• Title/Summary/Keyword: 결정배향

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A Study on the Microstructure and Properties of Y-BA-Cu-O/Ag composite High $T_{c}$ Superconductor prepared by Sinter-forging Process (Sinter forging으로 제조한 Y-BA-Cu-O/Ag 고온 초전도 복합체의 미세조직과 특성)

  • Park, Jong-Hyeon;Kim, Byeong-Cheol;Song, Jin-Tae
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.4 no.1
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    • pp.37-43
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    • 1994
  • Y-Ra-Cu-0 oxide superconductors were fabricated by the sinter-forging method to make the critical current density improve through controlling of microstructure and crystal texture. The grain alignment of oxide superconductor was formed by the sinter-forging process and it's c-axis orientation was parallel to the press direction.The orientation factor of texture increased with sinking temperature and pressure, and also grain alignment was improved by the addition of Ag. As for the sinterforged Y-Ba-Cu-O/Ag sample, the $T_c$(on-set) was not almost varied with the sinter-forging temperature, but $T_c\;^{zero}$ decreased more or less at high sinter-forging temperatures. In addition, it was observed that added-Ag was mainly distributed along the grain boundar~es in the (123) matrix, resulting in the densification of microstructure. From these results, i t was thought that the improvement of $J_c$ over 2000A/$\textrm{cm}^2$ was attributed to the texture, densification of microstructure, and (123) grain growth due to the Ag addition.

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Electrical Properties of YMnO3 Thin Film by Sol-gel Process (졸-겔 공정에 의한 YMnO3 박막의 전기적 특성)

  • Kim, Eung-Soo;Kim, Beng-Gu;Kim, Yoo-Taek
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.39 no.5
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    • pp.511-516
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    • 2002
  • Hexagonal $YMnO_3$ thin films were prepared from $Y(NO_3)_3{\cdot}5H_2O$ and $Mn(CH_3CO_2)_2{\cdot}4H_2O$ as starting materials on the Si(100) substrates by the sol-gel method. The crystal structure and the electrical properties of the $YMnO_3$ thin films were investigated as a function of heat treatment temperature, the amount of water(Rw) of hydrolysis and the addition of catalysis. The crystallization of the $YMnO_3$ thin film began at 700${\circ}C$ and completed at 800${\circ}C$ for 1 h. The c-axis (0001) preferred orientation of hexagonal $YMnO_3$ was detected for the $YMnO_3$ thin films with Rw=6 and that was decreased for the $YMnO_3$ thin films with Rw=1 and Rw=12. The crystallinity and preferred orientation of the $YMnO_3$ thin films were depended on the addition of acid and/or alkali catalysis, which, in turn, the preferred orientation of c-axis was decreased and the orthorhombic phase of $YMnO_3$ was detected to the specimens with the addition of catalysis. The $YMnO_3$ thin film with Rw=6 showed good leakage current density of $1.2{\times}10-8 A/cm^2$ at the applied voltage of 0.2V and the leakage current density was not changed drastically with applied voltage.

A Study on the Surface Treatment of Magnesium for marine engine systems (초경량성 박용기관을 위한 마그네슘 표면처리)

  • Yun, Yong-Sup
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • v.35 no.2
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    • pp.252-257
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    • 2011
  • Magnesium thin films for marine engine parts such as the engine block and the cylinder head cover etc. were prepared on the magnesium alloy(AZ91D) substrate by Thermo-electron activated Ion-plating method. The influence of gas pressure and substrate bias voltages on the crystal orientation and morphology of the films was investigated with X-ray diffraction and field emission scanning electron microscope(FE-SEM), respectively. Moreover, the effect of crystal orientation and morphology of the magnesium films on the its hardness property was investigated as well. From the results, the hardness of the films was increased in Ar gas pressure due to the grain boundary strengthening and occlusion effects.

