• Title/Summary/Keyword: 결함 성장

Search Result 9,578, Processing Time 0.038 seconds

The growth and defects of GaN film by hydride vapor phase epitaxy (HVPE GaN film의 성장과 결함)

  • 이성국;박성수;한재용
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
    • /
    • v.9 no.2
    • /
    • pp.168-172
    • /
    • 1999
  • The 9 $\mu\textrm{m}$ GaN films on sapphire substrate were grown by Hydride vapor phase epitaxy. Dislocation density of these GaN films was measured by TEM. GaN film with crack free and mirror surface was directly grown on sapphire substrate. The dislocation density of this GaN film was $2{\times}10^9/cm^2$. The surface of GaN film on patterned GaN layer also presented a smooth mirror. But a part of GaN surface included holes because of incomplete coalescence. The dislocation density of GaN film above the mask region was lower than that in the window region. Especially, the dislocation density in the region between mask center and window region was close to dislocation free. The average dislocation density of ELO GaN was $8{\times}10^7/cm^2$.

  • PDF

Growth of potassium lithium niobate (KLN) single crystal with high $Nb_2O_5$content ($Nb_2O_5$함량이 높은 potassium lithium niobate(KLN) 단결정의 성장)

  • 강길영;윤종규
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
    • /
    • v.8 no.3
    • /
    • pp.396-400
    • /
    • 1998
  • The physical properties of KLN single crystals very significantly according to the $Nb_2O_5$ content in grown crystal, therefore, it is very important to control the composition of KLN single crystals. In this study, KLN single crystals of high content $Nb_2O_5$ were grown by temperature fluctuation and TSSG (Top-seeded solution growth) methods with increasing the $Nb_2O_5$ content of starting solution. To investigate the existence of defect due to the increase of $Nb_2O_5$ content, dielectric and optical properties were measured. Due to the increase of defects in grown KLN single crystal, the shift of cutoff-frequency to lower energy and a broad Curie range, which shows the DPT (diffuse phase transition) characteristics, were observed.

  • PDF

A Study on the Growth of $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP Epitaxial Layers for HEMT by MBE (MBE에 의한 HEMT 소자용 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 에피택셜층 성장 연구)

  • 노동완;이해권;이재진;이재진;편광의;남기수
    • Journal of the Korean Vacuum Society
    • /
    • v.4 no.2
    • /
    • pp.177-182
    • /
    • 1995
  • 저잡음 HEMT소자 제작을 위한 에피택셜 기판을 MBE방법을 이용하여 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 물질계로 성장하였다. 기판온도의 변화, 채널층과 격리층 사이의 성장 일시 멈춤 등의 성장 조건 변화에 따른 Hall 이동도의 변화를 연구하였다. 전자 공급층을 Si으로 델타도핑한 결과 같은 조건에서 성장기판의 온도를 $520^{\circ}C$에서$ 540^{\circ}C$로 증가시키면 실온의 전자이동도는 7,850$\textrm{cm}^2$/Vsec으로 증가하였으며, 격리층과 채널층 사이에서 약 50초간 성장중 채널층의 표면 adatom의 surface migration 시간을 충분히 제공하여 결정결함의 감소로 계면의 급격성이 향상된 결과로 사료된다. 본 실험을 통하여 얻은 최고 이동도 값은 격리층의 두께가 $100\AA$인 경유에 상온 측정결과 $11,400\textrm{cm}^2$/vsec 및 77K 측정결과 $50,300\textrm{cm}^2$/Vsec이었다.

