소프트웨어의 신뢰성을 정량적으로 평가하는 데 있어서 소프트웨어 개발 프로세스의 시험단계나 사용자의 운용단계에 처한 동적 환경상태에서 소프트웨어 고장발생기능 현상을 기술한 소프트웨어 신뢰도성장모델을 많이 제안하고 있다. 대다수의 모델이 발생된 소프트웨어 고장의 발생원인에 대한 완전한 수정을 요구하는 완전 디버깅 환경을 가정하고 있다. 그러나 실제 개발자가 디버깅 작업을 수행할 때 완전한 수정이 불가능하기 때문이다. 다시 말해서 여러 소프트웨어 개발자가 경험한 이러한 디버깅 작업을 행하는 경우에는 결함을 제거하는 데 한계가 있기 때문에 수정 작업시 새로운 결함이 삽입되는 경우가 많다. 즉, 결함 수정은 불완전 환경에 처한다. 본 논문에서는 결함 수정시 신규 결함의 삽입 가능성을 고려하고 불완전 디버깅 환경에 대한 소프트웨어 신뢰도 성장모델을 제안한다. 소프트웨어 동작 환경 하에서 발생된 소프트웨어 고장과 시험 전 소프트웨어 내의 고유 결함에 의한 고장과 동작중에 랜덤하게 삽입된 결함에 의해 발생되는 고장 등 2종류의 결함을 고려하여 비동차 포아송과정(NHPP)에 의한 소프트웨어 고장발생 현상을 기술한다. 또한 소프트웨어 신뢰성 평가에 유용한 정량적인 척도를 도출하고 실측 데이터를 이용하여 적용한 결과를 제시하고 기존의 모델과의 적합성을 비교, 분석한다.
최근 지속되는 건설경기의 침체가 심각하다. 산업연관효과가 높은 건설업이 위축되면 타 분야의 생산 활동이 감소하고, 이에 따라 실업 문제도 악화된다. 여기서는 건설업 위축의 경제적 파급효과를 분석함으로써 건설업 성장률 하락에 따른 '경제성장률 기회손실'이 어느 정도인지 파악하는 한편 산업연관분석을 이용하여 '생산 및 고용 기회손실'을 추정해 보았다. 그 결과 건설업 성장률이 경제성장률을 하회하는 등 건설업 거시지표가 악화되고 있는 것으로 나타났다. 그 여파로 2011년 경제성장률 기회손실은 0.5%p 발생한 것으로 추정되는 등 연관산업의 동반침체가 우려되고 있다.
최근 관심이 높아지고 있는 GaN, SiC 단결정과 함께 자외선 LED 및 전력 반도체 용 기판 소재로서 응용성이 높은 질화갈륨(AlN, Aluminum Nitride) 단결정을 성장하였다. 아직 상용화된 AlN 기판은 없지만, 단결정 성장에 대한 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 국내 최초로 AlN 단결정의 성장 결과 직경 약 8 mm의 결정을 성장하였다. 성장된 단결정은 광학현미경으로 관찰하였으며, DCXRD를 통하여 결정성을 평가한 결과를 보고하고자 한다.
프로그램의 고장율이 잔여 결함의 (미지)수에 대한 일정한 배수라고 한 것은 모든 결함이 프로그램의 고장율에 동일한 양으로 기여한다는 것을 의미한다. 우리는 이 가정에 대해서 도전을 하고자 하며, 대안을 제시한다. 이 모델은 다루기 쉬워서 계산할 다양한 신뢰도 척도를 허용한다. 목표 신뢰도를 얻기 위한 전체 수행시간과 목표 신뢰도를 얻기 위한 총 결함의 수를 예측할 수 있다. 이 모델은 설계오류를 줄여서 신뢰도 성장을 가져오는 하드웨어에도 적용될 수 있을 것으로 기대된다.
