Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2003.11a
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pp.76-79
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2003
본 실험에서는 $S0.7wt\%Cu,\;Sn3.8wt\%Ag0.7wt\%Cu$ solder와 금속층으로서의 좋은 특성을 가지고 있지만 아직 연구 보고 된 적 없는 Pt층과의 리플로 반응에 의해 형성되는 계면금속간화합물의 상 분석을 시도 하였다 또한 솔더내 Cu함량에 따른 계면금속간화합물의 변화에 대하여 연구하기 위해 $Sn1.7wt\%Cu$솔더와 Pt층의 계면반응 현상에 대한 연구도 수행하였다. $Sn0.7(1.7)wt\%Cu$솔더는 순수한 Sn과 Cu를 이용하여 중량비로 제조하였고, $Sn3.8wt\%Ag0.7wt\%Cu$솔더는 솔더페이스트를 사용하였다. 분석은 SEM, EDS, XRD를 이용하였다. 분석 결과 세 가지 무연솔더 모두에서 $PtSn_4$가 계면 금속간화합물로 존재함을 발견하였으며 $1.7wt\%Cu$를 포함한 솔더와 Pt와의 반응에서는 고용도 이상으로 첨가된 Cu에 의해 솔더 내부에 조대한 형상의 $Cu_6Sn_5$가 존재함을 SEM 및 EDS분석을 통하여 발견 하였다.
The effect of interface reaction between Mn-Zn ferrite single crystal and 61 SiO$_2$-23Pbo-6ZnO-8Na$_2$O-2K$_2$O (mol%) glass on the magnetic properties of the ferrite was investigated. After the reaction, the hump of Zn concentration appeared at the ferrite adjacent to the interface. The initial permeability of the ferrite bonded with the glass at 700 $^{\circ}C$ was 1766 at 100 KHz and reduced to 907 after reaction at 1000$^{\circ}C$. The permeability degradation with increasing reaction temperature was considered to be attributed not only to the sixe diminution of the ferrite due to the its dissolution into the glass but also to the residual stress due to the difference in expansion coefficient between the ferrite and the diffusion layer-the region of the hump of Zn concentration-adjacent to the interface.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.19
no.1
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pp.67-73
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2012
After flash memory card(FMC) was manufactured by $B^2it$ process, interfacial reaction of silver bump with thermal stress was studied. To investigate bonding reliability of Ag bump, thermal shock and thermal stress tests were conducted and then examined on the crack between Cu land and Ag bump interface. Diffusion reaction of Ag bump/Cu land interface was analyzed using SEM, EDS and FIB. The Ag-Cu alloy layer due to the interfacial reaction was formed at the Ag/Cu interface. As the diffusivity of Ag ${\rightarrow}$ Cu is faster than Cu ${\rightarrow}$ Ag, a lot of (Cu, Ag) alloy layers were observed at the Cu layer than Ag. These alloy layers contributed to increase the Cu-Ag bonding strength and its reliability.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.12
no.1
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pp.93-99
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1995
As the surfactants that were used in micellar reaction, emulsion polymerization and phase-transfer reaction etc. have the problems, the cleavable surfactant that was converted to inactive compound after such as the reaction was synthesized to above 90% yield. And this surfactant and intermediates were separated through thin layer chromatography and column chromatatography and their molecular structures were confirmed from IR. $^{1}H$-NMR and elementary analysis spectra. And its surface-active properties and acid hydrolysis will be serialized in II.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2003.11a
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pp.128-132
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2003
무전해 Ni-P UBM과 3가지 경우의 무연 솔더간의 계면연구를 통해 Bi가 솔더의 합금원소로 들어감에 따라 계면반응에 어떠한 영향을 줄 수 있는 가를 연구했다. 3가지 다른 무연 솔더는 Bi가 각각 $0wt\%,\;4.8wt\%,\;58wt\%$들어간 Sn3.5Ag, Sn3.5Ag4.8Bi, Sn58Bi 이다. reflow를 수행한 후에 세 가지 솔더에서 나타나는 계면에서의 IMC는 $Ni_3Sn_4$로서 어떤 다른 솔더도 Bi를 함유한 IMC가 계면에선 관찰되지 않았다. 다만 SnAgBi 솔더의 경우 특이하게 솔더내에서 침상의 $Ni_3Sn_4$가 reflow후에 관찰되었다. 또한 반응속도의 척도가 되는 Ni-P UBM소모속도를 비교해 보면 reflow후의 SnAg와 SnAgBi의 경우에는 비슷하나 SnBi의 경우에는 알서 두 솔더에 비해 눈에 띠게 느림을 관찰하였다. 이러한 Ni-P UBM의 소모경향을 Bi의 함량, 그에 따른 Sn의 상대적인 함량의 관점에서 고찰하고자 한다.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2003.11a
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pp.265-269
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2003
Sn(또는 SnAg)/Ni(P)와 Sn/Cu 계의 열사이클동안 형성되는 금속간화합물에 의해 유기되는 응력의 변화를 in-situ로 관찰하였다. Sn(또는 SnAg)/Ni(11.7P) 박막은 계면반응으로 인해 $Ni_3P$와 $Ni_3Sn_4$ 상이 형성되고 이때 인장응력이 발생하였으며, 한편, Sn(또는 SnAg)/Ni(3P) 박막의 계면반응에 의해서는 동일한 $Ni_3P$와 $Ni_3Sn_4$ 상이 형성됨에도 불구하고 압축응력이 발생하였다. SmAg를 사용할 때 형성되는 $Ag_3Sn$이 응력에 미치는 영향은 거의 없었다. Sn/Cu 박막의 경우는 계면반응 초기에는 인장응력이 발생하였고 어느 정도 이상 반응이 진전됨에 따라 압축응력이 발생하였고 최종적으로 $Cu_3Sn$ 상이 형성되었다. 초기의 인장응력은 계면에서 원자들의 intermixing 베 의한 것이고 압축응력은 Sn 방향으로 일방향 성장하는 금속간화합물 형성에 기인한다.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.34
