• 제목/요약/키워드: 결함 성장

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HVPE GaN film의 성장과 결함 (The growth and defects of GaN film by hydride vapor phase epitaxy)

  • 이성국;박성수;한재용
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권2호
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    • pp.168-172
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    • 1999
  • HVPE 법으로 sapphire 기판 위에 두께 9$\mu\textrm{m}$의 GaN film을 성장하였다. Sapphire위에 직접 성장된 GaN film은 crack free로 mirror surface를 나타내었고 dislocation density는 $2{\times}10^9/cm^2$이었다.$SiO_2$ mask pattern을 사용하여 성장된 ELO GaN film도 대부분이 mirror surface를 나타내었으나 표면 일부에서 coalescence가 덜 이루어져 stripe 방향으로 hole이 존재하였다. ELO GaN film의 mask 윗부분은 window 부분에 비해 낮은 dislocation density를 나타냈다. 특히 mask center와 window사이 영역에서는 거의 dislocation이 없었다. ELO GaN film의 dislocation density는 평균 $8{\times}10^7/cm^2$.이었다.

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$Nb_2O_5$함량이 높은 potassium lithium niobate(KLN) 단결정의 성장 (Growth of potassium lithium niobate (KLN) single crystal with high $Nb_2O_5$content)

  • 강길영;윤종규
    • 한국결정성장학회지
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    • 제8권3호
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    • pp.396-400
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    • 1998
  • KLN은 성장 결정 내의 $Nb_2O_5$함유량에 따라 물성이 크게 변화하므로 단결정의 조성제어가 매우 중요하다. 본 실험에서는 초기 KLN용액의 $Nb_2O_5$함량을 증가시켜 $Nb_2O_5$함유량이 높은 KLN단결정을 온도요동법과 TSSG법에 의해 성장시키고 성장된 KLN단결정인 $Nb_2O_5$증가량에 따른 격자결함의 유무를 관찰하고자 유전 및 광학 특성을 관찰하다. KLN 단결정 내에 격자결함의 증가에 의해 낮은 에너지로의 단락 frequency 이동과 DPT 특성을 보이는 넓은 Curie 범위가 관찰되었다.

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MBE에 의한 HEMT 소자용 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 에피택셜층 성장 연구 (A Study on the Growth of $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP Epitaxial Layers for HEMT by MBE)

  • 노동완;이해권;이재진;이재진;편광의;남기수
    • 한국진공학회지
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    • 제4권2호
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    • pp.177-182
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    • 1995
  • 저잡음 HEMT소자 제작을 위한 에피택셜 기판을 MBE방법을 이용하여 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 물질계로 성장하였다. 기판온도의 변화, 채널층과 격리층 사이의 성장 일시 멈춤 등의 성장 조건 변화에 따른 Hall 이동도의 변화를 연구하였다. 전자 공급층을 Si으로 델타도핑한 결과 같은 조건에서 성장기판의 온도를 $520^{\circ}C$에서$ 540^{\circ}C$로 증가시키면 실온의 전자이동도는 7,850$\textrm{cm}^2$/Vsec으로 증가하였으며, 격리층과 채널층 사이에서 약 50초간 성장중 채널층의 표면 adatom의 surface migration 시간을 충분히 제공하여 결정결함의 감소로 계면의 급격성이 향상된 결과로 사료된다. 본 실험을 통하여 얻은 최고 이동도 값은 격리층의 두께가 $100\AA$인 경유에 상온 측정결과 $11,400\textrm{cm}^2$/vsec 및 77K 측정결과 $50,300\textrm{cm}^2$/Vsec이었다.