Properties of Sol-Gel PZT Thin films with Thickness for Micro Piezoelectric Actuators (마이크로 압전 엑츄에이터용 Sol-Gel PZT 박막의 두께 변화에 따른 특성)

  • 장연태;박준식;김대식;박효덕;최승철
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2001.05a
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    • pp.220-223
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    • 2001
  • Pb가 10% 과잉되고 Zr : Ti = 52 : 48 조성을 갖는 PZT sol이 Pt(3500Å)/Ti(400Å)/SiO₂(3000Å)Si(525㎛)기판 위에 스핀 코팅법으로 반복 코팅된 후, 450℃에서 10분, 650℃에서 2분간 반복 열처리되었다. 이와 같이 다양한 두께로 적층된 박막은 각 시편에 대해 최종적으로 650℃ 30분 동안 어닐링 처리되었다. 제조된 PZT 박막의 두께는 4100Å에서 1.75㎛사이의 4종이었다. 이어서 스퍼터링법으로 Pt전극이 PZT 막 위에 증착되었다. 제조된 PZT 박막의 결정 구조 조사를 위해 XRD, 그리고 미세 구조 및 전기적 특성을 알아보기 위해 FESEM과 P-E 이력 곡선이 각각 관찰되었다. 4100Å에서 1.75㎛까지 두께 증가에 따른 장비상의 포화 이력 한계로 잔류 분극(Pr)값이 25μC/㎠에서 다소 감소되었다. 측정된 X선 회절 결과에서 최초 4회 코팅시 perovskite 결정 구조로 성장한 결정립은 (111)배향이 우세하었으나, 두께가 증가됨에 따라 (111)/(110)값이 감소되었으며, 이를 통해 두께 증가에 따른 (111)배향성이 다소 감소됨을 알 수 있었다. 이상의 결과로부터 제조된 PZT 박막은 큰 힘과 높은 내전압 특성을 갖는 마이크로 압전 액츄에이터에 적용될 수 있을 것으로 생각되었다.

Microstructural investigation of the electroplating Cu thin films for ULSI application (ULSI용 Electroplating Cu 박막의 미세조직 연구)

  • 박윤창;송세안;윤중림;김영욱
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.9 no.3
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    • pp.267-272
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    • 2000
  • Electroplating Cu was deposited on Si(100) wafer after seed Cu was deposited by sputtering first. TaN was deposited as a diffusion barrier before depositing the seed Cu. Electroplating Cu thin films show highly (111)-oriented microstructure for both before and after annealing at $450^{\circ}C$ for 30min and no copper silicide was detected in the same samples, which indicates that TaN barrier layer blocks well the Cu diffusion into silicon substrate. After annealing the electroplating Cu film up to $450^{\circ}C$, the Cu film became columnar from non-columnar, its grain size became larger about two times, and also defects density of stacking faults, twins and dislocations decreased greatly. Thus the heat treatment will improve significantly electromigration property caused by the grain boundary in the Cu thin films.

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Characterization of Cu(In1-x,Gax)Se2 Thin film Solar Cell by Changing Absorber Layer

  • ;Kim, Gi-Rim;Kim, Min-Yeong;Kim, Jong-Wan;Son, Gyeong-Tae;Im, Dong-Geon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.314.2-314.2
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    • 2013
  • CIGS 박막의 물성은 조성에 크게 영향을 받으며, 특히 박막 내 Cu/(In+Ga) 비는 매우 중요한 변수로서 태양전지 특성에 영향을 주게 된다. Cu(In1-xGax)Se2 박막의 전하농도 및 반도체로의 성격을 가장 명확하게 결정하는 조성비는 Cu/(In+Ga) 비이다. 태양전지와 같은 소자로 작용하기 위해서는 Cu/(In+Ga) 비가 1보다 작아야 한다. 고효율의 태양전지는 Cu/(In+Ga)조성이 0.85~0.95로 slightly Cu-poor가 되어야 만들어진다. 본 연구에서는 Cu조성에 따른 CIGS 박막의 구조적, 전기적 특성과 CIGS 태양전지 효율 특성에 관하여 연구하였다. 미세구조 분석결과 Cu 조성이 증가함에 따라 큰 결정립을 가지며 결정립의 성장이 고르게 되어 접합 형성을 좋게 하는 경향을 보였다. X선 회절 분석결과, Cu 함유량 비율이 증가하면서 <112>의 우선배향성에서 <220/204>으로 변화하였다. 그러나, Cu/(In+Ga) 비율이 1이상이 첨가됨에 따라 우선배향은 다시 <112>로 변화함을 알 수 있었다. EDX 분석결과 Ga/(In+Ga) 0.31, Cu/(In+Ga) 0.86의 비율일 때, Carrier density $1.49{\times}1016$ cm-3을 나타내었다. CIGS의 태양전지의 효율 측정결과 Voc=596mV, Jsc=37.84mA/cm2, FF=72.96%로 ${\eta}$=16.47%를 달성하였다.