  • PDF

Single crystals growth and properties of $LiNbO_{3}$ doped with MgO or ZnO : (I) Single crystals growth and their defect structure (MgO 또는 ZnO를 첨가한 $LiNbO_{3}$ 단결정 성장 및 특성 : (I) 단결정 성장 및 결함구조)

  • Cho, Hyun;Shim, Kwang-Bo;Auh, Keun-Ho
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
    • /
    • v.6 no.3
    • /
    • pp.368-376
    • /
    • 1996
  • $LiNbO_{3}$ single crystals (undoped, 5 mol% MgO-doped and 5 mol% ZnO-doped) were grown by the floating zone method which has the characteristics of a compositional homogeneity and uniform distribution of the dopants. The optimum growth condition was established experimentally and the defect structures such as domain structure, dislocation structure, slip band, and microtwins were characterized using a microscopic method.

  • PDF

Growth of ${\gamma}-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$ Single Crystals by EFG Method (EFG법에 의한 ${\gamma}-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$)

  • ;;Kei-Miyamoto
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
    • /
    • v.1 no.2
    • /
    • pp.34-45
    • /
    • 1991
  • The fundamental conditions for growing $r-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$ (BGO) single crystal plates by EFG (Edge -defined Film-fed Growth) method, were investigated and the characterization, quality test were carried out for obtained BGO single crystal plates. The optimum growing conditions determined in this study were as follows: ${\cdot}$ temperature gradient: 22^{\circ}C/cm

  • PDF

AC based AAO NanoStructure Growth Control (교류 전압에 의한 AAO 나노 구조 성장 제어)

  • Park, So-Jeong;Huh, Jung-Hwan;Yee, Seong-Min;Lee, Kang-Ho;Kim, Gyu-Tae;Park, Sung-Chan;Ha, Jeong-Sook
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
    • /
    • 2005.07a
    • /
    • pp.87-88
    • /
    • 2005
  • AAO(Anodic Aluminum Oxide)는 양극산화 방법을 이용하여 얻을 수 있는 알루미늄의 다공성 산화막이다. 기존의 방법에서는 DC전압을 이용하여 AAO를 성장시켰는데 본 연구에서는 AC전압을 이용하여 AAO의 성장 특성을 제어하였다. 전압원으로 DAQ를 사용하였는데 출력전압을 증폭하기 위하여 2 단 차동증폭기를 제작하였다. 실험 결과는 AAO 기판의 SEM 사진을 촬영, 분석함으로써 얻을 수 있었다. SEM 시진을 분석한 결과 pore size는 전압의 변화에 큰 영향을 받지 않음을 알 수 있었던 반면 성장 길이는 AC전압의 주기가 증가함에 따라 길어지는 성향을 확인할 수 있었다. 또한 주기와 AAO 성장 길이와의 관계를 로그스케일 그래프로 나타내보면 선형적인 특성을 나타내었다. 이를 통해 인가한 전압의 주파수에 따라 AAO의 성장 길이를 예측할 수 있었다.

  • PDF

The effects of hydrogen treatment on the properties of Si-doped Ga0.45In0.55P/Ge structures for triple junction solar cells

