italica는 저온보다 고온 스트레스에 더 민감한 것으로 판단된다.

하절기 착유우 생산성 저하 방지를 위한 사양관리[하]

  • 이도형
    • 월간피드저널
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    • 제2권7호통권11호
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    • pp.96-99
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    • 2004
  • 고온 스트레스를 받고 있는 상황에서 사료 배합비를 조절하거나 급여 방식을 조절하는 것은 젖소에게 고온 스트레스를 극복하는데 도움을 줄 수 있다. 사료배합의 조절은 기온이 올라가기 전에 미리 천천히 조절하여 젖소의 사료섭취량이 줄어드는 것을 막도록 해야한다.<중략>

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하절기 고온스트레스에 따른 생산성 저하 방지를 위한 착유우 사양관리(상)

  • 이도형
    • 월간피드저널
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    • 제2권6호통권10호
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    • pp.92-95
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    • 2004
  • 푸르른 실록의 5월이 지나 6월에 접어들면 우리나라의 경우 더위의 시작과 장마가 찾아오는 시기로 접어든다. 덥고 습윤한 환경은 우리 인간 뿐만 아니라 가축에게도 스트레스를 주고 생산성 저하를 유발시키고 경제적인 손실을 준다. 특히 착유우에 있어 덥고 다습한 환경은 체유지와 유생산을 위한 영양소의 섭취를 저해시키는 요인으로 작용하고 있다. (중략)

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단일 수직형 그레인 경계 (Single Perpendicular Grain Boundary) 구조를 가지는 고성능 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(Poly-Si TFT)에서의 고온 캐리어 스트레스(Hot Carrier Stress) 및 정전류 스트레스(Constant Current Stress) 효과 (Effects of Hot-Carrier Stress and Constant Current Stress on the Constant Performance Poly-Si TFT with a Single Perpendicular Grain Boundary)

  • 최성환;송인혁;신희선;한민구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.50-52
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    • 2006
  • 본 논문은 고성능 다결정 실리콘(Poly-Si) 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor)에서 단일 수직 그레인 경계(Single Perpendlcular Grain Boundary)가 고온 캐리어 스트레스(Hot Carrier Stress) 및 정전류 안정성 평가에서 어떠한 효과를 보이는가에 대해서 살펴보았다. 고온 캐리어 스트레스 하에서($V_G=V_{TH}+1V,\;V_D$ =12V),그레이 경계가 없는 다결정 실리콘 TFT와 비교했을 때 그레인 경계를 가지고 있는 다결정 실리를 TFT는 전기 전도(Electric Conduction)에 작용하는 자유 캐리어(Free Carrier)의 개수가 적기 때문에 상대적으로 더욱 우수한 전기적 특성을 나타낸다. 먼저 1000초 동안 고온 캐리어 스트레스를 가해준 결과 단일 그레인 경계를 가진 다결정 실리콘에서의 트랜스 컨덕턴스(Transconductance)의 이동 정도는 5% 미만으로 확인되었다. 반면에 같은 스트레스 조건 하에서 그레인 경계가 존재하지 않는 다결정 실리콘의 경우에는 그 이동 정도가 약 25%에 달하는 것으로 측정되었다. 다음으로 정전류 스트레스(Constant Current Stress) 인가시, 수직형 그레인 경계가 채널 영역 내에 존재하지 않는 다결정 실리콘 TFT는 드레인 접합 부분의 전계 세기를 비교했을 때, 그레인 경계를 가지고 있는 다결정 실리콘 TFT보다 상대적으로 낮은 원 인 때문에 적게 열화되는(Degraded) 특성을 확인할 수 있었다.

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