• The Korean Journal of Rheology
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• v.10 no.2
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• pp.98-105
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• 1998

가공공정중 변형을 수반하게 되는 고분자제품은 대부분 고분자사슬의 배향을 갖게 된다. 이렇나 사슬배향은 제품의 기계적, 광학적, 그리고 전기적 특성에 매우 중요한 영향을 미치는 것으로 알려져있다. 지금까지 고분자사슬의 배향상태를 나타내기 위한 여러방법은 모두 배향의 중심축을이 알려져 있다는 가정하에 전개되었다, 그러나 복잡한 배향모드를 갖 는 고분자가공의 경우에 배향중심측이 실험축과 일치하지 않는 경우가 많다 따라서 본연구 에서는 일반적인 고분자의배향상태를 나타내는 방법에 대해 알아보고 실제 고분자 가공공정 에 적용을 위해 실험적으로 배향의 대칭축을 찾을 수 있는 접근방법을 제시하고자 하였다. 그 결과 결정성 고분자의 배향상태를 광각 x-선 회절 data를 이용한2차배향 tensor를 통해 배향 타원체를 구성할수있었다. 이를PETdustls 필름과 HDPE사출성형물에 적용해 본 결과 이들의 2차 배향 tensor가 타원체를 잘 구성함을 알수 있었다. 또한 주어진 고분자의 결정 면들에 관계없이 고유한 중심축을 지니고 있음을 확인할수 있었다. 이를 통해 복잡한 배향 모드를 갖는 경우에 본연구에서 제안한 x-타원체를 통해 결정의 배향중심축을 효과적으로 찾을수 있음을 알수 있었다.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 2003.10b
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• pp.207-208
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• 2003

일반적으로 결정성 고분자에 공정에 있어서 배향 및 결정화 거동은 두 가지 중요한 공정 프로세스로써 고분자의 모폴로지 및 결정구조형성에 매우 큰 영향을 미치며 최종적으로 고분자의 거시적인 물성에 영향을 준다. 고분자 물질의 물리적 특성을 정확하게 이해하여 최적의 물성을 나타내는 내부 구조를 제시하기 위하여서는 고분자 물질의 배양분석에 있어서 분자의 2차원적 배향 상태뿐만 아니라 전체적인 3차원 배향 상태에 관한 정보가 필수적이다. (중략)

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 2002.04a
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• pp.159-162
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• 2002

고분자 재료로써의 Poly(ethylene terephthalate)는 섬유, 필름, 용기등 다양한 용도로 널리 이용되고 있으며, 이 용도는 대부분 변형 및 배향 결정화의 응용에 그 근거를 두고 있다. 그러나 등방성 고분자의 결정화 과정에 대한 연구에 비해 배향에 의해 유도되는 결정화 과정의 경우 그 명확한 메카니즘이 밝혀지지 않았으며, 최근 고속방사 기술의 개발과 더불어 배향 결정화 과정에 대한 관심이 집중되고 있다. (중략)

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1998.10a
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• pp.311-315
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• 1998

고분자 재료의 섬유 배향 상태는 각종 물성치의 지표가 되는 가장 기본적인 인자이므로 섬유 배향각 분포의 측진법을 확립하여 섬유 배향 상태를 밝혀두는 것은 재료 설계, 성형조건의 결정, 성형품의 역학적 특성 둥을 예측하는데 있어서 매우 중요하다. (중략)

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.3
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• pp.468-473
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• 1998

Sol-gel법을 이용하여 PbTiO3에 La을 10mol% 도핑한 박막을 bare Si(100)-wafer 위에 스핀 코팅법을 이용하여 제조하였다. 제조된 박막의 열처리 온도에 따른 결정화 거동을 살펴보고, 씨앗층(seeding layer)을 도입하여 박막의 미세구조 및 배향성을 SEM과 XRD로 관찰하였다. 씨앗층없이 일반적으로 제조된 박막의 경우는 우선 배향성을 나타내지 않았으나, 씨앗층을 도입한 경우에는 씨앗층의 두께 및 열처리 시간에 따라 막의 배향성이 달라졌다.

