• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.10 no.3
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• pp.181-187
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• 1999

We prepared the side-chain type nonlinear optical NPP(N-(6-nitrophenyl)-(L)-prolinol) polymer films by spin coating method. Ellipsometric spectra were in situ collected by using spectroscopic phase modulated ellipsometer while the NPP polymer films were being corona poled at the temperature above glass transition. We calculated film thickness and the refractive index dispersion by modeling the spectro-ellipsometry data in transparent region. We also calculated the refractive index and the extinction coefficient of the polymer films by numerically inverting the spectro-ellipsometry data in absorbing region, while the previously determined film thickness was used. The independently determined extinction coefficient spectra from the analysis of transmission spectra were compared with those by spectro-ellipsometry and they showed an excellent agreement with each other. From the analysis of the complex refractive index change of the NPP polymer thin films induced by the corona poling, we could determine the vertical complex refractive index and the horizontal complex refractive index separately. Using the volume fraction of the vertical component f⊥, the degree of poling of poled NPP polymer films was quantitatively addressed. It is suggested that the present method can be used to quantitatively address the degree of poling in an absolute manner and to depth profile the poled fraction of thick polymer films. It will be useful to understand the structural change of polymer films and hence the poling mechanism during the poling process.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.333-333
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• 2010

압전형 에너지 하베스팅 소자는 외부에서 버려지는 기계적 진동 혹은 타격과 관련된 에너지로부터 전기 에너지를 획득할 수 있다는 잇점이 있다. 그러나 현재 이 방식으로부터 획득될 수 있는 에너지는 매우 작다는 단점이 있다. 이러한 문제들을 해결하기 위하여 본 연구에서는 두 가지 형태의 압전 소재를 제작하였다. 에너지 하베스팅 소자용 고효율 압전 세라믹와 결정배향된 세라믹을 제작하고 이에 대한 성능을 조사하였다. 결정 배향된 세리믹에서는 1 N의 외부 충격조건에서 소재가 100 V, 1 mW의 전력을 발생하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.198-199
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• 2011

본 연구에서는 99.99% Mg을 증착금속으로 하여 DC 스퍼터링법으로 Al, Zn 중간층의 삽입유무에 따라 Mg막을 제작하였다. 또한 제작과정 중 진공도의 조건에 따라 변화하는 기판상의 증착 Mg 입자와 잔존 Ar 가스의 상대적인 함량비가 막의 결정구조학적 결정배향성과 표면 몰포로지의 형성에 영향을 주는 관계를 열에너지에 의한 표면확산 이동도 관점 뿐만 아니라 흡착 인히비션 및 흡장 효과도 분석-검토하였다. 그리고 Mg막의 물성관계의 해석은 Zn, Al등의 중간층 유무에 따라 구분 해석함으로써 이들의 몰포로지와 결정배향성의 차이가 내식성에 미치는 영향에 대해서 비교 및 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.46-46
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• 2011

각종산업의 건축자재, 전기기기 등의 분야에서 내식성 향상용 표면처리 도금재로 가장 많이 사용되고 있는 아연과 실용금속 중 가장 가벼우면서 비강도 및 치수 안정성이 뛰어난 Mg을 사용하여 Zn-Mg의 합금 박막을 제작하였다. 여기서는 Zn, Mg 단일 박막의 밀착성과 내식성의 한계점을 극복하기 위해서 모재와 코팅층 사이에 Al을 삽입하여 (Zn-Mg)/Al 합금 박막을 형성시켰다. 또한 박막의 증착과정 중 이들 막의 제어는 바이아스 전압을 일정하게 하고 진공도를 변수로 하였고, 진공도에 따라 달라지는 쳄버내의 가스 입자가 흡착 인히비터로 작용해서 박막의 몰포로지와 결정배향성의 구조에 중요한 영향을 준다는 것을 확인하였다. 그리고 이들 박막의 내식성과 밀착성에 미치는 몰포로지나 결정배향성과의 상관관계를 규명하여 최적의 코팅 프로세스를 결정하므로써 중간층 유무별 Zn계 합금박막의 기초적인 제작설계 지침을 제공하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.221-221
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• 2010

NiO 산화물 타겟을 이용한 RF 마그네트론 스퍼터 방법로 glass 기판 위에 NiO 온도를 R.T(room temperature)~$400^{\circ}C$ 변화시켜 Ar 가스만을 사용하여 박막을 증착시켜, 증착 온도에 따라 NiO 박막 특성에 미치는 영향을 조사하였다. XRD 측정으로부터 증착된 박막의 결정구조는 $200^{\circ}C$이하에서 (111) 면의 우선 배향성으로 보이다가 $300^{\circ}C$ 이상에서 (220)의 우선 배향성으로 보이는 다결정 입방구조임을 확인하였다. NiO 박막의 전기적 특성의 변화는 기판의 온도가 $200^{\circ}C$까지는 $10^5\;{\Omega}cm$대를 보였고 기판의 온도가 $300^{\circ}C$ 이상에서는 $10^{-2}{\sim}10^{-1}{\Omega}cm$대로 감소하는 것을 관측하였다. 이러한 ${\sim}10^7$ 정도의 큰 저항 변화를 관측하였고, 전기적 변화 특성을 결정성, 결정립의 변화 및 NEXAFS를 통한 밴드 구조 변화 등으로 설명하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2009.10a
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• pp.428-430
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• 2009

C-axis-oriented ZnO thin films were successfully deposited on p-Si (100) in an RF magnetron sputtering system. Deposition conditions such as deposition power, working pressure, and oxygen gas ratio were varied. Crystalline structures of the deposited ZnO films were investigated by a scanning electron microscope (SEM) technique. Results show that the deposition parameters can have a strong impact on the preferred orientations and grain sizes of the deposited ZnO films.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.7 no.4
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• pp.205-211
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• 1997

The magnetic properties change which was induced by addition of small amount of Ni into Cr underlayer in CoCrTa/ CrNi thin film deposited by electron beam evaporator was investigated. The additional Ni element was found to be beneficial for incease in the coercivity of the thin film deposited at the room temperature. The origin of coercivity increase was elucidated by crystal orientation and microstructure investigation using XRD and AFM respectively. It was found that the grain size were increased by Ni addition. The coercivity of the film with CrNi underlayer is lower than that of film with Cr underlayer when prepared with higher substrate temperature. This result may be originated with the increase in grain size. When film was deposited at 280 $^{\circ}C$ substrate temperature, Cr segregation in grain boundary is found to be the other factor for determining coercivity value.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1997.04a
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• pp.291-295
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• 1997

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1997.10a
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• pp.30-30
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• 1997

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.9 no.5
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• pp.256-262
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• 1999

Sputter deposited CoCr(Mo)/Si film were studied with emphasis on the correlation between magnetic properties and crystallographic orientation. The perpendicular coercivities of CoCr films decreased with Si underlayer thickness, whereas those of CoCrMo films increased with Si underlayer thickness. It has been explained that additions of the larger atomic radius Mo atoms in CoCr films impedes crystal growth resulting in a decrease in grain size, thus this small grain size may induce high perpendicular coercivity. The c-axis alignment of CoCrMo film was improved due to addition of 2at.%Mo. It means CoCrMo layer grow self-epitaxial directly from orientation and structure of Si underlayer when the main layer grow on underlayer.