• Korean Journal of Heritage: History & Science
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• v.46 no.2
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• pp.136-149
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• 2013

We studied the characteristics and the growth mechanism of surface cracks from the Naksansa seven-storied stone pagoda(Treasure No. 499). The pagoda is composed of both medium-grained, porphyritic biotite granite and hornblende-biotite granite. Alkali feldspar megacrysts are easily found as phenocrysts in the rocks. Surface cracks intensely developed at the lower part of the stone pagoda, and their directions are of vertical, horizontal, and diagonal. The rocks of the pagoda have intrinsic microcracks which can be defined as rift and grain rock cleavages. Both rock cleavages seems likely to have led to the crack growth and consequently to the mechanical deterioration of the pagoda. The vertical cracks developed parallel to the vertical compressive stress, whereas horizontal ones formed by tensile strength normal to the vertical compression. In addition mineral cleavages and twin planes of alkali feldspar phenocrysts seems to have been closely related to the mechanical breakdown of the rocks in the NE part of the pagoda.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2003.05c
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• pp.1741-1744
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• 2003

본 논문에서는 NHPP 에 근거한 N 버전 프로그래밍 시스템의 SRGM 을 제안한다. 비록 많은 연구 논문에서 NVP, 시스템 신뢰도에 대해서 연구노력을 기울여 왔지만 그들 대부분이 안정된 신뢰도에 대해서만 고려해 왔다. 테스트 및 디버깅 동안 결함이 발견되면 디버깅 노력은 결함을 제거하는데 집중된다. 소프트웨어가 너무 복잡하므로 이러한 결함을 성공적으로 제거한다는 것이 쉽지 않으며, 또 다른 새로운 결함이 소프트웨어에 도입될 수도 있다. 일반화된 NHPP 모델을 NVP 시스템에 적용하여 새로운 NVP-SRGM이 수립된다. 제어시스템에 대한 단순화된 소프트웨어 제어에서 이러한 새로운 소프트웨어 신뢰도 모델을 어떻게 적용하는지를 보여주고 있다. 소프트웨어 신뢰도평가에 s 신뢰도 구간을 준비하였다. 이 소프트웨어 신뢰도 모텔은 신뢰도를 평가하는데 쓰일 수가 있어서 NVP 시스템의 성능을 예측하는데 쓰일 수 있다. 일반적인 산업사회에 적용하여 상용화하기 위해서는 내결함 소프트웨어의 신뢰도를 정량화하기 위해 제안된 NVP-SRGM을 충분히 인증하는데 좀더 적용이 필요하다. NVP 신뢰도 성장 모델링을 하는 이러한 종류의 첫 모델로서 제안된 NVP-SRGM은 독립 신뢰도 모델의 단점을 극복하는데 쓰일 수 있다. 이는 독립적인 모델보다 더욱 더 정확하게 시스템 신뢰도를 예측할 수 있으며, 언제 테스트를 중단해야 하는가를 결정하는 데에도 쓰일 수 있으며, 이는 NVP 시스템 개발 수명주기 단계를 테스트 및 디버깅함에 있어서 핵심 질문사항이다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2001.10a
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• pp.397-400
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• 2001

본 논문에서는 운전 단계중의 상용소프트웨어 성장활용을 설명한 수 있고 또 현장 고장 데이타로부터 활용성장을 예측하는데 관계되는 인자를 결합할 수 있는 새로운 모델을 개발한다. 이 모델은 상용 소프트웨어의 실제 황용이 시간의 멱수 함수로 나타난다는 가정으로부터 생기는 웨이블 분포에 근거한다. 선형신뢰도모델은 잔여결함의 평균크기와 작업량이 일정하고 겉보기 결함밀도가 실제 결함밀도와 동일하다는 가정 하에 유도된다. 기하학적모델은 결함을 수정함에 따라 평균결합크기가 기하학적으로 감소한다는 가정에 있어서 파이가 있다. 한편, Rayleigh모델은 잔여 결함의 평균크기가 시간에 따라 선형적으로 감소한다는 가정에 있어서 차이가 있다. 본 논문에서는 소프트웨어의 신뢰도 요인의 거동을 가정하여 이러한 다양성을 수용하기 위한 모델링을 하였다.