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MgO 또는 ZnO를 첨가한 $LiNbO_{3}$ 단결정 성장 및 특성 : (I) 단결정 성장 및 결함구조 (Single crystals growth and properties of $LiNbO_{3}$ doped with MgO or ZnO : (I) Single crystals growth and their defect structure)

  • 조현;심광보;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제6권3호
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    • pp.368-376
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    • 1996
  • 균일한 조성과 doping 효과를 얻을 수 있는 floating zone(FZ)법으로 조화용융조성의 undoped $LiNbO_{3}$ 및 5 mol%의 MgO 또는 ZnO를 각각 첨가한 $LiNbO_{3}$ 단결정을 육성하였다. 결정성장시 최적성장조건을 실험적으로 확립하였으며, 결정내에 존재하는 domain 구조, 전위구조, slip band, 미세쌍정등의 결함구조를 조사 및 분석하였다.

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EFG법에 의한 ${\gamma}-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$ (Growth of ${\gamma}-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$ Single Crystals by EFG Method)

  • 김호건;유건종
    • 한국결정성장학회지
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    • 제1권2호
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    • pp.34-45
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    • 1991
  • 광기능소자로 응용성이 넓은 전기광학결정 $r-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$(이하 BGO로 약칭)을 EFG(Edge-defined Film-fed Growth)법에 의하여 판상단결정으로 육성하는 기초적 조건을 조사하였고 얻어진 판상단결정의 characterization 및 평가를 행하였다. 본 연구에서 얻어진 최적성장조건은 온도구배가 $22^{\circ}C$/cm 이었고 인상속도는 2.0mm/h이었다. 결정성장 최적조건에서 육성된 BGO결정은 제 2상의 석출이 없고 grain boundary가 존재하지 않으며 X선분석으로도 단결정임이 확인되었다. 육성된 판상단결정의 판면은 (100)면이었고 결정성장 방위는 <110>이었다. 육성된 판상단결정은 편광현미경하에서는 pore, void, inclusion, striation등의 성장결함이 없는 양질의 단결정이었으나 미세결함인 전위(dislocation)의 존재가 확인되었고 전위밀도는 $7.0{\times}105/cm^2$이었다.

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교류 전압에 의한 AAO 나노 구조 성장 제어 (AC based AAO NanoStructure Growth Control)

  • 박소정;허정환;이성민;이강호;김규태;박성찬;하정숙
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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    • pp.87-88
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    • 2005
  • AAO(Anodic Aluminum Oxide)는 양극산화 방법을 이용하여 얻을 수 있는 알루미늄의 다공성 산화막이다. 기존의 방법에서는 DC전압을 이용하여 AAO를 성장시켰는데 본 연구에서는 AC전압을 이용하여 AAO의 성장 특성을 제어하였다. 전압원으로 DAQ를 사용하였는데 출력전압을 증폭하기 위하여 2 단 차동증폭기를 제작하였다. 실험 결과는 AAO 기판의 SEM 사진을 촬영, 분석함으로써 얻을 수 있었다. SEM 시진을 분석한 결과 pore size는 전압의 변화에 큰 영향을 받지 않음을 알 수 있었던 반면 성장 길이는 AC전압의 주기가 증가함에 따라 길어지는 성향을 확인할 수 있었다. 또한 주기와 AAO 성장 길이와의 관계를 로그스케일 그래프로 나타내보면 선형적인 특성을 나타내었다. 이를 통해 인가한 전압의 주파수에 따라 AAO의 성장 길이를 예측할 수 있었다.

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The effects of hydrogen treatment on the properties of Si-doped Ga0.45In0.55P/Ge structures for triple junction solar cells