• Journal of the Korean Society of Clothing and Textiles
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• v.10 no.1
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• pp.105-111
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• 1986

본 연구에서는 연신정도가 다른 완전배향사(FDY)와 부분배향사(POY)를 열처리시켜 내부구조변화를 유도한 후 염색성을 연구하였고, 염색성과의 관련성을 위해 결정화도 및 복굴절룰을 조사하였다. 열처리는 silicone oil속에서 정장상태로 실시하였으며, 시료의 염색은 Disperse Yellow 42를 이용해 무한염욕상태에서 실시하였다. 그리고, DMF를 이용해 염료를 추출시킨후 spectrophotometer 로 염료흡착량을 측정하였다. 결정화도는 밀도-결정화도 관계식으로 구하였으며, 복굴전률은 편광현미경으로 시료의 두께와 retardation을 측정한 후 계산하였다. FDY와 POY 필라멘트사의 염색성은 열처리시 감소하였으며 POY의 염색성이 FDY보다 우수했다. 결정화도는 열처리시 증가하였으며 열처리되지 않은 POY가 열처리되지 않은 FDY에 비해 낮은 값을 나타냈다. 복굴절률은 열처리시 증가하였으며 열처리되지 않은 POY가 열처리되지 않은 FDY에 비해 낮은 값을 나타냈다. 열처리후에도 POY가 FDY보다 낮은 복굴절률을 나타낸 반면 결정화도는 열처리된 POY가 열처리된 FDY와 비슷한 값을 나타냈다. 염색성은 결정화도와 배향도에 부적인 상관관계 즉 결정화도와 배향도가 증가함에 따라 염색성은 감소하는 관계를 시사했다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.1
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• pp.45-50
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• 1994

CoCr 박막에 있어서 C축 결정배향성과 미세구조 변화에 대한 Co73Cr27 씨앗층의 영향이 조사되 었다. 기록밀도가 높고 재생전압도 높은 CoCr 수직기록매체를 개발하기 위해서는 CoCr층의 두께가 엷 으면서 결정배향성이 우수하고 결정립 크기가 적고 균일한 자성기록막 제조가 필요하다. CoCr 단층막 또는 CoCr/퍼말로이 이중막 제조에서 500$\AA$정도의 Co73Cr27 층을 씨앗층으로 만들어 줌으러써 기록층인 CoCr 박막이 $0.2mu$m의 두께에서도 천이층이 거의 없고 결정배향성이 우수한 자성막을 제조할 수 있었 다. 또한 Co73Cr27 씨앗층은 비록 결정립 크기는 증가시켰지만 기록층의 에피택시 성장에 보다 바람직 한 것으로 조사되었다.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1998.10a
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• pp.244-247
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• 1998

고분자 물질의 물리적 성질은 물질의 화학적 구조뿐만 아니라 분자의 배향과 결정화도와 같은 내부 구조에 의해 크게 영향을 받는다. 상업적으로 생산되는 대부분의 고분자 물질은 강도와 치수 안정성 둥의 물리적 성질을 향상시키기 위해 연신과 annealing의 공정을 통해 분자의 배향과 결정화도를 증가시킨다. 따라서 고분자 물질의 물리적 성질을 이해하기 위해서는 연신과 annealing의 공정에서 수반되는 분자의 배향과 결정화 거동의 내부 구조 변화에 대한 이해가 필수적이다. (중략)

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.2
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• pp.152-158
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• 2000

The crystallographic grain orientation of {{{{ { ZrB}_{2 } }}}}-ZrC composite sintered by pressureless a sintering(PLS) and spark plasma sintering (SPS) was analysed by the SEM-EBSP technique. In the case of PLS, (160) plane of {{{{ { ZrB}_{2 } }}}} was oriented to ND direction, (101) and (111) plane of ZrC were oriented to ND direction. In the case of SPS, (0001) plane of {{{{ { ZrB}_{2 } }}}} was strongly oriented to ND direction. Only (001) plane of ZrC was oriented to ND direction. The PLS specimen had weakly oriented grain structure and interface between {{{{ { ZrB}_{2 } }}}} and ZrC was found to be more stable than that of SPS but the SPS specimen had a preferentially oriented grain structure.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.18 no.1
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• pp.38-44
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• 2008

Contiuous c-oriented zeolite MFI films $(<35{\mu}m)$ were prepared by hydrothermal secondary growth of silicalite-1 seed crystal in the surface of alumina porous substrate and silicon substrate. The supported films were characterized with scanning electron microscopy and X-ray diffraction. Effect of substrate surface roughness were investigated and a mechanism for c-oriented film formation and characteristic dom-like defects formation which is observed after seeding growth was discussed. The roughness of substrate plays an important role.