• 대한지리학회지
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• 제38권6호
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• pp.906-921
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• 2003

본 연구는, 미국 지방정부의 성장관리 규제가 유발시키는 지역주택시장내 가격상승효과를 이해하기 위해, 성장관리가 가질 수 있는 주택건설 억제 효과를 실증적으로 분석했다. 실증 분석은 1980년대말 캘리포니아내 지방 정부를 대상으로 했으며. 공간계량경제 모델을 활용했다. 분석을 통해. 본 연구는 성장관리의 주택가격상승효과에 관한 기존 연구의 한계를 극복하는 데 기여하고자 했다. 즉, 캘리포니아 주와 같은 비교적 광범위한 지역에 적용되는 일반화된 결과를 얻었고. 개별 성장관리 규제가 주택건설에 미치는 영향력을 고찰했으며, 아울러 공간효과, 특히 공간적 자기상관을 분석모델에 반영시킴으로써 분석의 설명력을 제고했다. 모델링 결과, 주거용도지역내 허용개발밀도를 저하시키려는 일련의 성장관리규제는 주택건설을 억제시키는 효과를 보였다. 하지만. 주택건설 및 도시성장을 지방정부가 설정한 지역내에 한정시키는 규제는, 오히려, 주택건설을 증가시키는 효과를 보였다. 연간 인구증가 및 건축허가건수를 제한하는 규제와 주택건설업자의 공공하부구조 공급을 강제하는 법규는 주택건설에 유의한 영향을 미치지 않은 것으로 나타났다.

• 기술경영경제학회:학술대회논문집
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• 기술경영경제학회 2005년도 제26회 동계학술발표회 논문집
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• pp.268-286
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• 2005

본 연구에서는 OECD 주요 10개국을 대상으로 국가별 정보통신산업의 성장 추이를 각각 분석하고 국별 특성을 비교하는데 목적이 있다. 이를 바탕으로 각국의 정보통신산업이 경기순환 또는 단계별 발전 속성을 지니고 있는지를 파악하고 국가별 공통점과 특이점을 분석하고자 하였다. 방법론적으로 OECD 국가들의 정보통신산업 GDP 추이 및 성장률의 움직임을 국면전환 (regime change) 확산과정으로 묘사함으로써 각 국가별 정보통신산업 발전 양상의 특징 및 국면전환 시점 등을 포착해 내고자 하였다 추세를 갖는 대표적 확산과정인 GBM 모형과 평균회귀 성향을 갖는 대표적 확산과정인 Vasicek 모형에 각각 마코프 국면전환을 도입하여 국가별 정보통신산업 GDP 및 GDP 성장률의 추이에 있어 국면 전환 여부와 독특한 발전 특성을 비교 분석하였다. 실증분석 결과 정보통신산업 GDP의 성장률과 변동성 사이에는 높은 상관관계가 있었으며, 한국, 멕시코 등은 고성장, 고변동성을, 미국, 프랑스, 일본 등은 저성장, 저변동성의 특성을 보이는 것으로 나타났다 또한 한국의 경우 유일하게 성장률과 변동성 모두 국면전환이 일어나는 국가로 나타났다. 장기평균 성장률의 특성에 따라 분류한 결과, 한국, 일본, 미국, 멕시코, 뉴질랜드는 고성장에서 저성장으로의 국면전환, 핀란드와 덴마크는 경기 순환적 국면전환, 노르웨이, 프랑스, 캐나다는 단일 국면으로 분류할 수 있었다. 특히 한국의 경우 평균회귀 속도와 변동성이 타 국가에 비해 높은 특성을 보여주었다. 본 연구는 정보통신산업을 미시적 분석이나 세부 항목별 정량적 분석을 통해서가 아니라 산업의 발전 속성 및 경기 순환 등의 관점에서 분석함으로써 정보통신산업 정책의 수립 및 집행을 거시적 안목 하에 정립할 수 있게 한다는 데 의의를 가진다. 또한 경제변수를 묘사하는데 있어 국면전환 확산과정을 사용함으로써 향후 실물옵션 등을 통한 기술 및 무형자산의 가치평가에 있어 기초자산의 움직임을 보다 정확히 포착해 낼 수 있는 프로세스를 제공하였다는데 또 다른 의의를 갖는다고 하겠다.

