• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.22 no.3
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• pp.126-130
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• 2013

The sodium (Na) and moisture ($H_2O$) gettering phenomena were measured and analyzed in PSG/$SiO_2$ passivated Al-1%Si thin film interconnections. PSG/$SiO_2$ passivation and Al-1%Si thin films were deposited by using APCVD (atmosphere pressure chemical vapor deposition) and DC magnetron sputter techniques, respectively. SIMS (secondary ion mass spectrometry) depth profiling analysis was used to determine the distribution of sodium and moisture throughout the PSG/$SiO_2$ passivated Al-1%Si thin film interconnections. Both sodium and moisture peaks were observed strongly at the interfaces between layers rather than within the Al-1%Si thin film interconnections. Sodium peaks were observed at the interface between PSG and $SiO_2$ passivations, while moisture peaks were not observed.

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.16 no.3
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• pp.290-295
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• 2005

For the application of fuel cell, the content and concentration of impurities in hydrogen stream must be classified. The purpose of this study is to provide analysis tool for the determination of impurities in hydrogen with ultra high purity. To produce UHT hydrogen, we purified hydrogen gas by both getter-based catridge and liquid-nitrogen soaked catridge. We compare two methods and propose new method to know about what is in hydrogen stream.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.81-81
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• 2016

극고진공 장치와 대형 초진공 시스템에서 원하는 진공도를 합리적으로 얻기 위해서는 진공 재료의 기체방출률을 줄이는 것이 가장 효과적이다. 이 때문에 기능성 피막 처리, 고온 탈기체 처리와 같은 방법이 적용되고 있다. 스테인리스강은 표면에 치밀한 크롬 산화막을 만들거나 재료의 기체 함유량을 줄이는 방법을 사용한다. 알루미늄합금 강은 특수처리로 표면에 알루미늄 산화막을 형성함으로써 기체방출률을 낮추고 있다. 이 발표에서는 스테인리스강을 비교적 낮은 온도에서 처리하여 매우 낮은 기체방출률을 얻는 노력에 대하여 보고한다. 알루미늄합금에 대해서는 특수압출과 내 표면 거울처리 하는 방법에 대하여 설명한다. 또한, 연강과 같은 금속재료의 기체방출률 측정 결과를 제작 공정으로 설명한다. 한편, 지정한 시간 내에 목표 진공도를 얻는 것과 최소 배기속도를 선택하고 적절히 배분하는 것도 매우 중요하다. 작고 가벼운 게터 펌프와 이온펌프의 조합으로 이를 해결하는 노력, 이온펌프의 최적화 연구에 대하여 보고하고자 한다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.10 no.3
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• pp.312-320
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• 2001

A Non-Evaporable Getter(NEG) pump was fabricated using Zr-V-Fe alloy modules to obtain $10^{-9}$ Pa range pressures. Pumping performances and activation characteristics were investigated and the pumping speeds for hydrogen, deuterium and carbon monoxide gases of the NEG pump were measured. And hydrogen desorption characteristics were examined during activation at $450^{\circ}C$. Futhermore the vacuum performance was compared with those of other high vacuum pumps as turbo-molecular pump, sputter-ion pump, and cryo pump by analyzing the residual gases of the system.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.236-236
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• 2010

P-type의 단결정, 다결정, UMG 기판을 이용하여 phosphorus툴 확산시킨 후 열처리한 external gettering 방식으로 실리콘 내부에 있는 불순물을 제거하였고, 기판의 lifetime 변화를 $\mu$-PCD를 이용하여 측정하였다. phosphorus를 $850^{\circ}C$에서 기판 내부로 20분 확산시킨 후 기판의 온도와 시간을 변화시키면서 gettering 공정을 시행하였다. 에미터층으로 인해 기판의 bulk lifetime이 부정확해 지는 것을 방지하기 위해서 NaOH를 이용하여 에미터층을 제거한 후 $\mu$-PCD를 이용하여 lifetime을 측정하였다. 또한 기판의 표면효과를 최소화하기 위해서 lifetime 측정전에 iodine을 이용하여 표면 passivation을 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.148.2-148.2
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• 2014

PLS-ll 빔 저장 시 photon absorber에서 튀어나온 광전자는 아래에 위치한 이온펌프의 전극에 흡수되어 컨트롤러에 허위전류를 인가해 부하를 준다. 전극을 향하는 광전자를 차단하기 위해 펌프 입구에 스테인리스 스틸 망을 장착한다. 장착 전 후의 이온펌프 전류 변화를 통해 전자의 차단 유무를 확인하고 펌프의 배기속도 변화를 측정해 이를 여러 가지 계산결과와 비교한다. 컨덕턴스 저하로 인한 실효 배기속도의 감소는 1% 이하로 예상되므로 장착된 스테인리스 스틸 망이 전체 조합펌프의 배기속도에는 큰 영향을 주지 않으며 안정적인 이온펌프 제어를 하게 할 것으로 기대한다.