  • 이상수;양창재;하승규;김창주;신건욱;오세웅;박진섭;박원규;최원준;윤의준
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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    • pp.143-144
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    • 2010
  • 3-5족 화합물 반도체를 이용한 집광형 삼중 접합 태양전지는 40% 이상의 광변환 효율로 많은 주목을 받고 있다[1]. 삼중 접합 태양전지의 하부 셀은 기계적 강도가 높고 장파장을 흡수할 수 있는 Ge이 사용된다. Ge위에 성장될 III-V족 단결정막으로서 Ge과 격자상수가 일치하는 GaInP나 GaAs가 적합하고, 성장 중 V족 원소의 열확산으로 인해 Ge과 pn접합을 형성하게 된다. 이때 GaInP의 P의 경우 GaAs의 As보다 확산계수가 낮아 태양전지 변환효율향상에 유리한 얇은 접합 형성이 가능하고, 표면 에칭효과가 적기 때문에 GaInP를 단결정막으로 선택하여 p-type Ge기판 위 성장으로 단일접합 Ge구조 제작이 가능하다. 하지만 이종접합 구조 성장으로 인해 발생한 계면사이의 전위나 미세결함들이 결정막내부에 존재하게 되며 이러한 결함들은 광학소자 응용 시 비발광 센터로 작용할 뿐 아니라 소자의 누설전류를 증가시키는 원인으로 작용하여 태양전지 변환효율을 감소시키게 된다. 이에 결함감소를 통해 소자의 전기적 특성을 향상시키고자 수소 열처리나 플라즈마 공정을 통해 수소 원자를 박막내부로 확산시키고, 계면이나 박막 내 결함들과 결합시킴으로서 결함들의 비활성화를 유도하는 연구가 많이 진행되어 왔다 [2][3]. 하지만, 격자불일치를 갖는 GaInP/Ge 구조에 대한 수소 열처리 및 불순물 준위의 거동에 대한 연구는 많이 진행되어 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 Ga0.45In0.55P/Ge구조에 수소 열처리 공정을 적용을 통하여 단결정막 내부 및 계면에서의 결함밀도를 제어하고 이를 통해 태양 전지의 변환효율을 향상시키고자 한다. <111> 방향으로 $6^{\circ}C$기울어진 p-type Ge(100) 기판 위에 유기금속화학증착법 (MOCVD)을 통해 Si이 도핑된 200 nm의 n-type GaInP층을 성장하여 Ge과 단일접합 n-p 구조를 제작하였다. 제작된 GaInP/Ge구조를 furnace에서 250도에서 90~150분간 시간변화를 주어 수소열처리 공정을 진행하였다. 저온 photoluminescence를 통해 GaInP층의 광학적 특성 변화를 관찰한 결과, 1.872 eV에서 free-exciton peak과 1.761 eV에서 Si 도펀트 saturation에 의해 발생된 D-A (Donor to Acceptor)천이로 판단되는 peak을 검출할 수 있었다. 수소 열처리 시간이 증가함에 따라 free-exciton peak 세기 증가와 반가폭 감소를 확인하였고, D-A peak이 사라지는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 결과는 수소 열처리에 따른 단결정막 내부의 수소원자들이 얕은 불순물(shallow impurity) 들로 작용하는 도펀트들이나, 깊은 준위결함(deep level defect)으로 작용하는 계면근처의 전위, 미세결함들과의 결합으로 결함 비활성화를 야기해 발광세기와 결정질 향상효과를 보인 것으로 판단된다. 본 발표에서는 상술한 결과를 바탕으로 한 수소 열처리를 통한 박막 및 계면에서의 결함준위의 거동에 대한 광분석 결과가 논의될 것이다.

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Chlorella 대량 배양을 위한 농업용 비료에 trace element의 첨가 효과

