본 연구에서는 연신정도가 다른 완전배향사(FDY)와 부분배향사(POY)를 열처리시켜 내부구조변화를 유도한 후 염색성을 연구하였고, 염색성과의 관련성을 위해 결정화도 및 복굴절룰을 조사하였다. 열처리는 silicone oil속에서 정장상태로 실시하였으며, 시료의 염색은 Disperse Yellow 42를 이용해 무한염욕상태에서 실시하였다. 그리고, DMF를 이용해 염료를 추출시킨후 spectrophotometer 로 염료흡착량을 측정하였다. 결정화도는 밀도-결정화도 관계식으로 구하였으며, 복굴전률은 편광현미경으로 시료의 두께와 retardation을 측정한 후 계산하였다. FDY와 POY 필라멘트사의 염색성은 열처리시 감소하였으며 POY의 염색성이 FDY보다 우수했다. 결정화도는 열처리시 증가하였으며 열처리되지 않은 POY가 열처리되지 않은 FDY에 비해 낮은 값을 나타냈다. 복굴절률은 열처리시 증가하였으며 열처리되지 않은 POY가 열처리되지 않은 FDY에 비해 낮은 값을 나타냈다. 열처리후에도 POY가 FDY보다 낮은 복굴절률을 나타낸 반면 결정화도는 열처리된 POY가 열처리된 FDY와 비슷한 값을 나타냈다. 염색성은 결정화도와 배향도에 부적인 상관관계 즉 결정화도와 배향도가 증가함에 따라 염색성은 감소하는 관계를 시사했다.
최근 태양광 시장은 생산량 증가와 제조단가 하락이 동시에 이루어지고 있으며 결정질 실리콘 태양전지가 시장을 주도하고 있다. 그 중에서도 결정질 실리콘 태양전지는 제조단가의 40% 이상을 차지하는 실리콘 원자재 비용을 줄이기 위해 두께를 줄이고자하는 노력에 관심이 집중되고 있다. 본 논문에서는 상용 결정질 실리콘 태양전지에서 사용되는 기술이 박형 결정질 실리콘 태양전지에 적용될 때 생기는 문제점과 이를 극복하기 위한 기술에 대해 박형 실리콘 웨이퍼, 박형 결정질 실리콘 태양전지, 박형 결정질 실리콘 태양전지 모듈 전반에 걸쳐 논하려고 한다.
반도체 나노결정은 양자구속효과(quantum confinement effect)에 의한 광학적인 특성을 갖기 때문에 광전자공학(optoelectronic), 광전지(photovoltaic)분야에 응용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 고순도의 CdTe 나노결정을 1-thioglycerol 표면 완화제(surface stabilizer)로 사용하여 수용액 상태로 합성하였다. 모든 실험은 $N_2$ 분위기의 삼각플라스크에서 실험하였다. Cadmium 소오스로는 Cd(CIO$_4$)$_2$.6$H_2O$(Cadmium perchlorate hydrate-Aldrich)를 사용하였고 Tellurium 소오스로는 A1$_2$Te$_3$(Aluminum telluride-CERAC)와 H$_2$SO$_4$가 반응하여 H$_2$Te gas가 주입되도록 하였다. 합성된 CdTe 나노결정은 core-shell 형태로 존재하며 결정크기에 따른 특성분석을 위해서 High Resolution Transmission Electron Microscope (HRTEM), Photoluminescence spectroscopy, X-ray diffraction(XRD), UV-vis absorption spectra 분석을 하였다 또한 CdTe 나노결정을 나노와이어로 제작하여 CdTe 나노결정을 이용한 태양전지 제작에 응용하고자 한다.
의류산업의 효율성 (efficiency) 제고를 위한 중요한 결정의 한가지는 상품생산지 및 생산방법 즉 생산지 결정전략(sourcing strategy)에 관한 것이다. 점차 생산의 대상지역과 방법이 다양해짐에 따라 이는 복잡한 의사결정체계를 요하게 퇸다. 본 연구는 생산지 결정의 의사결정과정에서 흔히 중요시되는 생산비용 이외에 비생산비용, 즉 거래비응(transaction cost)으로 포현될 수 있는 인자를 분석하고자한다. 이를 위해 미국 의류, 신발 산업의 생산지 결정의 첫단계로서 해외기지생산과 국내생산의 문제점을 비교하였다. 의류산업과 신발산업에 있어 적시공급과 품질관리가 생산지에 관계없이 공통된 문제점으로 지적되었고 의류산업의 겋우 노동력 부족과 재료의 공급이 국내생산의 문제점으로, 오랜생산기일과 생산국가의 환경적요소(예를 들면, 정치적 불안정, 정부규제 등)가 해외기지생산의 특이한 문제점으로 지적되었다. 본 연구는 비국의 의류, 신발 산업을 대상으로 한 것이나, 최근 저가의 노동력을 찾아 동남아 또는 남미로 생산지를 이전하는 국내 의류, 신발업체들이 급격히 증가하고 있음을 감안할 때, 우리 산업에도 시사하는 바가 크다고 할 수 있다.
