• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.3
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• pp.229-233
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• 1999

DC마그네트론 스퍼터링 방식으로 $Ti/SiO_2$/Si 구조 위에 Pt(200) 박막을 배향 성장시키기 위해 증착조건(스퍼터링 가스의 종류와 압력, 기판의 온도)과 후속열처리(RTA, Furnace annealing)에 따른 Pt 박막의 전기, 결정학적 특성을 조사하였다. 실험결과, 20mTorr의 Ar+O$_2$(20%)의 혼합가스 분위기에서 기판온도를 $500^{\circ}C$로 유지하여 Pt박막을 증착하고$ 600^{\circ}C$에서 30초간 급속 열처리를 실시한 경우, 90% 이상의 결정 배항도를 갖는 Pt(200) 박막을 제작할 수 있었다. 제작된 Pt(200) 박막은 $30~40\mu$Ω.cm의 낮은 전기저항율과 우수한 열적 안정성을 나타내었으며$ 600^{\circ}C$의 고온에서 장시간 열처리를 실시하여도 전기저항율이나 우선 배향성의 변화, 박막내 미세 결함 및 열적응집현상 등이 발생되지 않았다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.159-159
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• 2009

본 연구는 기판 바이어스 전압변화에 따른 DC 스퍼터링 TiN 박막의 우선 결정배향성, 표면조도, 평균결정립 크기 및 단면 미세구조에 미치는 영향에 대해 조사하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.12 no.4
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• pp.214-217
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• 2003

In this study, we prepared ZnO thin film on $SiO_2$/Si substrate by FTS (Facing Targets Sputtering) apparatus which can reduce damage on the thin film because the bombardment of high-energy Particles such as ${\gamma}$-electron can be restrained. And, properties of thin filnl grown with ZnO buffer-layer which can be suppress initial growth layer was investigated. The crystalline and the c-axis preferred orientation of ZnO thin film was also investigated by XRD. As a result, we noticed that the ZnO thin film has a good crystallographic characteristic at thickness of ZnO buffer layer 10, 20 nm and working pressure 1 mTorr.

• Journal of Sericultural and Entomological Science
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• v.38 no.2
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• pp.180-185
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• 1996

Biosynthesis tracing of the silk fibroin in Bombyx mori silkworm was examined in vivo with isotopic [1-13C] Gly. labeling by nuclear magnetic resonance method. The [1-13C] Gly. labeled silk fibroin yielded very sharp 13C NMR signal in the posterior silk gland as well as in aqueous solution and the amound of [1-13C] Gly. labeled signal in the silkworm increased gradually and rapidly to 5-th day of fifth instar. However, the decomposition or decrease of the [1-13C] Gly. labeled signal occured from 5-th to 9-th day of fifth instar unexpectedly. These findings suggest that a relative amount of ${\alpha}$-helical portion or amorphous silk II portion was formed without any further signal from 6-th day of fifth instar to pupation. Through peak separation of orientation spectrum, between the fiber axis and the molecular bond direction, N-H bond in Bombyx mori silk fiber as well as the orientation distribution around the silk fibroin axis were determined and two kinds of peaks were also obtained from this orientation spectrum.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 1991.05a
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• pp.87-88
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• 1991

• Electrical & Electronic Materials
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• v.2 no.2
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• pp.127-136
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• 1989

PVDF 필름의 압전성과 결정구조와의 관계를 조사하기 위하여 X선 회절과 압전계수를 측정하였다. 코로나 분극처리된 PVDF의 압전계수는 분극전압에 비례하여 증가하고 결정구조도 .alpha.형, 극성.alpha.형, .betha.형의 순으로 변화하였다. 이와같은 결과로부터 PVDF의 압전특성은 결정영역내의 쌍극자 배향에 의한 결정구조변화에 기인됨을 알 수 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.5
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• pp.544-551
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• 1995

Rf 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용하여 Si, SiO$_{2}$/Si 가판의에 전도성 RuO$_{2}$ 박막을 증착하고, 공정변수가 증착되는 박막의 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 대부분의증착조건에서 주상정 구조의 단일상 RuO$_{2}$ 박막이 증착되었으며, 부착원자들의 표면이동도가 낮은 영역에서는 (101) 우선배향성이 관찰되었고, 높은 영역에서는 (200) 우선배향성이 관찰되었다. 증착조건에 따른 박막의 우선배향성 변화는 박막의 결정구조와연관지어 논의되었다. 기판온도 35$0^{\circ}C$에서 증착된 박막은 치밀하고 표면이 평탄하며, 비저항이 90㏁-cm 정도로 낮아서 고유전율 박막의 전극물질로 이용하기에 적합하였다. 45$0^{\circ}C$ 이상의 기판온도에서 증착된 박막은 46㏁-cm 정도로 매우 낮은 비저항을 갖니만 표면이 거칠었다.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.6 no.1
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• pp.49-55
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• 1995

The oriented islands of cubic galium nitride are grown on the (0001) surface of hexagonal GaN epitaxial films by halide vapour phase epitaxial process. The mutual orientation of cubic β-GaN and hexagonal α-GaN phase was observed as : [110](111) β-GaN//[1120](0001) α-GaN. Trigonally faced islands of β-GaN occupy the twined positions in relation to (111) plane in parallel to the film surface. The band gap value for β-GaN determuned from photo and local catchodoluminescent measurments is estimated to be 3.18±0.30eV at room temperature.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.44 no.3
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• pp.243-247
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• 2006

MFI zeolite membranes were prepared on anodic alumina (Anodisc) as support. First, silicalite-1(${\approx}1.2{\mu}m$) seed crystals were attached to the surface of the support via chemical bonding, and the a- and b-axis oriented zeolite membranes could be synthesized on the support coated with the monolayer of the seed crystals by secondary growth hydrothermal synthesis. The zeolite membranes prepared were characterized using scanning electron microscope and analyzed by X-ray diffraction.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.1
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• pp.61-67
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• 2001

비대칭 펄스 직류 반응성 스퍼터링을 이용하여 상온에서 Si(100) 기판 위에 AlN 박막을 증착하였다. 100 kHz에서 200 kHz까지 펄스 주파수의 변화 및 70%에서 90%까지 duty cycle의 변화에 따른 아크 발생과 AlN 박막의 결정성 그리고 미세 조직을 관찰하였다. Duty cycle에서 양의 펄스 유지 시간이 증가함에 따라 증착 중에 아크 발생 빈도가 현저히 감소하였고 AlN 박막의 입자 크기와 결정상의 c축 배향성이 증가하였다. 반면에 펄스 주파수 변화에 따른 아크 발생은 일정한 경향을 나타내지 않았지만 전반적으로 많은 아크가 발생했다. 아크 발생 빈도가 늘어남에 따라 c축 배향성이 감소하였다. 양의 펄스 유지 시간과 펄스 주파수가 감소함에 따라 박막의 증착 속도는 증가하였으며 440$\AA$/min의 높은 증착 속도를 나타냈다.