• Title/Summary/Keyword: 건식 공정

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A Study on the Mechanism of Recycled Sand Dry Manufacturing System (순환잔골재 건식생산시스템의 메커니즘에 관한 연구)

  • Choi, Hyeong-Gil;Kim, Young-Bong;Na, Chul-Sung;Lee, Eui-Bae;Kim, Gyu-Yong;Kim, Moo-Han
    • Proceedings of the Korea Concrete Institute Conference
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    • 2008.04a
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    • pp.481-484
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    • 2008
  • Recently, the recycling and reusing of construction and demolition waste concrete is urgently required because waste concrete is greatly increased according to the rapid increasing of urban redevelopment project, but the problem solution for demand and supply unbalance of fine aggregate is urgently required because of the restriction of collecting sea fine aggregate. So the utilization of high quality recycled fine aggregate using construction and demolition waste concrete as new fine aggregate for construction industry is urgently. Accordingly, In this study, As recycled fine aggregate manufacturing technology with exceeding in economical efficiency, reduction efficiency of environmental load and quality improvement effect of recycled fine aggregate, it is to develop dry manufacturing system composed specific gravity separator of high-speed rotation impact type and centrifugal Force Powder Collector, etc. And it is to examine mechanism of recycled sand dry manufacturing system.

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Profile control of high aspect ratio silicon trench etch using SF6/O2/BHr plasma chemistry (고종횡비 실리콘 트랜치 건식식각 공정에 관한 연구)

  • 함동은;신수범;안진호
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.69-69
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    • 2003
  • 최근 trench capacitor, isolation trench, micro-electromechanical system(MEMS), micro-opto-electromechanical system(MOEMS)등의 다양한 기술에 적용될 고종횡비(HAR) 실리콘 식각기술연구가 진행되어 지고 있다. 이는 기존의 습식식각시 발생하는 결정방향에 따른 식각률의 차이에 관한 문제와 standard reactive ion etching(RIE) 에서의 낮은 종횡비와 식각률에 기인한 문제점들을 개선하기 위해 고밀도 플라즈마를 이용한 건식식각 장비를 사용하여 고종횡비(depth/width), 높은 식각률을 가지는 이방성 트랜치 구조를 얻는 것이다. 초기에는 주로 HBr chemistry를 이용한 연구가 진행되었는데 이는 식각률이 낮고 많은양의 식각부산물이 챔버와 시편에 재증착되는 문제가 발생하였다. 또한 SF6 chemistry의 사용을 통해 식각률의 향상은 가져왔지만 화학적 식각에 기인한 local bowing과 같은 이방성 식각의 문제점들로 인해 최근까지 CHF3, C2F6, C4F8, CF4등의 첨가가스를 이용하여 측벽에 Polymer layer의 식각보호막을 형성시켜 이방성 구조를 얻는 multi_step 공정이 일반화 되었다. 이에 본 연구에서는 SF6 chemistry와 소량의 02/HBr의 첨가가스를 이용한 single_step 공정을 통해 공정의 간소화 및 식각 프로파일을 개선하여 최적의 HAR 실리콘 식각공정 조건을 확보하고자 하였다.

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Photoluminescence analysis of patterned light emitting diode structure

  • Hong, Eun-Ju;Byeon, Gyeong-Jae;Park, Hyeong-Won;Lee, Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.21.2-21.2
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    • 2009
  • 발광다이오드는 에너지 변환 효율이 높고 친환경적인 장점으로 인하여 차세대 조명용 광원으로 각광받고 있다. 하지만 현재 발광다이오드는 낮은 광추출효율로 인하여 미래의 수요를 충족시킬 수 있을 만큼 충분한 성능의 효율을 나타내지 못하고 있다. 발광다이오드의 낮은 광추출효율은 반도체소재와 외부 공기와의 큰 굴절률 차이로 인하여 발생하는 전반사 현상에 기인한 것으로 이 문제를 해결하기 위하여 발광다이오드 소자의 발광면 및 기판을 텍스처링하는 방법이 중요하게 인식되고 있다. 하지만 현재까지 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석한 연구는 미진한 상황이다. 본 연구에서는 임프린팅 및 건식식각 공정을 이용하여 다양한 구조의 나노 및 micron 급 패턴을 발광다이오드의 p-GaN층에 형성하였다. 발광다이오드 기판 위에 하드마스크로 사용하기 위한 SiO2를 50nm 증착한 후 그 위에 UV 임프린팅 공정을 진행하여 폴리머 패턴을 형성시켰다. 임프린팅 공정으로 형성된 폴리머 패턴을 CF4CHF3 플라즈마를 이용하여 SiO2를 건식식각하였고, 이후에 SiCl4와 Ar 플라즈마를 이용한 ICP 식각 공정을 진행하여 p-GaN층을 100nm 식각하였다. 마지막으로 BOE를 이용한 습식식각 공정으로 p-GaN층에 남아있는 SiO2층을 제거하여 p-GaN층에 sub-micron에서 micron급의 홀 패턴을 형성하였다. Photoluminescence(PL) 측정을 통해서 발광다이오드 소자에 형성된 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석하였다.

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OREOX 공정에서 사용후핵연료로부터 핵분열기체 방출거동

  • 박근일;김웅기;이도연;이영순;이정원;양명승
    • Proceedings of the Korean Radioactive Waste Society Conference
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    • 2004.06a
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    • pp.316-317
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    • 2004
  • 사용후핵연료를 이용한 건식 핵연료 원격 제조 공정중 OREOX공정으로부터 핵분열기체 방출특성 평가를 위한 실험을 수행하였다. 사용후핵연료 분말화 공정인 1차 산화 및 OREOX공정에서 방출되는 핵분열기체를 실시간으로 측정할 수 있는 장치를 제작$\cdot$설치하였으며, 측정 대상 핵분열기체는 Kr-85를 포함하여 C-14$^{14}CO_2$ 형태), I-129, 기체상 트리튬 등이다. 그림 1은 방출되는 핵분열기체를 포집 또는 연속측정하기 위한 개념도이며, 그림 2는 핫셀구역에 설치된 장치 사진이다.(중략)

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