Lithium niobate(LiNbO3) 단결정은 유전성, 압전성, 초전성, 비선형 광학 및 선형 전기광학 물질로서 다양한 응용 성을 가지고 있으므로 전기와 광학장치로 널리 사용되어지고 있다. 그러나 LiNbo3 단결정이 레이저를 이용한 광학장치로 응용될 때 레이저광의 세기에 따라 상굴절(ne)과 이상굴절(no)이 불규칙하게 변하는 장손상이 발생하여 비선 형 광학소자로의 이용에 한계가 있음이 밝혀졌다. 1980년 Zhong등이 LiNbO3에 MgO를 4.5mol% 첨가한 MgO:LiNbO3단결정을 성장시켜 물성을 조사한 결과 광손 상이 현저하게 감소된다고 발표한 후 이 분야의 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 순수한 LiNbO3 단결정의 최적 성장조건인 congrugnt한 LiNbOs(Li/Nb=0.486)에 MgO를 0, 2.5, 5.0, 7.5, 10.0 mol% 첨가시킨 MgO:LiNb03 단결정을 Czochalski법으로 성공적으로 성장시켰다. 결정성장은 성장온도 1250℃ 근방에서 회전속도 15rpm 인상속도 2.85 ∼3.25 mm/hr로 하였으며 냉각율은 30℃/hr이다. 성장시킨 단결정의 X-ray 회절실험과 편광현미경의 conoscope상 관찰로 양질의 MgO:LiNbO3 단결정이 성장되었음을 확인하였다. c축에 수직되게 절단한 c-pltae 시료 중 MgO가 첨가된 MgO:LiNb03 시료에서 나이테 형태의 둥근 원무늬가 나타나고 있다. 이 현상은 결정성장시 공기 중의 산소분압에 의해 MgO:LiNbO3 의 용융상태에서 MgO가 균일하게 분포되지 못하기 때문에 나타난 것으로 해석 된다. MgO 첨가량에 따른 MgO:LiNbo3 단결정의 결정 결함 구조를 조사하기 위하여 밀도측정을 하였다. MgO:LiNbO3 단결정의 밀도는 MgO론 2.5mol% 첨가한 시료에서 감소 하다가 5.0mol% 첨가한 시료에서 다시 증가하였으며 5.0mol%이상에서는 다시 감소하였다. 이 실험결과로 MgO 첨가량에 따른 결정 결함구조를 점 결함 모형 (point defect medel)으로 해석하였다.
높은 위험을 안고 사업을 하는 벤처 기업은 자금 조달이 쉽지 않다. 벤처 캐피탈은 벤처의 재정적 필요를 해결하고 부족한 역량을 보충함으로써 벤처의 성공을 돕고 고위험 고수익의 벤처 생태계를 지탱하는 중요한 역할을 담당한다. 국내 벤처 캐피탈의 성장과 지속적인 관심에도 불구하고 학문적 성과가 충분히 축적되고 있는지는 의문이다. 이에 따라 본 연구는 2011년부터 2019년까지 벤처창업을 주제로 한 연구의 주요 흐름을 텍스트 마이닝 방법을 통해 고찰함으로써 문제를 진단하고 시사점을 도출하고자 한다. KCI 키워드 트렌드와 벤처 캐피탈의 성장에 관한 시계열 상관분석의 결과 학술적 성과가 벤처 캐피탈의 성장 추이를 따라가지 못하는 것으로 보인다. 또한 벤처창업연구의 주제 흐름을 바이그램과 TF-IDF로 관찰한 결과 2016 이후 창업 기업에 대한 연구 관심이 두드러지고 2019년에 들어 벤처 캐피탈에 관한 연구 커뮤니티의 관심이 높아진 것으로 나타났다. 본 연구의 결과는 벤처 캐피탈에 관한 주요 연구 토픽을 보다 더 적극적으로 발굴하고 탐구함으로써 연구 커뮤니티의 책무를 강화하고 한국의 벤처 캐피탈 성장과 그에 따른 이슈들을 논의할 이론적 기틀 마련이 필요함을 환기한다.