• The korean journal of orthodontics
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• v.37 no.1 s.120
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• pp.16-28
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• 2007

Objective: Evaluation of individual growth is important in orthodontics. The aim of this study was to develop a convenient software that can evaluate current growth status and predict further growth. Methods: Stature data of 2 to 20 year-old Koreans (4893 boys and 4987 girls) were extracted from a nationwide data. Age-sex-specific continuous functions describing percentile growth curves were constructed using natural cubic spline function (NCSF). Then, final stature prediction algorithm was developed and its validity was tested using longitudinal series of stature measurements on randomly selected 200 samples. Various accuracy measurements and analyses of errors between observed and predicted stature using NCSF growth curves were performed. Results: NCSF growth curves were shown to be excellent models in describing reference percentile stature growth curie over age. The prediction accuracy compared favorably with previous prediction models, even more accurate. The current prediction models gave more accurate results in girls than boys. Although the prediction accuracy was high, the error pattern of the validation data showed that in most cases, there were a lot of residuals with the same sign, suggestive of autocorrelation among them. Conclusion: More sophisticated growth prediction algorithm is warranted to enhance a more appropriate goodness of model fit for individual growth.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.3
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• pp.85-88
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• 2001

High oxygen pressure has been applied for a floating zone (FZ) crystal grower in order to grow high quality $TiO_2$(rutile) single crystals suitable for optical application. The $TiO_2$ crystals, grown under 0.3, 0.4, 0.5, and 0.8MPa oxygen pressure respectively, are all transparent and dark blue. The degree of the presence of sub-grain boundary in the crystal differs from the applied oxygen pressure. In particular, $TiO_2$ single crystals grown under0.5 MPa showed sub-grain boundary-free and estimated good for optical devices.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.223-223
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• 2010

InSb 물질은 다른 III-V족 물질들과 비교해서 bandgap이 낮고 전자 이동도가 높아, 소자 구현 시 낮은 전압으로도 고속 동작 특성을 제어할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 Si, GaAs 또는 InP 등 쉽게 구할 수 있는 기판과 격자 부정합이 커서 상기 기판에 성장시 많은 defect가 존재하는 단점이 있다. 그러므로 이를 상기 기판에 성장하는데 meta-morphic이라 불리는 성장 기술이 요구되는 어려움이 있다. 본 발표에서 Semi-insulating GaAs 기판위에 고품질의 InSb 박막을 성장하기 위해 grading buffer technique을 도입하며 이에 대한 여러 가지 비교실험과 함께 최적의 성장 방법과 기술에 대해 논의 한다. GaAs와 InSb 물질사이의 bandgap과 격자 부정합을 고려하여 AlSb 물질을 먼저 성장하면서 동시에 InxAl1-xSb로 변화를 주어 InSb 박막이 성장되도록 하였다. ($x=0{\rightarrow}1$). 성장 온도 변화 및 In과 Al의 조성비에 변화를 주어 grading 기법으로 성장하였고 상기 grading buffer위에 InSb 박막을 0.65um 성장하였다. $10um{\times}10um$ AFM 측정결과 2.2nm 정도의 표면 거칠기를 가지며 상온에서의 전자 이동도는 약 46, 300 cm2/Vs 이고 sheet electron density는 9.47(e11) /cm2의 결과를 확인하였다. 실험결과 InSb 박막을 올리는데 있어 가장 고려할 사항인 GaAs 기판과 InSb 박막 사이에 존재하는 격자 부정합을 어떻게 해결하는가에 대해서, 기존의 여러가지 방법과 비교해서 grading buffer 기술이 유효하다는 것을 증명하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.57-57
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• 2011

