• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2007.07a
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• pp.117-119
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• 2007

본 논문에서는 램프가 한개 이상 개방 시 피드백 제어 회로를 동작하지 않도록 하면서, 램프를 보호할 수 있는 개방전압을 출력하는 LCD 백라이트 구동용 인버터 회로도에 관한 것이다. 램프 개방전압 출력을 위한 회로는 램프 전류 피드백 블록, 개방전압시 이상신호를 감지하는 전압 피드백 블록, 램프 개수에 상관없이 최고치 값을 감지하는 블록으로 되어 있다. 전술한 회로가 내장된 인버터는 램프의 개방 시 램프의 개수 상관없이 CCFL의 보호 스펙인 2500V의 개방전압을 출력한다. 이러한 인버터가 내장된 LCD패널은 향상된 안정화 동작을 구현하게 된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.327.2-327.2
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• 2014

CIGS박막 태양전지의 온도에 의한 효율과 전기적 특성 변화를 알아보기 위해 $25^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 각각 100시간을 노출시킨 후 전기적인 특성들을 측정하여 초기 값들과 비교하였다. 태양전지의 온도 스트레스에 의한 특성 및 파라미터들의 변화들을 확인하기 위해 Light I-V와 Minority Carrier의 Lifetime을 측정하여 비교 분석하였다. 실험에 사용한 소자의 초기 파라미터들은 $25^{\circ}C$에서 측정하였고, 단락전류 11mA, 개방전압 0.64V, 곡선인자 60.49%, Lifetime 10.7s 효율 9.17%이다. 각 온도별 노출에 대해 CIGS박막 태양전지의 효율은 $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$에서는 초기 값과 비슷하였고, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 초기 값 대비 54%, 84% 감소 특성을 보였다. 단락전류는 $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$에서는 크게 변화하는 모습이 나타나지 않았고 $200^{\circ}C$에서 63% 감소하였다. 개방전압, 곡선인자, Lifetime은 효율과 마찬가지로 $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 감소하는 모습이 나타났다. $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 개방전압이 9.3%, 18.7%, 곡선인자는 45.8%, 56.3%정도 감소하였다. Lifetime은 64.4%, 80.1%정도 감소하였다. 이 실험을 통해 개방전압과 곡선인자, Minority Carrier의 Lifetime이 일정 온도부터 온도의 영향을 받아 감소하고, 그 영향으로 효율이 감소하게 되는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.224.1-224.1
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• 2013

CIGS박막 태양전지의 온도에 의한 효율변화를 알아보기 위해 $25^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 각각 10시간을 노출시킨 후 전기적인 특성들을 측정하여 초기 값들과 비교해 보았다. 태양전지의 온도 스트레스에 의한 특성 및 파라미터들의 변화들을 확인하기 위해 Light I-V를 측정하여 비교 분석하였다. 실험에 사용한 소자의 초기 파라미터들은 $25^{\circ}C$에서 측정하였고, 개방전압 0.66V, 곡선인자 67.99%, 효율 10.49%이다. 각 온도별 노출에 대해 CIGS박막 태양전지의 효율은 $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$에서는 초기 값과 비슷하였고, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 초기 값 대비 22.8%, 57.5% 감소 특성을 보였다. 단락전류는 온도별 노출에 대해서 크게 변화하는 모습이 나타나지 않았고, 개방전압과 곡선인자는 효율과 마찬가지로 $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 감소하는 모습이 나타났다. $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 개방전압이 3.4%, 8.3%, 곡선인자는 19.9%, 53.7%정도 감소하였다. 이 실험을 통해 개방전압과 곡선인자가 일정 온도부터 온도의 영향을 받아 감소하고, 그 영향으로 효율이 감소하게 되는 것을 확인하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.22 no.8
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• pp.45-51
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• 2008

HID(High Intensity Discharge) search lamp for shipment requires a high open circuit and output current compare than vehicle. This paper presents a soft-start open circuit voltage and constant current sequence control method for 2.5[kW] HID search lamp. The proposed method controls the opal circuit voltage and discharge current of HID lamp according to ignition signal with a simple 8-bit micro-processor and PWM device. For the stable control of lamp, micro-processor checks the output voltage and current. And the checked signals are compared with ignition signal and changes the control mode for stable operation. An ignition signal and micro-processor change the control mode from open circuit voltage contort to constant current control. The proposed control scheme is verified from experimental tests of 2.5[kW] HID search lamp for shipment.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.05a
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• pp.110.2-110.2
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• 2011