  • 배진희;이계안;허성범
    • 한국양식학회:학술대회논문집
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    • 한국양식학회 2003년도 추계학술발표대회 논문요약집
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    • pp.88-89
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    • 2003
  • Rotifer의 먹이 생물로 이용되는 Chlorella의 대량 배양에는 농업용 비료가 널리 이용되고 있다. 그러나 농업용 비료만을 사용할 경우 f/2배지에 비해 성장이 낮은 단점이 있다. 따라서 본 연구는 농업용 비료 배지에 여러 가지 미량 성분을 첨가하여 그 성장 변화를 측정하고, 고밀도 대량 배양에 필요한 미량 원소 성분을 파악하고자 하였다. 먼저 Chlorella의 대량 배양에 이용되는 농업용 비료 배지(복합, 요소비료)에 실내 배양에 주로 이용되는 f/2배지의 trace element 성분 중 코발트(Co), 구리(Cu), 아연(Zn) 및 몰리브덴(Mo)를 f/2배지의 함량을 기준으로 각각 0.5, 1.0, 1.5 및 2.0배로 첨가하여 $25^{\circ}C$, 5,000 lux 연속조명, 15$\textperthousand$에서 배양한 결과 각 미량 원소의 첨가 함량이 높을수록 Chlorella의 성장은 높게 나타났다. 전체 실험구 중에서 아연 2.0배, 구리 2.0배를 첨가한 비료 배지에서 S.G.R.이 각각 0.3598, 0.3599의 성장을 나타내었으며, 아연과 구리 성분을 첨가한 Chlorella에서 높은 성장률을 보였다. 위의 실험에서 첨가효과가 좋은 Cu와 Zn 2.0배와 철(Fe)과 망간(Mn)을 같은 비율(0.5~2.0배)로, 다시 배양한 결과, Cu 2.0배와 Zn 2.0배는 S.G.R.이 각각 0.6283과 0.6231로 가장 높았으며, Fe 2.0배, Mn 2.0배와 1.5배에서 S.G.R이 각각 0.6210, 0.6200, 0.6183의 높은 성장률을 나타내었다. 위의 실험에서 농업용 비료에 첨가된 모든 trace element 중에서 가장 좋은 성장을 나타낸 구리(Cu) 성분의 정확한 공급 농도를 파악하기 위하여 농업용 비료에 2, 3, 4 및 5배를 첨가하여 $25^{\circ}C$, 5,000 lux, 15$\textperthousand$에서 배양한 결과, S.G.R.이 CU 함량을 3배로 첨가하였을 경우 2716$\times$$10^4$cells/$m\ell$로 가장 높은 세포 밀도를 나타내었다. 또한 5종의 trace element (Fe, Mn, Zn, Cu, Co)를 혼합하여 비료 배지(1.25배)에 첨가하여 미량 원소간의 상호 작용에 대해서 알아 본 결과, Fe와 Mn 두가지 성분만을 농업용 비료 배지에 혼합하였을 경우 세포수가 2720$\times$$10^4$cells/$m\ell$로서 높은 성장을 나타내었다. 다음으로 Fe, Mn, Zn 및 Cu 4종을 모두 혼합하여 첨가한 실험구가 2608$\times$$10^4$ cells/$m\ell$ 높은 세포 밀도를 나타내었다. 이러한 결과로서 옥외에서 농업용 비료배지에 구리(Cu, f/2배지 기준 3.0배)성분을 첨가함으로써 Chlorella의 성장을 효율적으로 향상시킬 수 있을 것으로 판단된다.