• 사회복지연구
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• 제43권1호
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• pp.249-273
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• 2012

본 연구는 응급구조원, 사상 사고를 경험한 지하철승무원, 아동보호전문기관 사회복지사를 대상으로 직종, 심리적 고통, 대리 외상, 일반적 특성에 따른 외상 후 성장을 비교 분석한 연구이다. 분석 결과 첫째, 대리 외상은 세 집단 모두 위험 수준으로 높게 나타났고 특히 지하철승무원의 대리 외상이 높았으며, 외상 후 성장은 사회복지사가 가장 높고 지하철승무원이 가장 낮았다. 둘째, 대리 외상과 외상 후 성장은 상관관계가 유의한 것으로 나타났으며 특히 침습과 회피의 하위항목이 외상 후 성장과 상관관계가 높았다. 셋째, 외상 후 성장에 영향을 미치는 요인은 직종, 침습, 회피, 종교, 성별의 순서로 크게 나타났다. 본 연구에서는 이 결과를 바탕으로 대리 외상 위험 직종에 대한 정신건강서비스 제공과 외상 후 성장의 치료적 적용을 제언하였다.

• 국제지역연구
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• 제14권3호
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• pp.86-107
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• 2010

한 경제의 변동성과 성장률간의 관계에 대한 기존의 경험적 연구에서는, 두 변수 사이의 관계가 양의 부호를 가지는지 아니면 음의 부호를 가지는지에 대해 명확한 결론을 찾지 못하였다. 본 논문에서는 기존 연구결과의 모호성을 설명하는 한 요인으로서, 기존의 경험적 연구에서 사용한 추정모형이 오설정(誤設定)(misspecified)되었을 가능성을 제기한다. 만일 경기변동상의 확장기와 수축기에 따라 두 변수간 관계의 부호가 상이하다면, 양자간 관계를 대칭적으로 설정한 기존의 연구모형에서는 유의한 관계를 추정해 낼 수 없기 때문이다. 본 연구는, 변동성의 증가가 성장률에 미치는 영향이 경기변동국면에 따라 다르다는 가설로부터 출발한다. 영국의 월별산업생산 자료를 이용하여 일련의 ARCH 류 모형을 추정한 결과, 경제가 확장기에 있을 경우에는 변동성과 성장률간의 관계가 유의한 양의 부호를 가지는 반면 수축기에서는 변동성의 증가가 성장률을 유의하게 낮추는 현상을 발견하였다. 또한 변동성과 성장률간의 이와 같은 비대칭적 관계가, 두 변수 사이에 양방향으로 존재하는 상관관계가 아니라 변동성으로부터 성장률로 작용하는 인과관계임을 지지하는 결과도 얻었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권3호
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• pp.266-271
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• 2004

BaTiO$_3$ 소결체에 국부적으로 SiO$_2$를 첨가하고 열처리하여 비정상 입성장을 유도하였다. 열처리 중에 SiO$_2$가 첨가되지 않은 부분에서는 BaTiO$_3$ 기지상 입자의 성장이 아주 느리게 일어났으나, SiO$_2$가 첨가된 부분에서는 BaTiO$_3$ 기지상 입자가 빠르게 성장하였다. 장시간 열처리 후에는 SiO$_2$가 첨가된 부분에서 비정상 입자가 생성되었고, 열처리 중에 연속적으로 성장하여 2 cm 크기 이상으로 성장하였다. 성장한 비정상 입자내부에는 (111) double twin 또는 single twin 등의 결함이 관찰되지 않아, 국부적으로 첨가된 SiO$_2$에 의하여 생성된 액상에 의하여 비정상 입자와 단결정이 성장하였다. 이러한 결과는 BaTiO$_3$계에서 액상 분포의 불균일으로 비정상 입성장이 유도될 수 있으며, 또한 비정상 입성장을 이용하여 쌍정면 결함을 포함하지 않는 cm크기의 BaTiO$_3$ 단결정을 제조할 수 있음을 보였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권3호
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• pp.89-95
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• 2001