  • Lee, Sang-Su;Yang, Chang-Jae;Ha, Seung-Gyu;Kim, Chang-Ju;Sin, Geon-Uk;O, Se-Ung;Park, Jin-Seop;Park, Won-Gyu;Choe, Won-Jun;Yun, Ui-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2010.08a
    • /
    • pp.143-144
    • /
    • 2010
  • 3-5족 화합물 반도체를 이용한 집광형 삼중 접합 태양전지는 40% 이상의 광변환 효율로 많은 주목을 받고 있다[1]. 삼중 접합 태양전지의 하부 셀은 기계적 강도가 높고 장파장을 흡수할 수 있는 Ge이 사용된다. Ge위에 성장될 III-V족 단결정막으로서 Ge과 격자상수가 일치하는 GaInP나 GaAs가 적합하고, 성장 중 V족 원소의 열확산으로 인해 Ge과 pn접합을 형성하게 된다. 이때 GaInP의 P의 경우 GaAs의 As보다 확산계수가 낮아 태양전지 변환효율향상에 유리한 얇은 접합 형성이 가능하고, 표면 에칭효과가 적기 때문에 GaInP를 단결정막으로 선택하여 p-type Ge기판 위 성장으로 단일접합 Ge구조 제작이 가능하다. 하지만 이종접합 구조 성장으로 인해 발생한 계면사이의 전위나 미세결함들이 결정막내부에 존재하게 되며 이러한 결함들은 광학소자 응용 시 비발광 센터로 작용할 뿐 아니라 소자의 누설전류를 증가시키는 원인으로 작용하여 태양전지 변환효율을 감소시키게 된다. 이에 결함감소를 통해 소자의 전기적 특성을 향상시키고자 수소 열처리나 플라즈마 공정을 통해 수소 원자를 박막내부로 확산시키고, 계면이나 박막 내 결함들과 결합시킴으로서 결함들의 비활성화를 유도하는 연구가 많이 진행되어 왔다 [2][3]. 하지만, 격자불일치를 갖는 GaInP/Ge 구조에 대한 수소 열처리 및 불순물 준위의 거동에 대한 연구는 많이 진행되어 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 Ga0.45In0.55P/Ge구조에 수소 열처리 공정을 적용을 통하여 단결정막 내부 및 계면에서의 결함밀도를 제어하고 이를 통해 태양 전지의 변환효율을 향상시키고자 한다. <111> 방향으로 $6^{\circ}C$기울어진 p-type Ge(100) 기판 위에 유기금속화학증착법 (MOCVD)을 통해 Si이 도핑된 200 nm의 n-type GaInP층을 성장하여 Ge과 단일접합 n-p 구조를 제작하였다. 제작된 GaInP/Ge구조를 furnace에서 250도에서 90~150분간 시간변화를 주어 수소열처리 공정을 진행하였다. 저온 photoluminescence를 통해 GaInP층의 광학적 특성 변화를 관찰한 결과, 1.872 eV에서 free-exciton peak과 1.761 eV에서 Si 도펀트 saturation에 의해 발생된 D-A (Donor to Acceptor)천이로 판단되는 peak을 검출할 수 있었다. 수소 열처리 시간이 증가함에 따라 free-exciton peak 세기 증가와 반가폭 감소를 확인하였고, D-A peak이 사라지는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 결과는 수소 열처리에 따른 단결정막 내부의 수소원자들이 얕은 불순물(shallow impurity) 들로 작용하는 도펀트들이나, 깊은 준위결함(deep level defect)으로 작용하는 계면근처의 전위, 미세결함들과의 결합으로 결함 비활성화를 야기해 발광세기와 결정질 향상효과를 보인 것으로 판단된다. 본 발표에서는 상술한 결과를 바탕으로 한 수소 열처리를 통한 박막 및 계면에서의 결함준위의 거동에 대한 광분석 결과가 논의될 것이다.