no.1
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pp.66-82
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2017
Organosilicone-based surfactants consist of hydrophobic organosilicone groups coupled to hydrophilic polar groups. Organosilicone surfactants have been widely used in many industrial fields starting from polyurethane foam to construction materials, cosmetics, paints & inks, agrochemicals, etc., because of their low surface tension, lubricity, spreading, water repellency and thermal and chemical stability, resulted from the unique properties of organosilicone. Especially, trisiloxane surfactants, having low molecular weight organosilicone as hydrophobe, exhibit low surface tension and excellent wettability and spreadability, leading to their applications as super wetter/super spreader, but have the disadvantage of vulnerability to hydrolysis. A variety of trisiloxane surfactant structures are required to provide the functional improvement and the defect resolution for reflecting the necessities in the various applications. This review covers the synthetic schemes of reactive trisiloxanes as hydrophobic siloxane backbones, the main reaction schemes, such as hydrosilylation reaction, for coupling reactive trisiloxanes to hydrophilic groups, and the synthetic schemes of the main trisiloxane surfactants including polyether-, carbohydrate-, gemini-, bolaform-, double trisiloxane-type surfactants.
A chemical reaction and electronic structure change at the interface between copper and titanium nitride were investigated by XPS. A thin Cu layer was deposited on a TiN substrate oxidized by exposure to air at room temperature. We observed the Ti(2p), O(1s), N(1s), Cu(2p) core-level, and Cu LMM Auger line spectra. With increasing of the thickness of Cu layer, these spectra do not show any changes in the line shape as well as in peak position. In addition, the valence band spectra in XPS do not show any changes, which indicates that Cu does not react with Ti, N, and O. This inreactivity of Cu might cause a poor adhesion between Cu and TiN.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.17
no.1
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pp.1-7
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2010
Interfacial reaction characteristics of a Bi-10Cu-20Sb-0.3Ni Pb-free alloy on Cu pad was investigated by reflow soldering at $430^{\circ}C$. The thickness of interfacial reaction layers with respect to the soldering time was also measured. After the reflow soldering, it was observed that a $(Cu,Ni)_2Sb$, a $Cu_4Sb$ intermetallic layer, and a haze layer, which is consisted of Bi and $Cu_4Sb$ phases, were successively formed at the Bi-10Cu-20Sb-0.3Ni/Cu interface. The total thickness of the reaction layers was found to be linearly increased with increasing of the reflow soldering time up to 120 s. As the added Ni element did not participate in the formation of the thickest $Cu_4Sb$ interfacial layer, suppression of the interfacial growth was not observed.
The interfacial reaction and joint properties of Sn-3.5Ag/Cu and Sn-3.5Ag-1Zn/Cu joint were studied. Modified double lap shear solder joints of Sn-3.5Ag and Sn-3.5Ag- lZn solder were aged for 60days at $100^{\circ}C$ and $150^{\circ}C$ and then loaded to failure in shear. The Sn-3.5Ag/Cu had a fast growth rate of the reaction layer in comparison with the Sn-3.5Ag-lZn at the aging temperature of $150^{\circ}C$ Through the SEM/EDS analysis of solder joint, it was proved that intermatallic layer was $Cu_{6}Sn_5$ phase and aged specimens showed that intermatallic layer grew in proportion to $t_{1/2}$, and the precipitate of $Ag_3Sn$ occur to both inner layer and interface of layer and solder. In case of Zn-containing composite solder, $Cu_{6}Sn_{5}$ phase formed at the side of substrate and $Cu_{5}Zn_{8}$ phase formed at the other side in double layer. The shear strength of the Sn-3.5Ag/Cu joint improved by addition of IZn. The strength of the joint increases with strain rate and decreases with aging temperature
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[게시일 2004년 10월 1일]
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