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특집: 미래주도형 성형공정과 수치 해석기술 - 판재의 이방성과 집합조직

  • Jo, Jae-Hyeong
    • 기계와재료
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    • v.23 no.3
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    • pp.82-95
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    • 2011
  • 다결정압연판재는 열가공공정을 거쳐서 생산되므로 공정의 특성을 반영하는 미세조직/집합조직 특성을 가지게 된다. 결정립들은 특정방향으로 배향하고 결정립의 형상과 크기도 변화한다. 이러한 변화는 거시적으로 다결정판재의 이방성으로 귀결이 되는데, 근본적으로 판재를 구성하는 단결정들의 기계적 물성이 각각의 방향별로 이방성을 띄기 때문이다. 본 자료에서는 압연공정시 다결정판재의 수직/평면이방성의 발생원인을 집합조직과 결정소성학을 이용하여 제시하고자 하였다.

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Effect of Morphological variations on the Biodegradability of linear and star shaped PGCL (선형과 스타형 Poly(glycolide-co-$\varepsilon$ -caprolactone)의 형태학적 미세 구조변화가 분해성에 미치는 영향)

  • 조도광;박준욱;임승순;김수현;김영하
    • Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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    • 2001.10a
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    • pp.179-182
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    • 2001
  • 지방족 폴리에스터는 보통 의료용 고분자 및 환경분해성 고분자로 알려져 왔으며, 이에 따라 지방족 폴리에스터와 그의 공중합물, 그리고 다른 상용고분자와의 블렌드들의 분해 메카니즘에 관한 연구 보고가 이루어져 왔다. 일반적으로 결정성 고분자의 분해성은 일차적인 화학구조외에도 결정의 size나 perfactness, 결정화도 또는 배향도와 같은 미세 구조에 의해서도 크게 영향을 받는다. (중략)

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Magnetic anisotropy of Sr-ferrite powder produced via mechanical alloying (Mechanical alloying법으로 제조한 Sr-ferrite 분말의 자기적 이방성)

  • 배재원;손성우;정국철;황동하;권해웅
    • Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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    • 2002.12a
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    • pp.90-91
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    • 2002
  • 영구자석 재료용 Sr-ferrite의 제조에 mechanical alloying (기계적 합금화)기술을 적용해서 초미세 결정립으로 구성된 고보자력의 Sr-ferrite를 제조해서 높은 보자력을 실현할 수 있는 것으로 보고하고 있다[1]. 그러나 이 새로운 방법으로 제조한 Sr-ferrite는 높은 보자력을 갖기는 하지만, 대단히 미세한 결정립들이 결합하여 입자를 구성하고 있어 자장을 가해서 입자를 배향시키기가 어렵다. 따라서 이 재료는 등방성 분말로 밖에 이용할 수 없는 결정적인 문제점이 있다. (중략)

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Fabrication of MgO(100)/$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si Substrate for Pyroelectric IR Sensor (초전형 적외선 센서를 위한 MgO(100)/$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si 기판 제작)

  • Kim, Sung-Woo;Sung, Se-Kyoung;Ryu, Jee-Youl;Choi, Woo-Chang;Choi, Hyek-Hwan;Lee, Myoung-Kyo;Kwon, Tae-Ha
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.9 no.2
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    • pp.90-95
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    • 2000
  • The substrate for pyroelectric IR sensor which has orientation similar to MgO single crystal was fabricated by depositing the MgO thin film on $Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si. The MgO thin film was deposited by RF magnetron sputtering. The c-axis orientation of PLT thin film deposited on Pt/MgO(100)/$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si substrate was investigated. The MgO thin film deposited at $500^{\circ}C$ at a gas pressure of 30 mTorr with RF power of 160 W exhibited a good a-axis orientation. The PLT thin films deposited on these substrates also exhibited c-axis orientation similar to the PLT thin films deposited on MgO single crystal substrate.

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