일국(一國)의 경제발전(經濟發展)은 경제적 진보와 근대화를 수반하는 역사적 현상이지만 구체적으로는 산업구조(産業構造)의 변화(變化)에 의한 생산(生産)과 소득(所得)의 증가(增加)라는 측면을 가지고 있다. 한국과 일본의 경제발전과정에 수반되는 경제성장과 산업구조변화에 대한 요인을 비교 분석하는 것은 양국경제의 발전현상을 이해하고, 향후의 경제정책에 기초적인 정보를 제공할 수 있다는 점에서 그 중요성이 있을 것이다. 따라서 본고는 "비례적(比例的) 성장(成長)으로부터의 편차(偏差)(DPG)" 방법을 일본의 경우는 1915~90년, 한국은 1960~90년까지의 장기적인 산업연관자료에 적용하여 양국의 산업성장과 산업생산구조변화에 대한 요인을 수요측면에서 비교 분석하였는바, 그 결과는 다음과 같이 요약된다. 우선 양국경제의 산업생산구조 및 주도산업의 변화는 시기에 있어서 차이를 보이지만 분석기간중 양국 모두에서 농림수산업은 계속해서 생산비중이 줄어들고 있고, 경제성장을 주도한 산업이 경공업에서 중화학공업으로, 그리고 중화학공업에서도 중공업으로 이전된 것으로 나타났다. 일본의 경우는 1970년대에는 생산자서비스부문을 중심으로, 그리고 1980년대에는 소비자서비스부문을 중심으로 "경제의 서비스화"가 진전되어 서비스산업이 주도산업으로 부상되고 있으나, 한국경제에서는 1990년까지도 서비스산업의 확대가 관측되지 않고 있다. 이러한 결과는 향후 한국경제의 산업생산구조에 있어서 서비스산업의 중요성이 점차 커질 것이며, 특히 "경제의 서비스화"가 생산자서비스부문을 중심으로 이루어질 가능성이 높다는 것을 시사한다. 한편 양국의 성장패턴을 살펴보면, 일본의 경우는 시기별로 성장요인에 많은 변화가 있었으나 대체로 수출보다는 국내수요(國內需要)가 경제성장에 중요한 역할을 한 것으로 나타났다. 그러나 한국경제의 성장의 성장에는 수출과 투자의 역할이 중요했으며, 특히 수출은 분석기간중 지속적으로 정(正)의 효과(效果)만을 보여 경제성장의 견인차역할을 한 것으로 나타났다. 1980년대까지 한국경제의 성장에 있어서는 수입대체보다는 수출확대를 통한 중화학공업의 육성이 지대한 영향을 미쳤으며, 이러한 수출주도적인 중화학공업의 성장패턴은 현재 국내수요(國內需要)의 규모(規模)와 산업구조변화를 일본의 경우에 비추어볼 때, 향후 몇 년 동안은 크게 변화하지 않을 것으로 판단된다.
최근 III-N계 물질 기반의 광 반도체 중 m-면 사파이어 기판을 사용하여 반극성 (11-22) GaN박막을 성장하는 광반도체의 발광효율을 높이려는 연구가 많이 진행되고 있다. 하지만, 반극성 (11-22) GaN와 m-면 사파이어 기판과의 큰 격자상수 차이와 결정학적 이방성의 차이에 의해 많은 결정 결함이 발생하게 된다. 이러한 결정결함들은 반극성 LED소자내에서 누설전류 및 비발광 재결합, 순방향전압 등의 소자특성을 저하시키는 큰 요인이 되기 때문에 고효율 발광소자를 제작함에 있어 어려움을 야기시킨다. 이러한, 반극성 LED 소자의 효율 향상을 위해 결함 분석에 대한 연구를 주를 이루고 있는 상황으로, n-GaN층에 Si도핑에 관한 연구가 진행되고 있다. 이미 극성과 비극성에서는 n-GaN층에 Si이 도핑이 증가될수록 결정질이 향상되고, 양자우물의 계면의 질도 향상 되었다는 보고가 있다. 본 연구에서는 반극성 (11-22) GaN 기반의 발광소자를 제작함에 있어 n-GaN 층의 도핑 농도 변화를 통한 반극성 GaN 박막의 결정성 및 전기적 특성 변화에 따른 LED소자의 전계 발광 특성에 대한 연구를 진행하였다. 