저차원 나노구조인 자발형성 양자점은 그 우수한 전기적, 광학적 특성으로 많은 주목을 받고 있다. 이미 양자점을 이용한 소자들의 우수성이 입증이 되고 있다. 그러나 양자점의 형성은 단결정 기판 위에서 Stranski-Krastanow 성장 방법을 통해 일어나기 때문에 성장표면에 존재하는 표면 계단구조 등의 국부적인 표면 불균일성에 의해서 모두 동시에 형성되는 것은 아니다. 표면 핵생성의 시간차에 의해 양자점의 크기 불균일성이 나타나게 되며 이는 양자점의 우수성을 저해하는 요인이 된다. 특히, 비정상적으로 크게 성장된 양자점은 내부에 전위 등의 결정결함을 내포하게 되고, 양자점의 우수한 광특성을 손상시키는 주 요인이 된다. 양자점의 우수한 광특성을 소자로 응용하기 위해서는 이러한 비정상적으로 큰 양자점이 없으면서 균일한 양자점을 성장하는 것이 매우 필요하다. 본 발표에서는 그 동안 본 연구실에서 제안한 새로운 양자점 성장 방법에 대한 소개를 하고자 한다. 유기화학금속화학성장(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 도중에 V족 소스가스인 $AsH_3$의 주입을 주기적으로 끊어 주는 새로운 성장 방법(Periodic Arsine Interruption; PAI)을 제안하였다. 이 방법을 통해서 비정상적으로 형성되는 큰 양자점을 완전히 제거할 수 있었다. $AsH_3$을 끊어주는 시간 동안에 표면에서 As의 탈착을 유도하여 표면을 In-rich 쪽으로 유도하였고, 이렇게 함으로써 성장 표면에너지를 높은 쪽으로 바꾸어 줌으로써 핵생성을 위한 표면 roughening이 시작되는 것을 억제하였다. 이렇게 함으로써 미리 핵생성이 되어 비정상적으로 크게 성장하는 양자점으로 억제하면서 거의 동시에 모든 양자점이 핵생성되게 유도하였다. $AsH_3$의 주입 방법의 변화에 따른 양자점의 형성 거동을 연구함으로써 PAI 의 메카니즘을 이해할 수 있었다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.5 no.1
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• pp.63-70
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• 1996

Silicon epitaxial films of submicron level were successfully grown by the RTCVD method. For the growth of silicon epitaxial layers, $SiH_{2}Cl_{2}\;/\;H_{2}$ gas mixtures and various process parameters including $H_{2}$ prebake process were used. The growth conditions were varied to investigate their effects on the interface abruptness of doping profile, the film growth rates and crystalline properties. The crystallinity of the undoped silicon was excellent at the growth temperature of $900^{\circ}C$. The doping profiles were measured by SIMS technique. The abruptness of doping profile would be controlled within about $200{\AA}/decade$ in the structure of undoped Si / $n^{+}-Si$ substrate.

• Korean Journal of Fisheries and Aquatic Sciences
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• v.19 no.6
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• pp.593-598
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• 1986

The growth of the pearl oyster, Pinctada fucata was compared between two areas, Hansan Bay and Ilkwang located in southern part and in southeast part of Korean waters respectively, from November 1984 to June 1986. The pearl oysters in Hansan Bay grew from 2.53cm to 6.07 cm in shell length in 17 months, while those in Ilkwang grew from 2.53 cm to 4.07 cm in 19 momths. Shell height, shell breadth and total weight of the pearl oysters in Hansan Bay also showed more rapid growth than those in Ilkwang. The relative growth of shell breadth to shell length in specimens between Hansan Bay and Ilkwang showed a significant difference indicating that the value in Ilkwang is bigger than that in Hansan Bay, It is also suggested that Hansan Bay is a good area for the growth and Ilkwang, an area worth wintering of the pearl oyster.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.25 no.1
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• pp.1-5
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• 2015

For the special usage, the effort of developing AlN single crystals has been very hot in the world. The AlN-base UV LEDs are used on the field of sterilization, purification, curing and analyzing, which can advance human's living and medical processes etc.. AlN single crystals were grown by the PVT (Physical vapor transport) method. On the growing process, carbon crucibles with three different types such as normal size, taller than normal and wider than normal were used for comparison. The processing temperature was in the range of $1900{\sim}2100^{\circ}C$ and ambient pressure was 200~1 Torr. When the taller crucible was used, the sublimation mass was greater than normal dimension one but the best condition of growth changes widely. However the wider one gave much sublimation mass and growing condition was more stable than normal dimension. On limited growing furnace system, the changes of crucible dimension of PVT method provide the change of best condition for growth rate, as-grown crystal quality and growth condition stability.