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브라디키닌 수용체 발현 및 길항제개발에 관한 연구

  • 정성현;이은순
    • 한국응용약물학회:학술대회논문집
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    • 한국응용약물학회 1993년도 제2회 신약개발 연구발표회 초록집
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    • pp.146-146
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    • 1993
  • 신장에서 브라디키닌(Bradikinin, BK)의 생리적 역할을 규명하기 위한 첫 단계로 토끼신장 근위세뇨관의 일차배양세포를 이용, BK 수용체를 ($^3$H) BK를 이용하여 수용체결합실험을 함과 아울러 세포배양과정에서 여러 성장인자들의 BK 수용체발현에 미치는 영향을 관찰하였다. 첫째, 토끼 신장의 피질, 수질 및 근 위세뇨관 둥 각 부위에 대한 BK 수용체결합 실험결과 신수질 부분에 가장 많은 BK 수용체가 발견되었으며 이때 해리항수는 0.52 nM, 그리고 최대결합부위는 mg 단배질당 112.5 fmol이었다. 둘째, serum free 배지에서 insulin, transferrin 그리고 hydrocortisone이 성장인자로 사용될 때 BK 수용체발현이 가장 높았으며 이 중 인슐린에 가장 큰 영향을 받았다. 한편 인슐린의 최적농도를 결정하는 실험의 결과 5 $\mu\textrm{g}$/ml매서 가장 높은 수용체발현을 나타내었으며 그 이상에서는 별다른 차이를 보이지 못했다. 세째, 위의 세 성장인자에 prostaglandin E$_1$이나 triiodothyronine을 첨가시 BK 수용체발현은 오히려 저하되었다. 네째, fetal bovine serum (FBS)과 위의 세 성장인자간의 수용체발현능을 비교한 실험에서 세포배양 후 첫 일주일에는 FBS가 세 성장인자보다 약간 나은 수용체발현능을 나타내었으나 그후 이주째에는 세 성장인자가 BK 수용체발현에 더 적절한 요소임을 보여주었다. 이상의 결과로 보아 토끼 근위세뇨관 상피세포에서의 BK 수용체발현은 세포성장인자로 insulin, transferrin, hydrocortisone 중 insulin에 가장 큰 영향을 받는것으로 보이며, 이들 세가지 성장인자는 serum free 배지에서 세포성장 및 기능에 많은 영향을 주는 것으로 생각된다.prolidine이 $K_{M}$ /K$_{H}$ 비가 가장 높았고 diphenidol이 가장 낮았다. 이상의 결과로 보아 항 histamine제의 muscarinic receptor 차단작용은 이들 약물의 항 alleragy 효과에 필요한 작용이 아니며 본 실험에서 추정된 항 histamine제의 H$_1$-receptor와 muscarinic receptor에 대한 상대적 역가는 이들 약물의 선택과 평가에 중요한 지표가 될수 있을 것으로 생각된다.ing ischemic insults. The nature of the receptor is being explored by molecular genetic techniques, and we have recently cloned two of the major subunits; some of the data will be presented.LIFO, 우선 순위 방식등을 선택할 수 있도록 확장하였다. SIMPLE는 자료구조 및 프로그램이 공개되어 있으므로 프로그래머가 원하는 기능을 쉽게 추가할 수 있는 장점도 있다. 아울러 SMPLE에서 새로이 추가된 자료구조와 함수 및 설비제어 방식등을 활용하여 실제 중형급 시스템에 대한 시뮬레이션 구현과 시스템 분석의 예를 보인다._3$", chain segment, with the activation energy of carriers from the shallow trap with 0.4[eV], in he amorphous regions.의 증발산율은 우기의 기상자료를 이용하여 구한 결과 0.05 - 0.10 mm/hr 의 범위로서 이로 인한 강우손실량은 큰 의미가 없음을 알았다.재발이 나타난 3례의 환자를 제외한 9례 (75%)에서는 현재까지 재발소견을 보이지 않고 있다. 이러한 결과는 다른 보고자들과 유사한 결과를

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베르누이법 의한 장잔광성 $SrAl_2O_4:Eu^{2+},\;Dy^{3+}$ 단결정 성장 (Growth of long persistent $SrAl_2O_4:Eu^{2+},\;Dy^{3+}$ phosphor single crystals by the Verneuil method)

  • 남경주;최종건
    • 한국결정성장학회지
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    • 제15권6호
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    • pp.225-228
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    • 2005
  • 본 연구에서는 장잔광성 $SrAl_2O_4:Eu^{2+},\;Dy^{3+}$ 단결정을 베르누이법으로 성장시켰다. 성장된 $SrAl_2O_4:Eu^{2+},\;Dy^{3+}$ 단결정은 지름이 5 mm, 길이는 55 mm이다. 상온(300 K)과 저온(15 K)에서 각각 photoluminescence를 측정한 결과, 상온에서는 ${\lambda}=526nm$에서만 나타났으나, 저온에서는 454nm 영역과 526nm 영역에서 발광피크를 나타내었다. 이는 형광도료로 사용되는 분말과 유사한 결과이다. 결정성장 시 적외선 광고온계로 녹는점을 측정한 결과는 $1968^{\circ}C$였다. 결정을 성장시키는 최적의 조성은 $SrCO_3:Al(OH)_3:Eu_2O_3:Dy_2O_3$ = 1 : 2 : 0.015 : 0.02이고 $H_2:O_2$의 혼합비는 약 4 : 1이다. 성장속도는 시간당 5mm이다. 성장된 단결정의 결정구조는 XRD로 측정하였다.