규소 결정의 용융 온도 근처인 $1350^{\circ}C$에서 Ar과 $O_{2}$gas를 이용하여 규소 wafer의 열처리시 vacancy ty[e 결함의 거동에 대해 알아보았다. 이 열처리에서는 wafer의 표면보다 wafer내부에서 결함의 용해속도가 매우 높음을 확인하였다. 이는 $1350^{\circ}C$에서는 규소내의 평형산소농도가 대부분의 CZ silicon에서의 산소농도보다 높아 산소의 understaturation현상과 silicon interstitial농도의 영향에 기인된 것으로 예상된다. 열처리 분위기의 영향을 알아보기 위하여 Ar과 $O_{2}$ 분위기에서 열처리한 결과 vacancy type 결함의 용해속도는 wafer의 내부에서는 차이가 없었고, wafer의 표면에서는 Ar이 $O_{2}$의 경우보다 결함의 용해속도가 높았다. $O_{2}$의 경우에는 표면산화막 성장시 유입된 silicon interstitial의 농도가 높아 결함의 용해속도가 떨어지는 것으로 판단된다. 이는 기존 연구에서 예상된 silicon interstitial이 vacancy cluster로 알려진 결정결함의 제거에 기여한다는 예상과는 상반된다. 본 연구의 결과 silicon interstitial의 존재는 void외부 산화막의 용해속도를 늦추어 결함 용해속도를 떨어뜨리는 것으로 예상된다.

• 한국사회복지학
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• 제65권4호
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• pp.165-193
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• 2013

본 연구의 목적은 노년기 배우자 사별 후의 성장과정을 살펴보고, 그에 대한 이론을 개발하는 것이다. 이를 위해 배우자와 사별한 노인 17명을 대상으로 질적 연구를 실시하였다. 심층면접 후 Strauss와 Corbin(1998)의 근거이론 방법을 적용하여 분석한 결과, 143개의 개념과 43개의 하위범주, 19개의 범주가 도출되었다. 배우자 사별 후 참여자들에게 나타난 중심현상은 '우울', '막막함', '생활상의 스트레스', '심리적 위축감', '회한', '홀가분함' 등의 심리적 반응이었다. 이러한 사별 직후의 심리적 손상 정도는 인과적 조건으로서 사별 전의 '부부관계', '개인의 독립적/의존적 성향', '사별에 대한 마음의 준비'에 따라 차이가 있었으며, 맥락적 조건에는 '친밀한 인간관계 구축에 대한 욕구', '독립성 유지에 대한 욕구'가 존재하였다. 현상을 극복하기 위한 작용/상호작용 전략은 '현실에 대한 직시'와 '새로운 삶을 위한 노력'이었으며, 이를 촉진, 제어하는 중재적 조건은 '사회적지지'와 '신앙생활'이었다. 나타난 결과, 즉 성장의 내용은 '삶의 의미 찾기', '자존감의 향상', '인간관계의 강화', '포용과 수용'이었다. 노년기 배우자 사별 후 성장의 과정은 시간 순에 따라 '슬픔과 절망단계', '끌어안고 나아가기 단계', '성장단계'로 이어졌다. 마지막으로 유형분석의 결과, 배우자 사별 후 성장과정은 '적극적 변화형', '발전적 적응형', '포용형', '답보형', '원망형'의 5가지로 분류되었다. 본 연구의 결과, 노년기 배우자 사별 후 성장은 노년기에 보편적으로 경험하게 되는 "발달적 위기 이후의 삶의 통합과정으로서, 배우자 사별 직후의 절망을 딛고 일어서 삶의 주체자로서 새로운 삶을 모색하고 더욱 강해진 자아를 발견해 나가며, 배우자를 포용해 나가는 과정"으로 개념화할 수 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.824-827
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• 2002