  • PDF

Chlorella 대량 배양을 위한 농업용 비료에 trace element의 첨가 효과

  • 배진희;이계안;허성범
    • Proceedings of the Korean Aquaculture Society Conference
    • /
    • 2003.10a
    • /
    • pp.88-89
    • /
    • 2003
  • Rotifer의 먹이 생물로 이용되는 Chlorella의 대량 배양에는 농업용 비료가 널리 이용되고 있다. 그러나 농업용 비료만을 사용할 경우 f/2배지에 비해 성장이 낮은 단점이 있다. 따라서 본 연구는 농업용 비료 배지에 여러 가지 미량 성분을 첨가하여 그 성장 변화를 측정하고, 고밀도 대량 배양에 필요한 미량 원소 성분을 파악하고자 하였다. 먼저 Chlorella의 대량 배양에 이용되는 농업용 비료 배지(복합, 요소비료)에 실내 배양에 주로 이용되는 f/2배지의 trace element 성분 중 코발트(Co), 구리(Cu), 아연(Zn) 및 몰리브덴(Mo)를 f/2배지의 함량을 기준으로 각각 0.5, 1.0, 1.5 및 2.0배로 첨가하여 $25^{\circ}C$, 5,000 lux 연속조명, 15$\textperthousand$에서 배양한 결과 각 미량 원소의 첨가 함량이 높을수록 Chlorella의 성장은 높게 나타났다. 전체 실험구 중에서 아연 2.0배, 구리 2.0배를 첨가한 비료 배지에서 S.G.R.이 각각 0.3598, 0.3599의 성장을 나타내었으며, 아연과 구리 성분을 첨가한 Chlorella에서 높은 성장률을 보였다. 위의 실험에서 첨가효과가 좋은 Cu와 Zn 2.0배와 철(Fe)과 망간(Mn)을 같은 비율(0.5~2.0배)로, 다시 배양한 결과, Cu 2.0배와 Zn 2.0배는 S.G.R.이 각각 0.6283과 0.6231로 가장 높았으며, Fe 2.0배, Mn 2.0배와 1.5배에서 S.G.R이 각각 0.6210, 0.6200, 0.6183의 높은 성장률을 나타내었다. 위의 실험에서 농업용 비료에 첨가된 모든 trace element 중에서 가장 좋은 성장을 나타낸 구리(Cu) 성분의 정확한 공급 농도를 파악하기 위하여 농업용 비료에 2, 3, 4 및 5배를 첨가하여 $25^{\circ}C$, 5,000 lux, 15$\textperthousand$에서 배양한 결과, S.G.R.이 CU 함량을 3배로 첨가하였을 경우 2716$\times$$10^4$cells/$m\ell$로 가장 높은 세포 밀도를 나타내었다. 또한 5종의 trace element (Fe, Mn, Zn, Cu, Co)를 혼합하여 비료 배지(1.25배)에 첨가하여 미량 원소간의 상호 작용에 대해서 알아 본 결과, Fe와 Mn 두가지 성분만을 농업용 비료 배지에 혼합하였을 경우 세포수가 2720$\times$$10^4$cells/$m\ell$로서 높은 성장을 나타내었다. 다음으로 Fe, Mn, Zn 및 Cu 4종을 모두 혼합하여 첨가한 실험구가 2608$\times$$10^4$ cells/$m\ell$ 높은 세포 밀도를 나타내었다. 이러한 결과로서 옥외에서 농업용 비료배지에 구리(Cu, f/2배지 기준 3.0배)성분을 첨가함으로써 Chlorella의 성장을 효율적으로 향상시킬 수 있을 것으로 판단된다.