일본 Sanyo 사에 의해서 획기적으로 HIT 태양전지가 개발된 바 있다. 이러한 HIT 태양전지는 기존의 확산-접합 Si 태양전지에 비해서 저비용 고효율의 장점을 갖는다: 22% 이상의 변환효율, $200^{\circ}C$ 이하의 공정온도, 낮은 태양전지 온도 의존도, 높은 개방전압. 한편 Sanyo사의 HIT 태양전지는 n-형 Si 웨이퍼를 이용한 반면에, 최근 미국 National Renewable Energy Laboratory는 p-형 Si 웨이퍼를 이용해서 변환효율 19% 대의 HIT 태양전지를 개발한 바 있다. 그 동안 지속적으로 p-형 Si HIT 태양전지를 고효율화하기(< 22%) 위해서 많은 노력이 진행되어 왔지만 이와 같은 노력에도 불구하고 아직 p-형 HIT는 n-형 HIT 태양전지에 비해서 다소 성능면에서 떨어져 있다. 본 연구는 n- 및 p-형 실리콘 웨이퍼로 구성된 HIT 태양전지의 물리적인 차이점에 초점을 맞추고, 결정 및 비정질 실리콘 층의 역할에 대해서 연구하였다. 특히 태양전지 효율을 향상시키는 요소들로서 결정 실리콘의 불순물 준위(n- 및 p-형) 또는 비저항, 비정질 실리콘으로 구성된 emitter 층, intrinsic 층, 경계면이 고려되었다. 그리고 이러한 요소들이 HIT 태양전지에 미치는 영향을 조사하기 위해서 AMPS-1D 컴퓨터 프로그램을 사용하였고, 이를 통해서 HIT 태양전지의 결정 및 비정질 실리콘 층의 역할을 물리적 정량적으로 분석하였다. 본 연구에 적용되는 HIT는 ITO/a-Si:H(p+)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n+) 및 ITO/a-Si:H(n+)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/a-Si:H(p+)의 구조로서 다음과 같은 태양전지 특성을 갖는다: n-형 HIT의 경우, fill factor ~ 0.78, 단락전류밀도 ~ 38.1 $mA/cm^2$, 개방전압 0.74 V, 변환효율 22.3 % (그리고 p-형 HIT의 경우, fill factor ~ 0.76, 단락전류밀도 ~ 36.5 $mA/cm^2$, 개방전압 0.69 V, 변환효율 19.4 %).

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.44 no.11
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• pp.60-66
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• 2007

In this paper, a novel voltage-controlled oscillator (VCO) using the microstrip square open loop multiple split ring resonator (OLMSRR) is presented for reducing the phase noise property. The square-shaped multiple split ring resonator (MSRR) having the form of the microstrip square open loop is investigated to realize this property. Compared with the microstrip square open loop resonator and the microstrip square open loop split ring resonator (OLSRR) as well as the conventional microstrip line resonator, the microstrip square OLMSRR has the larger coupling coefficient value, which makes a higher Q value, and has reduced the phase noise of VCO. The VCO with 1.7V power suppIy has the phase noise of $-124.5\;{\sim}\;-122.0\;dBc/Hz$ @ 100 kHz in the tuning range, $5.746\;{\sim}\;5.84\;GHz$. The figure of merit (FOM) of this VCO is $-203.96\;{\sim}\;-201.6\;dBc/Hz$ @ 100 kHz in the same tuning range. Compared with VCO using the conventional microstrip line resonator, VCO using the microstrip square open loop resonator and VCO using microstrip square OLSRR, the phase noise property of VCO using the proposed resonator has been improved in 25.66 dB, 8.34 dB, and 4.5 dB, respectively.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.413-414
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• 2017

영구자석 동기전동기 구동 인버터 시스템 내 스위치 고장은 다양한 조합으로 발생한다. 특히 스위치 개방고장의 경우 다른 전기 부품에 과전류를 유발하여 전체 시스템에 심각한 2차 손상을 초래한다. 본 논문에서는 개방고장 진단 알고리즘의 복잡성을 완화하기 위해 고장 그룹을 분류하여 고장 발생 시 false alarm의 영향을 받지 않고 간단하고 체계적인 방식으로 고장을 식별할 수 있는 기법을 제안한다. 스위치의 개방 고장으로 영구자석 동기전동기 구동 시스템 내 PWM 전압원 인버터의 신뢰성을 향상시키기 위해 3중 스위치 개방고장 진단 및 검출 기법을 제시한다. 제안된 기법은 기존의 개방고장 진단방법과 달리 정보처리를 위해 Moving Filter를 사용함으로써 연산부하를 증가시키지 않고 신속한 고장 검출이 가능하며 별도의 하드웨어 구성없이 구현이 가능하다. 제안된 기법의 안정성과 유효성이 시뮬레이션을 통해 입증된다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.18 no.8
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• pp.847-853
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• 2007

In this paper, a novel push-push voltage-controlled oscillator(VCO) using microstrip square open loop resonator and tunable negative resistance is presented. The microstrip square open loop resonator has the large coupling coefficient value, which makes a high Q value, and has reduced phase noise of VCO. The VCO with 1.8V power supply has phase noise of $-124.67{\sim}-122.67dBc/Hz\;@\;100 kHz$ in the tuning range, $5.744{\sim}5.859 GHz$. The FOM of this VCO is $-202.83{\sim}-201dBc/Hz\;@\;100 kHz$ in the same tuning range. When it has been compared with single-ended VCO using microstrip square open loop resonator, and push-push oscillator using microstrip line resonator, the reduced phase noise has been -8.51dB, and -33.67dB, respectively.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.04a
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• pp.140-142
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• 2004

본 논문에서는 UC3879 PWM 제어기를 사용한 풀브릿지 위상천이 컨버터의 출력전압 피드백 신호선의 개방과 과전압이 발생하였을 경우에 컨버터를 안정적으로 유지시키기 위한 보호 회로를 제안하고 있다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.44 no.12
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• pp.22-27
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• 2007

In this paper, a novel voltage-controlled oscillator (VCO) using the microstrip square open loop split ring resonator (OLSRR) is presented for reducing the phase noise. For this purpose, the square-shaped split ring resonator (SRR) haying the form of the microstrip square open loop is investigated. Compared with the microstrip square open loop resonator, the microstrip square OLSRR has the larger coupling coefficient value, which makes a higher Q value, and has reduced the phase noise of VCO. The VCO with 1.7V power supply has the phase noise of $-120\sim-116.5$ dBc/Hz @ 100 kHz in the tuning range, $5.746\sim5.854$ GHz. The figure of merit (FOM) of this VCO is $-200.33\sim-197$ dBc/Hz @ 100 kHz in the same tuning range.