본 논문은 교통사업들의 투자우선순위 결정시 적용 가능한 방법을 제시한다. 지금의 평가방법을 부정하는 새로운 방법이라기보다는 기존의 평가방법을 보완하는 기법이다. 특히 특성이 다른 교통사업들간의 평가시 이들 특성들이 평가과정에 감안되지 않을 경우는 평가결과의 대외 설득력이 부족하게 된다. 이를 극복하기 위해 지금까지 각종 정량적 정성적 방법을 동원하였지만 그 범위와 방법에 한계가 존재하였다. 이를 보완하는 대안으로서 본 논문에서는 기존 평가과정에서 고려되기 어려운 사업의 여러 특성들을 전문가들의 경험과 판단을 통해 최대한 반영하는 방법을 제시한다. 이 기법의 기본 이론은 집단의사결정이론(group decision theory)이며, 여기에 퍼지이론이 접목된 퍼지집단 결정이론(fuzzy group decision theory)을 적용하였다. 이 이론은 개인의 대안별 선호(우선순위)로부터 집단의 선호관계(우선순위)를 도출할 수 있다. 또한 도출된 투자우선순위결과에 대한 집단의 동의수준(만족도)을 추정할 수 있다. 이러한 정보는 최종 정책결정자의 중요한 판단자료로서 사용되어 질 수 있다. 그 동안 교통사업의 투자우선순위결정과정의 객관성의 부족으로 사업간 우선순위결과에 대한 신뢰가 그리 높지 않았다. 본 논문에서 제시한 방법은 기존의 투자우선순위의 평가방법을 보완하여 대외적인 신뢰성을 제고할 수 있을 것으로 판단된다.
승화법에 의하여 AlN 결정을 성장하였다. 성장된 결정의 상은 미세한 단결정상이 응집된 다결정상이었으며, 약 2${\sim}$3mm의 길이와 직경 1인치의 크기로 증착되어진 성상을 얻었다. 성장된 결정의 표면에 탄소의 흡착이 관찰되었으며, 광학현미경과 SEM을 통하여 AlN 결정의 성장 거동에 대하여 고찰하여 보았다.
결정결함의 밀도가 낮은 GaN epitaxy 막을 MOCVD(metal organic chemical vapour deposition) 방법에 의해 성장시켰다. 기판은 6H-SiC를 사용하였으며, AlN과 GaN으로 구성된 이중 buffer 층을 도입하였다. GaN buffer 층은 반응원료인 trimethyl gallium(TMG)과 NH3 가스를 교호식펄스공급(alternating pulsative supply, APS)방법에 의해 만들었다. AlN buffer/6H-SiC 위에 초기단계에 형성되는 GaN 섬은 APS처리에 의해 크기가 커지는 것을 AFM(atomic force microscope)으로 관찰하였다. Buffer 층의 역할은 그 위에 성막시킨 GaN epitaxy 막의 결정성과 결함밀도에 의해 조사하였다. 성막된 GaN의 결정구조와 결정성은 DCXRD(double crystal X-ray diffractormeter)에 의해 측정되었다. 결정결함은 EPD(etching pit density)를 측정하는 방법으로 알칼리혼합용에서 처리된 막을 SEM(scanning electron microscope)으로 관찰하였다.
자성물질의 자구를 관측하고, 표면의 자기전하를 측정하는 간단하면서도 정량적인 방법을 제시하였다. 관측방법은 자기 garnet film을 사용하며, 이 방법을 이용하여 {100} 철단결정 표면의 자구를 관측할 수 있었다. garnet film의 자구는 garnet 면과 수직한 자기장에 의해서만 변하고 임계 자기장에서는 사라진다. 그러나, 철단결정의 자구는 단결정 표면에 평행하게 걸어준 자기장에 대하여서는 영향을 받지만 수직하게 가한 자 기장에는 아무런 영향을 받지 않는다. 위와 같이 성질을 이용하여 철단결정과 평행한 자기장을 가할 때 철단결정의 자구에 유도된 전하에 인하여 garnet film의 자구가 변화하며, 이 garnet film의 자구는 편광된 빛을 이용하여 직접 관측할 수 있다. 이 방법으로 철단결정의 표면에 유도 되는 자기전하 분포를 측정할 수 있었고, 또한 단결정에 걸어준 전류가 변할때 단결정 자구의 움직임을 관측할 수 있었다. 이 관측한 결과 를 이용하여 철단결정에 전류를 가할 때의 비대칭적으로 유도되는 교류 자기감수율 실험의 결과를 설명할 수 있었다.
IB-AI-VIB2 및 IB-AI-VIB2 :Co2+ 결정을 고순도 원소를 출발 물질로 하고 iodine을 수송 매체로 사용하여 chemical transport reaction method로 성장시켰다. 성장된 결정의 결정구조는 chalcopyrite 구조였으며, energy gap은 direct band gap으로 3.514~1.814 eV 정도로 주어졌으며, cobalt를 불순물로 첨가할 때 energy gap은 감소하였다. IB-AI-VIB2 :Co2+ 결정에서 첨가된 cobalt가 모체결정의 Td symmetry site에 Co2+ ion으로 위치하여, Co2+ ion의 energy 준위 사이의 전자전이에 기인하는 불순물 광흡수 peaks가 나타났다. 이 불순물 광흡수 peaks에 결정장 이론을 적용하여 구산 1st-order spin-orbit coupling parameter(λ)는 -183~ -189cm-1정도였고, 2nd-order spin-orbit coupling parameter(P)는 225~239 cm-1정도였으며, crystal field parameter(Dq)는 328~395cm-1, Racah parameter(B)는 531~552cm-1정도였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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