• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.1
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• pp.41-49
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• 1993

두 층으로 이루어진 박막에서 이온선 혼합에 의해 형성되는 결정상 및 비정질상을 예측할 수 있는 새로운 모델을 제시하였다. 기존의 예측 모델과는 달리, 이온선 혼합 공정에서의 확산메카니즘에 영향을 미치는 변수로서 각 원소의 응집에너지와 침입형자리 크기 그리고, 이온반경을 이용하였다. 비정질상 형상 여부를 결정하는 인자로서 ADF(amorphization determinating factor)를 새로 정의하여 다음과 같이 모델식을 세웠다. 즉, ADF=C1(RB-rA)＋C2(Ecoh, max/Ecoh, min)＋$\alpha$이다. ADF가 양의 갓을 갖는 계는 이온선 혼합에 의해 비정질상이 형성되며 ADF가 음의 값을 갖는 계는 비정질상이 형성되지 않는다. 70여 가지의 금속/금속 및 금속/실리콘계에 대한 실험결과로부터 본 모델을 검증하였으며 아직까지 실험결과가 부족한 몇 가지 금속/실리콘계에 대해서 본 모델을 이용하여 비정질상 형성 여부를 예측하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.2
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• pp.269-277
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• 1998

The crystallization method determines the material quality and consequent device performance. This paper investigates the crystallization of a-Si:H films on various substrate materials and analyzes the crystallization effect with and without using eutectic forming metals. From the examinations of the various substrate materials, a metal Mo was selected for the a-Si:H films growth and subsequent crystallization of it. For a sample without any eutectic metal layer, we observed grain size of $0.8{\mu}m$ after $1100^{\circ}C$ anneal treatment. To reduce crystallization temperature, we used some of the eutectic forming metals such as Au, Al and Ag. Poly-Si films with grain size over $10{\mu}m$ and (111) preferential plains were achieved using a premetal layer of Au at an anneal temperature of $700^{\circ}C$. The various crystallization effects of eutectic metal thickness and type were investigated for photovoltaic (PV) device applications.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.11
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• pp.1097-1104
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• 2000

MOD(Metal-Organic-Decomposition)법에 의해 $Y_2$O$_3$버퍼층에 Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판 위에 제조한 후, 그 표면 위에 졸-겔 방법으로 YMnO$_3$박막을 형성하였다. 기판의 종류와 수화조건 변화가 YMnO$_3$박막의 결정화 거동에 미치는 영향을 고찰하였으며, 또한 $Y_2$O$_3$버퍼층 유.무에 따른 Mn의 산화상태를 확인하고 이에 따른 유전특성 변화를 연구하였다. $Y_2$O$_3$버퍼층을 삽입하지 않고 직접 기판 위에 형성한 YMnO$_3$박막의 결정상은 기판의 종류 및 Rw 변화에 관계없이 orthorhombic 구조임이 확인되었다. 반면, $Y_2$O$_3$버퍼층 위에 형성된 YMnO$_3$박막의 경우에는 Rw($H_2O$/alkoxide mole ratio)가 0~6 범위 내에서 낮아질술고 hexagonal 결정상 성장에 유리하였으며, 또한 Pt(111)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판이 Ptd(200)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si에 비하여 결정상 형성에 용이하였다. $Y_2$O$_3$버퍼층은 YMnO$_3$결정상 내에서 $Mn^{4+}$ 이온형성을 억제함으로써 누설전류밀도가 크게 감소되는 효과를 주었으며, 동시에 강유전 특성을 지닌 hexagonal 결정상 형성에 유리하게 작용하였다. 결론적으로, $Y_2$O$_3$는 Pt가 코팅된 Si 기판 위에 YMnO$_3$박막 제조시 그 강유전 특성을 향상시켜주는 우수한 버퍼층 재료임을 확인하였다.

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.9 no.8
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• pp.433-441
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• 2009

This paper searches for programs for creating increased employment in local society in important occupation sectors such as education and training services, insurance and social welfare services, culture and arts, housing and environmental service fields. As part of an improvement plan, while strengthening investment in education training infrastructure for the suppliers of social services, cooperation and coordination by the public and private sectors is necessary. Also necessary are identifying model social enterprises that are based upon joint efforts for success of social enterprises and publicity efforts necessary.

• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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• 1997.11a
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• pp.337-343
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• 1997

일반적으로 안전가공경로를 위한 기계그룹형성 및 부품결정모델을 위하여 각 기계에는 제한된 형태의 공구저장소(Tool Magagine)를 장착하고 있으며, 공구저장소에는 기계에서 가공되어질 안전공정을 수행할 공구를 보유하고 있고 이러한 기계들은 필요한 공구를 경제적으로 안전관리하거나, 기계이용율을 증가 또는 준비시간을 감소시키기 위해서 여러개의 그룹으로 형성되어지고 있다. 일반적으로 안전가공경로 기계그룹형성의 목적은 다음과 같다. 1) 자제이동비용의 최소화 2) 기계중복사용의 최소화 3) Cell간 이동비용의 최소화 4) 부품의 대체경로를 제공 5) 기계그룹간 작업부하불균등문제 최소화 6) 안전가공경로 최소화 (중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.353-353
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• 2010

본 논문에서는 소스와 드레인의 형성에 있어서 implantation 이 아닌 silicide를 형성시켜서 최고온도 $500^{\circ}C$가 넘지않는 저온공정을 실현하였고, silicon-on-insulator (SOI) 기판이 아닌 solid phase crystallization (SPC) 결정화 방법을 이용하여 결정화 시킨 SPC-TFT 기판을 사용하였다. Silicide 의 형성은 pt를 증착하여 furnace에서 열처리를 실시하여 형성하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.19 no.5
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• pp.246-250
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• 2009

The Ni formation behavior from the reduction of NiO nano crystals in the $H_2/N_2$ gas mixtures. The NiO nano crystals were synthesized by heat-treating nickel nitrate$(Ni(NO_3)_2\cdot6H_O)$ in the air at $500^{\circ}C$, and had an octahedral shape and the particle size of 200~500 nm. The NiO nano-crystals had well-developed (111) planes which is hardly formed in normal synthetic conditions. The reduction process was carried out at 300 and $600^{\circ}C$ for 15 and 60 minutes, respectively. When the NiO nano-crystals were reduced at $300^{\circ}C$, the Ni particles sustained the same octahedral shape as NiO, while Ni particles were to agglomerate at $600^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.482.1-482.1
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• 2014

고효율 셀 및 생산 단가 절감은 결정질 실리콘 태양전지에서 가장 중요시되고 있는 이슈이다. 그 중 박형 실리콘 웨이퍼를 사용하는 공정은 고효율 및 생산단가의 절감을 만족시킬수 있는 방안으로 개발되고 있으며, 전면 전극 재료인 Ag를 다른 금속 재료로 대체하는 방법 또한 단가 절감을 위한 방안으로 연구가 진행 중이다. 하지만 박형 웨이퍼를 기존 공정에 적용할 시 전후면 전극 형성을 위한 고온의 소성 공정 때문에 웨이퍼의 휨 현상이 문제가 되고 있다. Cu 금속 분말의 저온 분사법을 결정질 실리콘 태양전지 전면전극 형성에 적용할 경우, 박형 실리콘 웨이퍼에 적용하는 문제와 Ag 전극의 대체 전극 사용 문제를 동시에 해결할 수 있는 대안이 될 것으로 사료된다. 본 연구에서는 Cold spray법을 사용하여 결정질 실리콘 태양전지 에미터 위에 Cu 전면 전극을 형성하였으며 반복되는 증착 횟수에 따른 전기적 특성 및 형상학적 특성 등을 평가하였다. 전극 형성 전의 Cu 분말 크기는 1~10 마이크론 이었으며, 주사전자현미경을 이용하여 전극의 형상 및 종횡비를 측정하였다. 또한 transfer length method (TLM) 패턴을 실리콘 웨이퍼 표면에 형성하여 접촉 저항 특성 및 전극의 비저항을 평가하였다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.35 no.5
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• pp.505-511
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• 1998

The silicide formation mechanisms of Co/Hf and Co/Nb bilayer on (100) Si have been investigated. We ob-served that crystallographic orientationso f the 500$^{\circ}C$ formed cobalt silcides were different each other with the varying intermediate layers. Epitaxial and non-epitaxial CoSi2 formed simultaneously in Co/Hf/(100Si. While only non-epitaxial CoSi2 formed in Co/Nb/(100) Si. The reason why the crystallographic orientation of CpSi2 is different for those two systems seemed to be relate to the formation and decomposition of stable reaction barriers at high temperature. The stable reaction barrier formed at high temperature could control the uniform diffusion of Co atoms which enables epitaxial growth of CoSi2.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.3
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• pp.211-218
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• 2000

$PbZrO_3$precursor was prepared for the spin coating on the Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate. Two different heat treatment methods were used and the differencies were studied. One of the method is that the films were inserted into the furnace for 30 minutes and the other is that the films were annealed by rapid thermal annealing (RTA) for 1 minute at the same temperatures. We also examined the tendency of crystallization by annealing at the fixed temperature, $700^{\circ}C$ as a function of time, namely during 1, 10, 20, and 30 minitues, respectively. The optimum conditions for the crystallization of these films were at $550^{\circ}C$ during 30 min. and at $700^{\circ}C$ during 10 min. in muffle furnace and at $650^{\circ}C$ during 1 min in RTA furnace. The best condition for making good quality grains needs 30 min. at $700^{\circ}C$.