12inch 이상의 웨이퍼 성장에는 실리콘 용탕의 대류를 억제하여 웨이퍼의 순도를 높이기 위해 자기장 특히, 웨이퍼의 성장방향에 수직인 '수평자장'을 인가하는 방법이 사용된다. 현재 '자기장인가 방식', 특히 초전도를 사용한 자장인가 방식이 직경 1600mm에 이르는 용탕의 용액을 제어하는 유일한 방법으로 받아들여지고 있다. 본 논문에서는 12inch 실리콘 웨이퍼 성장용 초전도 마그네트 개발의 전단계로 개발중인 8inch 웨이퍼 성장용 수평자장형 초전도마그네트의 제작과정과 성능평가 결과에 대해 다루었다. 본 연구를 통해 액체헬륨의 증발을 최소화하기 위한 재응축형 극저온 용기에 대한 기술이 개발 되었으며, diode를 이용한 ��치보호부, HTS 전류리드의 ��치 protection부 등의 부속기술이 개발되었다. 초전도 마그네트는 내경 1400mm의 saddle type으로 이의 제작에 있어 많은 기술적 난재들을 경험해야 했다. 전체 시스템에 대한 성능평가 결과, 극저온용기 및 부속장치에 대한 결과는 만족스러웠으나, 코일부의 성능은 계획한 목표에 미치지 못했다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.406-406
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• 2012

ZnO는 큰 여기자 결합 에너지, 낮은 유전 상수, 높은 화학적 안정도를 가지고 있기 때문에 전자소자 및 광소자로 많이 응용되고 있다. 여러 가지 불순물을 주입하여 ZnO의 전기적 및 광학적 성질을 향상시키기 위한 연구가 진행되고 있다. 여러 가지 불순물 중에 Zn와 물리적 및 화학적 성질이 유사한 Cu를 도핑하여 전기화학적성장(electrochemical deposition) 방법으로 ITO가 코팅된 유리 기판 위에 ZnO 박막을 성장하였다. Cu를 도핑하여 ZnO박막을 성장한 결과 구조적으로 ZnO 박막이 나노로드 형태에서 부분적으로 나노세선 또는 나노로드 형태로 변화함을 확인하였다. 광류미네센스 측정 결과는 벌크 ZnO 박막과 비교하여 Cu를 도핑함으로써 ZnO 나노세선이 3.37 eV의 에너지를 가지는 파장의 크기가 줄어들었고 여러 방향으로 ZnO 나노세선이 형성됨을 알 수 있었다. Cu를 도핑함으로써 ZnO 나노세선의 구조적 변화는 크기 않으나 에너지 밴드갭을 변화할 수 있음을 알 수 있었다. ZnO 나노세선의 광학적 성질을 Cu를 도핑하여 변화할 수 있음을 관측하였으며 불순물을 도핑하여 밴드갭을 변화하여 전자소자 및 광소자를 제작하는 기초지식으로 사용할 수 있다.

• 한국재료학회지
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• 제2권1호
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• pp.52-57
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• 1992

용응인상법에 의해 융성시킨 $LiNbO_3$ 단결정의 거시적 결함은 단결정 육성인자인 성장속도, 온도구배 및 결정회전속도에 강하게 영향을 받았다. Cell 구조가 형성되지 않고 결정의 직경제어가 용이하며 결정성장 후 냉각시 에도 crack이 발생되지 않는 1" 직경의 $LiNbO_3$ 단결정의 성장조건은 온도기울기 $70~100^{circ}C/cm$, 성장속도 5~10 mm/hr, 결정회전속도 40 rpm 이었다. 이었다.