  • PDF

브라디키닌 수용체 발현 및 길항제개발에 관한 연구

  • 정성현;이은순
    • Proceedings of the Korean Society of Applied Pharmacology
    • /
    • 1993.04a
    • /
    • pp.146-146
    • /
    • 1993
  • 신장에서 브라디키닌(Bradikinin, BK)의 생리적 역할을 규명하기 위한 첫 단계로 토끼신장 근위세뇨관의 일차배양세포를 이용, BK 수용체를 ($^3$H) BK를 이용하여 수용체결합실험을 함과 아울러 세포배양과정에서 여러 성장인자들의 BK 수용체발현에 미치는 영향을 관찰하였다. 첫째, 토끼 신장의 피질, 수질 및 근 위세뇨관 둥 각 부위에 대한 BK 수용체결합 실험결과 신수질 부분에 가장 많은 BK 수용체가 발견되었으며 이때 해리항수는 0.52 nM, 그리고 최대결합부위는 mg 단배질당 112.5 fmol이었다. 둘째, serum free 배지에서 insulin, transferrin 그리고 hydrocortisone이 성장인자로 사용될 때 BK 수용체발현이 가장 높았으며 이 중 인슐린에 가장 큰 영향을 받았다. 한편 인슐린의 최적농도를 결정하는 실험의 결과 5 $\mu\textrm{g}$/ml매서 가장 높은 수용체발현을 나타내었으며 그 이상에서는 별다른 차이를 보이지 못했다. 세째, 위의 세 성장인자에 prostaglandin E$_1$이나 triiodothyronine을 첨가시 BK 수용체발현은 오히려 저하되었다. 네째, fetal bovine serum (FBS)과 위의 세 성장인자간의 수용체발현능을 비교한 실험에서 세포배양 후 첫 일주일에는 FBS가 세 성장인자보다 약간 나은 수용체발현능을 나타내었으나 그후 이주째에는 세 성장인자가 BK 수용체발현에 더 적절한 요소임을 보여주었다. 이상의 결과로 보아 토끼 근위세뇨관 상피세포에서의 BK 수용체발현은 세포성장인자로 insulin, transferrin, hydrocortisone 중 insulin에 가장 큰 영향을 받는것으로 보이며, 이들 세가지 성장인자는 serum free 배지에서 세포성장 및 기능에 많은 영향을 주는 것으로 생각된다.prolidine이 $K_{M}$ /K$_{H}$ 비가 가장 높았고 diphenidol이 가장 낮았다. 이상의 결과로 보아 항 histamine제의 muscarinic receptor 차단작용은 이들 약물의 항 alleragy 효과에 필요한 작용이 아니며 본 실험에서 추정된 항 histamine제의 H$_1$-receptor와 muscarinic receptor에 대한 상대적 역가는 이들 약물의 선택과 평가에 중요한 지표가 될수 있을 것으로 생각된다.ing ischemic insults. The nature of the receptor is being explored by molecular genetic techniques, and we have recently cloned two of the major subunits; some of the data will be presented.LIFO, 우선 순위 방식등을 선택할 수 있도록 확장하였다. SIMPLE는 자료구조 및 프로그램이 공개되어 있으므로 프로그래머가 원하는 기능을 쉽게 추가할 수 있는 장점도 있다. 아울러 SMPLE에서 새로이 추가된 자료구조와 함수 및 설비제어 방식등을 활용하여 실제 중형급 시스템에 대한 시뮬레이션 구현과 시스템 분석의 예를 보인다._3$", chain segment, with the activation energy of carriers from the shallow trap with 0.4[eV], in he amorphous regions.의 증발산율은 우기의 기상자료를 이용하여 구한 결과 0.05 - 0.10 mm/hr 의 범위로서 이로 인한 강우손실량은 큰 의미가 없음을 알았다.재발이 나타난 3례의 환자를 제외한 9례 (75%)에서는 현재까지 재발소견을 보이지 않고 있다. 이러한 결과는 다른 보고자들과 유사한 결과를

  • PDF

Growth of long persistent $SrAl_2O_4:Eu^{2+},\;Dy^{3+}$ phosphor single crystals by the Verneuil method (베르누이법 의한 장잔광성 $SrAl_2O_4:Eu^{2+},\;Dy^{3+}$ 단결정 성장)

  • Nam, Kyung-Ju;Choi, Jong-Keon
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
    • /
    • v.15 no.6
    • /
    • pp.225-228
    • /
    • 2005
  • We have grown the long persistent $SrAl_2O_4:Eu^{2+},\;Dy^{3+}$ phosphor single crystal by Verneuil method. The obtained single crystals were long persistent phosphorescence peaking at ${\lambda}=520nm$ with a size of about 5 mm diameter, 55 mm length. The melting temperature of $SrAl_2O_4:Eu^{2+},\;Dy^{3+}$ measured $T_{mp}=1968^{\circ}C$. The optimum composition was $SrCO_3:Al(OH)_3:Eu_2O_3:Dy_2O_3$ = 1 : 2 : 0.015 : 0.02. Flow rate of $H_2:O_2$ is about 4 : 1. Growthing rate is about 5 mm/hr. The spectra of the phosphorescence from the crystals are quite similar to those obtained with sintered powders used for luminous pigments. The crystalline structure of long persistent $SrAl_2O_4:Eu^{2+},\;Dy^{3+}$ phosphor single crystal was determined by X-ray diffraction.