• 한국세라믹학회지
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• 제36권1호
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• pp.36-42
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• 1999

2단계 열탄소환원법으로 탄화규소 휘스커를 기상-고상, 2단계, 기상-액상-고상 성장기구로 각각 합성하였다. 그리고 휘스커에 있는 적층결합을 X-ray와 투과전자현미경을 이용하여 분석하였다. 탄화규소 휘스커에 있는 적층결함은 휘스커의 지름과 상관관계가 있는 것으로 나타났다. 즉, 기상-고상, 2단계 성장, 기상-액상-고상 성장기구에 상관없이 지름이 1$\mu\textrm{m}$이하로 작아지는 경우 적층결합이 많아지고, 기상-액상-고상 기구로 성장한 지름이 2$\mu\textrm{m}$보다 큰 경우 적층결함이 거의 없는 것으로 나타났다. 이같은 현상은 휘스커 지름이 작아짐에 따라 휘스커의 비표면적이 증가하는 때문인 것으로 판단되었다.

• 한국재료학회지
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• 제6권12호
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• pp.1270-1278
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• 1996

고진공하에서 벽개된 GaAs를 대기중 노출시킨후, 결합상태 및 조성의 변화를 정량적으로 연구하여 Ga의 우선적 산화경향 및 결합의 붕괴에 기인한 원소상태 Ga 및 As의 생성을 관찰하였다. 대기중 노출시, 초기 Ga/As 비(=0.01)는 Ga의 우선적 산화에 의해 증가하였으며 원소상태 As의 증가와 더불어 일정값(=1.25)으로 유지되었다. 습식세정된 GaAs와 유황처리된 (S-passivated)GaAs를 각각 대기중에 노출시켜, 각각의 표면상태 변화를 비교, 관찰하였다. 유황처리된 GaAs는 습식세정처리만한 GaAs에 비해 산화막 성장이 크게 억제되었고, 이는 (NH4)2Sx 용액 처리로 형성된 Ga-S 및 As-S 겹합의 표면보호 효과에 기인한 것이다. 특히 대기중 노출에 따른 유황처리된 GaAs 표면조성 및 결합상태 변화의 정량적 관찰을 통하여, 유황보호막(S-passivation layer) 및 GaAs 표면과 대기중 산소와의 반응 기구를 규명할 수 있었다. 대기중 노출에 따라, 표면의 Ga-S 및 As-S 결합은 대기중 산소와 반응하여 점차 붕괴, 감소하는 경향을 나타냈으며, 이와 동시에 unpassivated 상태의 GaAs가 산소와 반응하여 Ga-O 결합을 형성함을 관찰할 수 있었다. 본 연구에서는 X-선 광전자 분광기를 사용하여 GaAs 표면 조성 및 결합상태의 변화를 관찰하였다.

• 한국해양공학회지
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• 제8권2호
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• pp.105-114
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• 1994

초경합금은 기계적 성질이 다른 WC의 분상상과 Co의 결합상으로 구성되어 있다. 만일 이합금이 거시적으로 균일하게 변형을 하면, 각 상들은 이들의 응력상태에 따라 다르게 변형될 것이다. 따라서 WC-Co 합금의 변형특성과 강화기구를 명확히 알기 위해서는 각상의 미시적 변형과 파괴기구를 검토할 필요가 있다. 본 연구에서는 시편에 굽힘하중을 가하여, X선 회절로 분산상인 WC상 및 결합상인 Co상의 X선적 탄성정수와 응력정수를 측정하였다. WC-Co합금중의 WC상과 Co상의 상응력은 WC(112)면과 CO(311)면의 회절로서 결정하였다. 그리고 이 상응력들을 복합법칙의 적용가능성에 대하여 검토하였다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제20권6호
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• pp.28-36
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• 2006

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.141.1-141
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• 2003

• TTA 저널
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• 통권71호
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• pp.37-39
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• 2000

최근 글로벌 표준화의 커다란 흐름을 한마디로 말한다면 표준화협력으로 대변될 수 있다. 왜냐하면 대부분의 표준화 대상들이 유무선 복합 시스템이며 하드웨어, 소프트웨어가 결합된 초고속 멀티기능, 멀티서비스형 표준화들이며 때로는 주파수 스펙트럼 할당 등 규제부문까지 연계 되어 있어 표준화내용 및 세부 대상들이 매우 다양하고 복잡한 실정이고, 이러한 대상들은 특정 표준화기구에서 전부 다루기는 매우 어려운 실정이다. 따라서 ITU 등 주요 국제표준화기구를 중심으로 해당 분야별로 표준화협력 및 연계활동이 활발히 전개되고 있고 그 중 가장 좋은 예는 IMT-2000 표준화를 꼽을 수 있다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2001년도 춘계학술발표논문집 (상)
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• pp.283-286
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• 2001

