• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.282.1-282.1
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• 2014

산소 플라즈마 전처리가 ZnO/Si 박막 및 계면에 미치는 영향과 그것이 n-ZnO/p-Si 이종접합 다이오드의 전기적 특성에 관여하는 상관관계 등을 조사하였다. ZnO 박막을 Si 기판 위에 Sputter법으로 증착하였으며, 양질의 n-ZnO/p-Si 다이오드를 제작하기 위하여 산소 플라즈마를 이용하여 Si 기판의 표면을 전처리하는 기법을 선택하였다. 산소 플라즈마에 의해 전처리된 시편의 경우, (002) ZnO 보다 (101) ZnO가 더 우세하게 성장되었으며, (101) ZnO의 완화된 c-축 배향성 때문에 수평방향으로의 박막 성장이 이루어졌고, 그로 인해 ZnO 박막의 결정립 크기가 상대적으로 증가하는 것이 관측되었다. 이처럼 (101) 방향으로 성장된 ZnO 박막의 경우, 산소결공 등의 자생결함 밀도가 상대적으로 높아져 결국 캐리어 농도의 증가를 야기시켰다. 이러한 산소 플라즈마 전처리 효과는 n-ZnO/p-Si 이종접합 다이오드의 전도 특성과 밀접한 관련이 있으며, 특히 다이오드의 전도 특성을 현저히 개선시키는 것으로 관측되었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제2권2호
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• pp.109-116
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• 1989

PSN-PT-PZ 삼성분계 압전세라믹의 상도로부터 유전적, 압전적 특성이 가장 양호한 MPB부근의 조성을 선택하여 MnO$_{2}$를 0-2[wt.%]첨가하였으며 일반소성법으로 시편을 제작하였다. 소결온도는 1,200-1,280[.deg.C], 시간은 0.5-3[hr]까지 변화시켰으며 MnO$_{2}$의 첨가가 시편의 유전적, 압전적 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 제작된 시편의 비유전상수는 MnO$_{2}$의 첨가량에 따라 증가하였으며 MnO$_{2}$가 2[wt.%]첨가된 시편 S-15(PSN:PT:PZ, 15:48:37)의 경우 605.41, 큐리온도는 MnO$_{2}$의 첨가량이 증가할수록 선형적으로 감소하였다. 각 시편의 전기기계 결합계수와 유전손실은 MnO$_{2}$의 첨가량이 0.5-1.5[wt.%]범위에서 양호한 특성을 나타내었으며 MnO$_{2}$가 0.5[wt.%] 첨가된 시편 S-5(PSN:PT:PZ, 5:48:47)의 경우 전기기계 결합계수는 0.425로 가장 높은 값을 나타내었다. MnO$_{2}$가 1[wt.%] 첨가된 시편 S-10(PSN:PT:PZ, 10:48:42)에서 공진주파수의 온도의존성이 가장 양호하게 나타났으며 각 시편에 대한 MnO$_{2}$의 첨가량이 증가할수록 결정립 크기는 감소하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제16권6호
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• pp.183-189
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• 1999

A numerical analysis was performed to predict flow curves and dynamic recrystallization behaviors of Al-5wt%Mg alloy on the basis of results of hot compression tests. The hot compression tests were carred out in the ranges of 350 ~ 500 ${^\circ}C$ and 5 ${\times}{10^-3}$ ~ 3 ${\times}{10^0}$/sec to obtain the Zener-Hollomon parameter Z. The modelling equation for flow stress was a function of strain, strain rate, temperature. The influence of these variables was quantifield using the Zener-Hollomon parameter. In the modelling equation, the effects of strain hardening and dynamic recrystallization were taken into consideration. Therefore, the modelling stress-strain curves of Al-5wt%Mg alloy were in good agreement with experimental results. Finally, the dynamic recrystallization kinetics were illustrated through the inspection of microstructure after deformation.

• 한국소성가공학회:학술대회논문집
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• 한국소성가공학회 2005년도 추계학술대회 논문집
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• pp.381-383
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• 2005

극저온 압연중인 알루미늄 합금의 미세조직의 변화 - 집합조직의 발전과 결정립 크기 및 형상 변화 -를 예측할 수 있는 오일러리안 유한요소 해석을 수행하였다. 패스 당 압하율 $30\%$ 인 연속 세 패스의 압연공정을 시뮬레이션 하여 얻은 결과는 실험에서 관측된 것과 비슷한 경향을 보여, 본 연구의 해석모델의 타당성을 입증하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.83-83
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• 2011

본 연구에서는 p-type Si (100) 위에 분자선 에피택시 성장방법으로 ZnO 완충층이 삽입된 ZnO 박막을 성장시켰다. ZnO 완충층은 Zn 셀 셔터의 열림/닫힘을 반복하는 성장 멈춤법으로 성장되었다. Zn 셀 셔터의 열림 시간은 4분, 2분, 1분이며 닫힘 시간은 2분으로 동일하게 유지하였다. 이러한 과정은 각각 5, 10, 20회로 반복되었으며 ZnO 완충층을 성장한 후 ZnO 박막은 기존의 분자선 에피택시 방법으로 성장되었다. ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성은 field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL)로 조사하였다. SEM 측정결과 성장 멈춤 횟수가 증가함에 따라 ZnO 박막의 표면은 섬(island) 구조에서 미로(maze) 구조로 변화하였고, XRD 측정결과 full-width at half-maximum (FWHM) 이 감소하고 결정립 크기(grain size)가 증가하였다. 그리고 PL 측정결과 성장 멈춤 횟수가 증가함에 따라 near-band-edge emission (NBE) 피크의 세기가 증가하였고 deep-level emission (DLE) 피크의 위치는 오렌지 발광에서 녹색 발광으로 청색편이(blue-shift)하였다.