• Journal of Powder Materials
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• v.14 no.1 s.60
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• pp.50-55
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• 2007

The hydrogen sorption speeds of $Zr_{57}V_{36}Ti_7$ amorphous alloy and its crystallized alloys were evaluated at room temperature. $Zr_{57}V_{36}Ti_7$ amorphous alloy was prepared by ball milling. The hydrogen sorption rate of the partially crystallized alloy was higher than that of amorphous. The enhanced sorption rate of partially crystallized alloy was explained in terms of grain refinement that has been known to promote the diffusion into metallic bulk of the gases. The grain refinement could be obtained by crystallization of amorphous phase resulting in the observed increase in sorption property.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.3 no.4
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• pp.403-409
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• 1993

In this paper, an $NH_3$, added during dry oxidation and annealing m Si( 111) is clarified effect ive to suppress or remove defects. Annealing effects in $N_2$ and $NH_3/N_2$ ambient are estimated with dry $O_2$ and $NH_4$ oxidation($NH_3$ added in dry $O_2$ oxidation) method. C;em'rated defects in dry $O_2$ oxidation are lengthened according to oxidation time. but any defects in $NH_3$ oxidation are not found. Dry oxidation, after $NH_3$ oxidation as an initial oxidation. lias the defect -removing effect at the interface of Si -$SiO_2$. After dry or $NH_3$. oxidation. the annealmg 7.5% $NH_3/N_2$ ambient brings out gettering effect of OSF. The annealing in 7.5% $NH_3/N_2$ ambient for NI L oxidation method decreaSE,s $NH_3$ length of OSF about 20 % compared with dry oxidation method. Tlw feature of OSF is pit type, the gettering is directed to (011) plane for (111) plane. and OSFs are etched following to 110) directIon.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07d
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• pp.1827-1829
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• 1999

반도체 소자가 고집적화 되고 미세화 될수록 좁은 면적에 여러 기능을 가진 우물을 형성시켜야하나 기존의 우물로는 고온 장시간 열처리로 인하여 측면 확산이 깊게 되고, 불순물 농도 분포는 표면으로부터 농도가 점차 낮아진다. 따라서 기존 우물의 불순물 분포로는 기생 트랜지스터에 의한 렛치-엎과 알파 입자에 의한 SER의 감소를 위하여 필요한 벌크에서의 고농도 분포를 유지하기가 곤란하다. 이러한 문제는 차세대 반도체 개발을 위해서는 반드시 해결해야 할 것이며 이것을 해결할 수 있는 공정으로는 고 에너지 이온 주입과 저온, 단시간 열처리이다. 고 에너지 이온 주입 시의 불순물 분포를 어떻게 제어할 것인가에 대한 것과 여기서 부수적으로 나타나는 격자 손상과 그 회복 및 잔류결함의 성질을 어떻게 알고 이를 게터링 등에 이용할 것이냐에 대한 것이다. 실리콘 기판 내로 가속된 이온은 실리콘 격자와 충돌하면서 많은 1차 결함이 생기고. 이들은 후속 열처리 과정에서 활성화되면서 대부분은 실리콘 격자의 위치에 들어가 활성화되고. 그 나머지는 실리콘내의 격자간 산소, 격자간 실리콘. 격자 빈자리와 상호 작용을 하여 2차 결함을 형성한다. 에피택셜 웨이퍼와 p-type웨이퍼에 비소 이온을 고에너지로 주입후 2단계 열처리에 의한 농도분포변화와 핵생성과 결함성장에 관해 실험하였고, 핵생성온도는 $600^{\circ}C$이하이고, 성장에 필요한 온도는 $700^{\circ}C$이상이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.1948-1950
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• 2004

가속기 연구소에서 개발한 고전압 대전류용 Seal-off TVS (Triggered Vacuum Switch)의 특성을 시험 하는 것을 목적으로 하고 있다. 제작한 TVS는 양전극과 음전극이 교대로 고정된 간격으로 각각 3개의 전극으로 배열되어 있으며 전극은 사다리꼴 모양으로 되어있고 트리거 시스템과 개스를 흡수하는 게터가 내부에 설치되어 있다. 제작한 스위치 내부는 약 $10^{-7}$ torr의 진공상태를 유지하고 있으며 세라믹 챔버를 사용하여 Seal-off 상태로 설계, 제작하였다. 스위치 시험장치는 200 ${\mu}F$, 22 kV 6개를 병렬로 연결한 커패시터 뱅크와 $20{\mu}H{\sim}160{\mu}H$의 탭변환 인덕터와 $0.1{\Omega}{\sim}0.5{\Omega}$ 의 저항을 이용하여 시험 장치를 구성하였다. TVS의 시험에서 에너지 최고 전달량은 74 C 이었으며 이때 인가전압은 30 kV, 최대 전류는 100 kA, 펄스폭은 1${\sim}$2 ms이었다. 본 논문은 제작한 스위치의 전기적인 특성 시험한 결과에 대하여 논하고자 한다.