코바는 현재 널리 통용되는 미들웨어 플랫폼으로서 이동통신의 발달에 따라 무선환경에서 PDA나 랩톱과 같은 이동 터미널 대해 코바 서비스를 제공하는 것이 요구되었다. CORBA 표준화 기구인 OMG(Object Management Group)는 그 산하 여러 기구에 무선환경에서 코바를 확장하기 위한 요청을 했으나 아직도 표준화가 이루어지지 않고 있다. 따라서 이 논문에서는 코바 표준들과 모바일 환경에서 서비스를 제공하기 위한 접근들 중의 하나인 WAP 프레임워크를 결합해서 무선 모바일 환경에서 분산 어플리케이션을 위한 효과적인 미들웨어 플랫폼을 구축하기 위한 방안을 논하고자 한다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제36권6호
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• pp.477-482
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• 2011

연구목적: 이 연구는 서로 다른 버로 형성한 법랑질 표면에 대한 자가부식 프라이머 접착제의 결합강도를 상호 비교함으로써 법랑질에 우수한 접착 표면을 제공하는 적절한 버를 알아보기 위해 시행하였다. 연구 재료 및 방법: 42개의 발거된 대구치 치관의 법랑질을 이용하였고, 법랑질을 삭제하는 기구의 종류에 따라 6개군, 즉 1군은 Coarse (125 - 150 ${\mu}m$) diamond bur; 2군은 standard (106 - 125 ${\mu}m$) diamond bur; 3군은 fine (53 - 63 ${\mu}m$) diamond bur; 4군은 extrafine (20 - 30 ${\mu}m$) diamond bur; 5군은 plain-cut carbide bur (no. 245); 6군은 cross-cut carbide bur (no. 557)으로 분류하였다. 각 군의 법랑질 표면에 Clearfil SE Bond를 적용한 후 Tygon tube를 이용하여 Clearfil AP-X를 접착하였다. 각 군의 미세전단 결합강도를 측정하였다. 결과: 4군의 결합강도는 모든 군중 가장 높게 나타나 1군, 2군, 3군 및 6군보다 통계학적으로 높게 나타났으며(p < 0.05), 5군과는 통계학적으로 유의한 차이를 나타내지 않았다(p > 0.05). 결론: 버의 종류와 다이아몬드 버의 입자크기는 약한 자가 산부식 프라이머 접착제의 법랑질에 대한 결합강도에 영향을 주었다. Clearfil SE Bond의 법랑질에 대한 우수한 접착을 위해서는 초미세입자 다이아몬드 버나 plain-cut 카바이드 버의 사용이 추천된다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2012년도 춘계학술논문집 2부
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• pp.607-608
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• 2012

본 논문에서는 콘센트의 품질이나 기능이 비약적으로 발전하였으나, 기존 노출형 콘센트에 플러그를 연결하는 경우에 쉽게 빠지는 경우가 발생하거나, 콘센트와 플러그가 외부에 바로 노출되어 있어 먼지나 수분에 취약한 문제가 있어 그 해결책을 해결하고자 하였다. 콘센트와 플러그 사이에 콘센트 고정 장치를 결합하는 방법을 제시하고, 매입형 콘센트의 경우에도 고정 장치를 쉽게 결합하여 빠지는 현상을 방지하고, 먼지나 수분에 의한 감전사고 예방 효과를 누릴 수 있는 제품을 개발하고자 하였다.

• 정보보호학회지
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• 제32권4호
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• pp.99-107
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• 2022

본 논문에서는 표준화 기구에서 개발되었거나 아직 개발 중인, 양자 컴퓨팅에 의한 공격에 대해 안전한 양자 내성 보안체계로의 전환을 위해 양자 키 분배 (Quantum Key Distribution - QKD) 기술을 암호키 교환에 활용하는 다양한 하이브리드 접근 방식 들을 살펴보았다. 이러한 방법들은 두 가지 이상의 서로 다른 키 교환 방법을 결합하는 '키 교환을 위한 하이브리드 접근 방식'들을 의미한다. 양자 키 분배(QKD) 네트워크에서 생성하는 대칭 키를 활용하여 다른 방식으로 생성된 암호키와의 다양한 방식의 결합을 통한 하이브리드 접근 방식의 호환성에 대해서 살펴보았고, 아울러 다양한 네트워크 계층의 보안 통신 프로토콜과 함께 QKD를 함께 사용할 수 있도록 하는 표준들을 함께 분석하였으며, 이러한 표준들에서 추가적으로 개발이 필요한 영역들을 함께 살펴보았다.