• 센서학회지
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• 제9권1호
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• pp.76-82
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• 2000

본 연구에서는 내부전극 접합기술을 이용하여 적층구조의 PTC 서미스터를 제작하였다. 적층구조 PTC 서미스터는 저항, 소형, 대전류 등의 특징을 갖는다. PTC 특성을 조사하기 위하여 첨가제효과, 전압-전류특성, 온도특성, 복합임피던스 특성 등을 측정하였다. 적층구조 PTC서미스터는 저항의 온도특성과 전압-전류특성에서 높은 비선형성을 나타내었다. 적층수가 증가함에 따라 상온저항이 감소되는 특성이 결정립의 효과에 기인됨을 알았다. 전류의 스윗칭 변화는 적층구조가 갖는 열용량의 크기에 비례하였으며, 적층수가 증가할수록 스윗칭 시간이 증가하였다.

• 한국자기학회지
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• 제10권6호
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• pp.274-279
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• 2000

본 연구에서는 D.C 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 Mn-Ir/Ni-Fe교환결합형 다층박막의 하지층 및 적층구조에 따른 자기적 특성 및 열적 특성을 미세구조의 관점에서 연구하였다. 교환결합자계( $H_{ｅ{\chi}}$)와 Blocking Temperature( $T_{b}$)는 Mn-Ir/Ni-Fe 계면에서의 반강자성체의 결정립 크기에 의존하는 것을 알 수 있었다. 또한 Mn-Ir/Ni-Fe 교환결합형 다층박막에서 (111) 우선방위의 발생으로 인하여 $H_{e{\chi}}$가 증가됨을 알 수 있었다. $H_{e{\chi}}$가 발생하는 Mn-Ir/Ni-Fe 다층박막은 Mn-Ir 층에 전위가 생성되어 grain-to-grain epitaxy 관계가 이루어지는 것을 알 수 있었다.다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.674-674
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• 2013

$600{\times}1200$ mm 기판에 대면적 CIGS 광흡수층 증착을 위한 선형증발원 개발을 위해 다른 크기의 노즐(nozzle)과 일정한 노즐 간격을 가지는 선형증발원의 플럭스 밀도(flux density)를 전산 모사하여 플럭스 균일도 ${\pm}5%$의 조건을 구하였다. 이를 바탕으로 제작된 선형증발원을 이용하여 Cu, In의 단일막 두께균일도를 확인하였고, CIGS 광흡수층을 동시증발법으로 증착하여 박막의 두께 균일도 및 증착 조성의 균일도로 선형 증발원을 평가하였다. EDS 조성 분석을 통해 구한 조성불균일도는 600 mm 폭에서 Cu $${\leq_-}6%$$, In $${\leq_-}3%$$ Ga $${\leq_-}1%$$ Se $${\leq_-}2%$$으로 균일한 조성비로 성막된 것을 확인하였고 SEM 분석을 통해 표면 결정립의 형상을 확인하였다. 또한 XRD측정을 통해 선형증발원 방향의 대면적 CIGS 광흡수층이 칼코피라이트(Chalcopyrite) 구조임을 확인하였다. 이를 통해서 개발된 선형증발원이 CIGS 광흡수층 증착에 적합함을 확인하였다.

• 한국자기학회지
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• 제10권1호
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• pp.1-6
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• 2000

단롤법으로 제조된 비정질 F $e_{79.7}$ S $i_{9.3}$ $B_{9.7}$N $i_{1.4}$ 합금 리본의 직류중첩특성을 향상시키기 위하여 46$0^{\circ}C$에서 열처리 시간에 따른 자기적 특성과 미세구조의 변화를 조사하였다. 직류중첩특성은 미세구조의 변화와 밀접한 연관성이 있음이 관찰되었다. $\alpha$-Fe 결정립의 크기가 200~300 nm일 경우 가장 효과적으로 자벽 이동을 방해하여 최대 직류중첩특성을 나타내었다. 수지상정의 성장 형태와 분포는 2개의 영역으로 분리되어 나타나며, 이는 리본 제조 시 발생하는 리본 내 과냉도의 차이에 기인한 것이다.한 것이다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권8호
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• pp.807-812
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• 1998

Mechanical properties of two types of polycrystlline {{{{ { { Ti}_{3 }SiC }_{2 } }} with different grain size were investigated. A fine grain {{{{ { { Ti}_{3 }SiC }_{2 } }} has a higher fracture strength and hardness. Plot of strength versus Vickers indentation load indicated that {{{{ { { Ti}_{3 }SiC }_{2 } }} has a high flaw tolerance. Hertzian indentation test using a spherical indenter was used to study elastic and plastic behavior in {{{{ { { Ti}_{3 }SiC }_{2 } }}. Indentation stress-strain curves of each material are made to evaluate the plasticity of {{{{ { { Ti}_{3 }SiC }_{2 } }} Both find and coarse grain {{{{ { { Ti}_{3 }SiC }_{2 } }} showed high plasticity. In-dentation stress-strain curve of coarse grain {{{{ { { Ti}_{3 }SiC }_{2 } }} deviated even more from an ideal elastic limit in-dicating exceptional plasticity in this material. Deformation zones were formed below the contact as well as around the contact area in both materials but the size of deformation zone in coarse grain {{{{ { { Ti}_{3 }SiC }_{2 } }} was much larger than that in fine grain {{{{ { { Ti}_{3 }SiC }_{2 } }} Intragrain slip and kink would account for high plasticity. Plastic behavior of {{{{ { { Ti}_{3 }SiC }_{2 } }} was strongly influenced by grain size.