금속유기화학증착법을 이용하여 m-면 사파이어 기판에 $2.0{\mu}m$두께의 반극성 (11-22) GaN 박막을 저온 GaN완충층이 존재하지 않는 고온 1단계 성장법을 기반으로 성장하였다.[3] 이후, $2.0{\mu}m$ 반극성 (11-22) GaN 박막 위에 $3.5{\mu}m$ 두께의 n-GaN 층을 성장시켰다. 이때, n-형 도펀트로 SiH4 가스를 4.9, 9.8, 19.6, 39.2 sccm으로 변화하여 성장하였다. 이 4가지 반극성 (11-22) n-GaN 템플릿을 이용하여 동일 구조의 InGaN/GaN 다중양자우물구조와 p-GaN을 성장하여 LED 구조를 제작하였다. X-선 ${\omega}$-rocking curve를 분석한 결과, 이러한 특성은 반극성 (11-22) n-GaN층의 Si 도핑농도 증가에 따라서 각 (0002), (11-20), (10-10) 면에서 결정 결함이 감소하고, 반극성 (11-22) n형 GaN템플릿을 이용하여 성장된 반극성 GaN계 LED소자는 20mA인가 시 도핑 농도 증가에 따라 9.2 V에서 5.8 V로 전압이 감소하였으며 역방향 전류에서도 누설전류가 감소함이 확인되었다. 또한, 전계 발광세기도 증가하였는데, 이는 반극성 n형 GaN박막의 실리콘 도핑농도 증가에 따라 하부 GaN층의 결정성이 향상과 더불어 광학적 특성이 향상되고, n형 GaN층의 전자 농도 및 이동도의 동시 증가에 따라 전기적 특성이 향상 됨에 따라 LED소자의 전계 발광 특성이 향상된 것으로 판단된다.
물리기상이동법(Physical Vapor Transport(PVT) method)을 적용하여 질화알루미늄 단결정을 성장하였다. 자체적으로 성장하고 제조한 직경 33 mm 크기의 종자결정을 사용하여 직경 46 mm, 길이 7.6 mm 크기의 벌크단결정을 성장하였으며, 성장 온도는 $1950{\sim}2100^{\circ}C$, 성장 압력은 0.1~1 atm의 범위에서 조절하여 반복 성장을 통하여 성장한 결과를 보고하고자 한다.
본고의 성장회계 분석결과 동아시아의 경이적 경제성장과정에서 자본축적의 중요성이 재확인되었다. 총요소생산성 증가율 측면에서는 동아시아는 선진국과 비슷한 수준이었다. 그러나 개발도상국 지역들과 비교해서 동아시아의 총요소생산성은 훨씬 빨리 증가하였을 뿐 아니라 매우 지속적으로 이루어졌는데, 이 점은 기존 문헌에서 그다지 주목하지 못한 것이었다. 성장회계를 통한 성장요인 분해결과 대외개방도 및 제도의 질 변수가 동아시아와 중남미 및 아프리카 등 다른 개도국 지역의 성장률 차이를 가장 잘 설명하였다. 그러나 동아시아가 선진국보다 빨리 성장한 것은 수렴효과에 기인하였으며, 선진국에 비해 열등한 제도 및 경제정책으로 인하여 동아시아는 이러한 수렴효과조차 충분히 활용하지 못한 것으로 나타났다. 한편 대외개방이 경제성장에 미치는 직접효과뿐 아니라 제도를 개선함으로써 성장에 미치는 간접효과도 고려할 경우 경제성장에서 대외개방도의 양적 중요성은 훨씬 큰 것으로 나타났다. 이러한 결과는 대외개방이 동아시아의 성장에 있어서 가장 중요한 요인이었음을 시사하는 것으로 판단되며, 또한 "대외지향적 무역전략이 추가적인 자유화 조치의 모멘텀을 제공하여 개방의 이익을 추가적으로 실현하는 데 기여한다"는 Krueger(1990)의 주장과 일맥상통하는 것으로 보인다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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