• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제24권10호
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• pp.11-23
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• 2019

본 연구에서는 토목분야의 다양한 상용 BIM 모델링 설계 소프트웨어의 사용자들에게 상호 호환성과 상호 운용성을 보장하기 위해 BIM 국제 표준 파일 포맷인 IFC 파일로의 파일 변환 프로세스를 새롭게 설계하여 제시한다. 제안된 프로세스는 상용 BIM 모델링 소프트웨어를 위한 add-in 방식의 컨버터(Converter)를 사용하여, 변환되는 IFC 파일의 3차원 객체 형상 정보에 수량 산출식 코드 속성과 토목 분야 CBS/OBS/WBS 표준분류체계 속성으로 구성되는 추가적인 속성들을 삽입한다. 또한, 개방형(Open) 웹 기반 수량, 공정(4D) 및 공사비(5D) 관리를 위한 IFC 파일의 통합 활용 프로세스를 추가로 설계하고 구축한다. 이러한 작업을 통해 토목 분야의 BIM 모델링 설계 단계에서 최종적인 시공 단계에 이르는 개방형 웹 기반 수량, 공정(4D) 및 공사비(5D)의 연계적 활용에 대한 새로운 프로세스를 제시하는 것이 본 연구의 궁극적인 목적이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제26권4호
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• pp.424-434
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• 2015

위상배열 레이더 시스템에서 간섭과 재밍을 제거하기 위하여 적응빔 형성 알고리즘이 폭넓게 사용되고 있다. 최근에 와서 FPGA 기술의 발전으로 적응빔 형성 알고리즘의 실시간 처리가 가능하게 되었다. 본 논문에서는 능동위상배열 레이더를 개발하기 위해 전단신호처리기에 적용한 적응빔 형성기의 FPGA 기반 실시간 구현방법을 제안하였다. 개방형 VPX 벡플레인을 통한 통신의 상용 FPGA 보드를 활용하여 콤팩트한 적응빔 형성기를 개발하였다. 이 적응빔 형성기는 역행렬을 구하기 위해 QR 분해와 역 치환을 포함한 수많은 고속의 복소 신호처리와 벡터 및 행렬 연산으로 구성하였다. 구현 결과, FPGA를 통한 적응빔 형성 결과와 매트랩을 통한 시뮬레이션 결과가 일치함을 보였다. 또한, FPGA를 통한 적응빔 형성 알고리즘의 실시간 처리가 가능하여 능동위상배열 레이더 시스템에 적용 가능함을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.1247-1257
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• 2000

옵셋 안테나 (offset-fed dish antenna)를 분석한다. DBS 수신안테나로서 널리 사용되는 옵셋 안테나는 비대칭, 개방형 구조 때문에 해석이 어렵다. 본 논문에서는 푸리에 변환 방법과 Physical Optics를 이용하여 옵셋 반사판과 피드 혼 개구면으로부터의 방사 전계에 대한 정확한 성공적으로 유도하였다. 또한 반사판의 지경, 촛점거리, 단면 등 모든 다양한 구조적 환경에서 해석할 수 있도록 여러 구조 인자를 가진 해를 도출하였다. 이를 이용하여 한 개의 반사판에 어려 개의 혼을 배치시킨 다중 빔 안테나를 분석하고, 특히 동경 116$^{\circ}$의 무궁화위성 (중계기출력 59dBW)과 동경 139$^{\circ}$로 계획되어 있는 Orion 위성 (중계기출력 54dBW)로부터 동시에 수신할 수 있는 안테나를 고찰한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.329.2-329.2
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• 2014

지난 수년간 태양전지의 광전변환효율을 높이기 위해 자가 조립된 InAs 또는 GaSb와 같은 양자점을 GaAs 단일 p-n 접합에 적용하는 연구를 개발해 왔다. 그러나 양자점의 흡수 단면적에 의한 광 흡수도는 양자점층을 수십 층을 쌓으면 증가하지만 활성층에 결함을 생성시킨다. 생성된 결함은 운반자트랩으로 작용하여 태양전지의 광전변환효율을 감소시킨다. 본 실험에서는 양자점이 적용된 태양전지와 적용되지 않은 태양전지의 광전변환 효율을 비교하고, 깊은준위 과도용량 분광법을 이용하여 결함상태를 측정 및 비교함으로써, 활성층 내부에 생성된 결함이 광전변환 효율에 미치는 영향을 분석하였다. 소자구조는 분자선 증착 방법을 이용하여, 먼저 n+-형 GaAs기판위에 n+-형 GaAs를 250 nm 증착한 후, 도핑이 되지 않은 GaAs활성층을 $1{\mu}m$ 두께로 증착하였다. 마지막으로 n+ 와 p+-형 GaAs를 각각 50, 750 nm 증착함으로써 p-i-n구조를형성하였다. 여기서, n+-형 GaAs 과 p+-형 GaAs의 도핑농도는 동일하게 $5{\times}1018cm-3$로 하였다. 또한 양자점을 태양전지 활성층에 20층을 형성하였다. 이때 p-i-n 태양전지 와 양자점 태양전지의 광전변환 효율은 각각 5.54, 4.22 % 를 나타내었다. p-i-n 태양전지의 개방 전압과 단락전류는 847 mV, 8,81 mA이며 양자점 태양전지는 847 mV, 6.62mA로 확인되었다. 태양전지의 전기적 특성을 측정하기 위해 소자구조 위에 Au(300nm)/Pt(30nm)/Ti(30nm)의 전극을 전자빔증착장치로 증착하였으며, 메사에칭으로 직경 $300{\mu}m$의 태양전지 구조를 제작하였다. 정전용량-전압 특성 및 깊은준위 과도용량 분광법을 이용하여 태양전지의 결함분석 및 이에 따른 광전변환 특성인자와의 상관관계를 논의할 것이다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제42권9호
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• pp.97-100
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• 2005

본 논문에서는 433MHz에서 동작하는 RFID 리더용 직교형 안테나에 관하여 기술하였다 본 이중편파 안테나는 1x2 서브어레이를 기본으로 하여 급전회로망의 위상을 동위상 또는 반대 위상을 갖도록하여 2개 안테나의 방사체에서의 상대적인 전류 분포를 제어하여 빔 패턴에서 편파를 수직 및 수평으로 복사가 가능토록 하였다 단일 안테나는 역-에프형 구조를 이용하였으며 위상차에 따른 단락점에서부터 개방점 까지의 전류의 변화가 궁극적으로 수직 및 수평 편파가 제어되도록 하였다 이중입력에 대한 안테나의 이득은 수직 및 수평 편파에 대하여 2.7 및 0.4 dBi를 나타내었으며, 포트간 아이솔레이션은 25dB 이하의 특성을 나타내었다.