This study was intended to determine PCK of the middle school science teachers on Mendelian genetics and factors influenced to form their PCKs. Two science teachers with biology major with a teaching experience over 5 years were chosen as the subject. Data were collected by class observation, semi-structured interview, teacher questionnaire survey, Content Representation and Pedagogical and Professional-experience Repertoire. The collected data were analyzed based on Magnusson's PCK for science teaching consisting of five components: (a) the orientation toward teaching science, (b) the knowledge of science curriculum, (c) the knowledge of students' understanding, (d) the knowledge of assessment, and (e) the knowledge and belief in the instructional strategies to teach science. Teachers could have the orientation toward teaching science served as an assisting role to support students' abilities. Both subject teachers seemed to focus on giving lectures. Their efforts to improve students' exploration methods and abilities were not expressed enough in their real classes and they found that students struggled to understand Mendelian genetics. Therefore, they should have explained them in an easier way and worked harder to make their students understood accurately and applied basic and advanced concepts of Mendelian genetics. They found students' preconception and misconception regarding Mendelian genetics and wished to enhance their learning effects by various teaching strategies such as correcting misconception, adding the history of science and simply assessing students' affirmative domains. It was also found that factors influenced to form PCK regarding Mendelian genetics by both teachers were as follows: teacher's personality and endeavor, textbooks and guidance books, schools and their circumstances, teaching experience, experience as a learner, interaction with their colleagues, and university curriculum. Both teachers said that it was important for teachers to make every efforts to give better classes.
Ji Hyoun Kang;Jeong Mi Hwang;Soon-Jik Kwon;Min Jeong Baek;Sun-Jae Park;Changseob Lim;Yeon Jae Bae
Korean Journal of Environmental Biology
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v.41
no.3
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pp.325-334
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2023
The invasive red swamp crayfish, Procambarus clarkii, is native to south-central United States and northeastern Mexico. Recently, it has been being spreading in the wild in South Korea. However, its primary sources, introduction routes, establishment, and expansion in South Korea remain unclear. Here, we analyzed genetic diversity and population genetic structures of its domestic natural populations during early invasion, commercial stock from local aquaria (a suspected introduction source), and original United States population using mitochondrial COI gene sequences for 267 individuals and eight microsatellite markers for 158 individuals. Natural and commercial populations of P. clarkii showed reduced genetic diversity (e.g., haplotype diversity and allelic richness). The highest genetic diversity was observed in one original source population based on both genetic markers. Despite a large number of individuals in commercial aquaria, we detected remarkably low genetic diversity and only three haplotypes among 226 individuals, suggesting an inbred population likely originating from a small founder group. Additionally, the low genetic diversity in the natural population indicates a small effective population size during early establishment of P. clarkii in South Korea. Interestingly, genetic differentiation between natural populations and the United States population was lower than that between natural populations and aquarium populations. This suggests that various genetic types from the United States likely have entered different domestic aquariums, leading to distinct natural populations through separate pathways. Results of our study will provide an insight on the level of genetic divergence and population differentiation during the initial stage of invasion of non-indigenous species into new environments.
Park, Tae-Sung;Kwak, Dong-Ryul;Park, Ik-Keun;Miyasaka, Chiaki
Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.32
no.4
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pp.393-400
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2012
In recent years, nano-structured thin film systems are often applied in industries such as MEMS/NEMS device, optical coating, semiconductor or like this. Thin films are used for many and varied purpose to provide resistance to abrasion, erosion, corrosion, or high temperature oxidation and also to provide special magnetic or dielectric properties. Quite a number of articles to evaluate the characterization of thin film structure such as film density, film grain size, film elastic properties, and film/substrate interface condition were reported. Among them, the evaluation of film adhesive to substrate has been of great interest. In this study, we fabricated the polymeric thin film system with different adhesive conditions to evaluate the adhesive condition of the thin film. The nano-structured thin film system was fabricated by spin coating method. And then V(z) curve technique was applied to evaluate adhesive condition of the interface by measuring the surface acoustic wave(SAW) velocity by scanning acoustic microscope(SAM). Furthermore, a nano-scratch technique was applied to the systems to obtain correlations between the velocity of the SAW propagating within the system including the interface and the shear adhesive force. The results show a good correlation between the SAW velocities measured by acoustic spectroscope and the critical load measured by the nano-scratch test. Consequently, V(z) curve method showed potentials for characterizing the adhesive conditions at the interface by acoustic microscope.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.280-280
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2007
$Pb(Zr,Ti)O_3$ (PZT) 강유전체 박막은 높은 잔류 분극 (remanent polarization) 특성 때문에 현재 강유전체 메모리 (FeRAM) 소자에 적용하기 위하여 가장 활발히 연구되고 있다. 그런데 PZT 물질은 피로 (fatigue) 및 임프린트 (imprint) 등의 장시간 신뢰성 (long-term reliability) 특성이 취약한 단점을 가지고 있다. 이러한 신뢰성 문제를 해결할 수 있는 효과적인 방법 중의 하나는 $IrO_2$, $SrRuO_3$(SRO) 등의 산화물 전극을 사용하는 것이다. 많은 산화물 전극 중에서 SRO는 PZT와 비슷한 pseudo-perovskite 결정구조를 갖고 격자 상수도 비슷하여, PZT 커패시터의 강유전 특성 및 신뢰성을 향상시키는데 매우 효과적인 것으로 알려져 있다. 따라서 본 연구는 PZT 커패시터에 적용하기 위하여 SRO 박막을 증착하고 이의 전기적 특성 및 미세구조를 분석하고자 하였다. 또 실제로 SRO 박막을 상부전극과 PZT 사이의 버퍼 층 (buffer layer)으로 적용한 경우의 커패시터 특성도 평가하였다. 먼저 다결정 SRO 박막을 $SiO_2$/Si 기판 위에 DC 마그네트론 스퍼터링 법 (DC magnetron sputtering method)으로 증착하였다. 그 다음 이러한 SRO 박막의 미세구조, 결정성 및 전기적 특성이 증착 조건들의 변화에 따라서 어떤 경향성을 보이는지를 평가하였다. 기판 온도는 $350\;{\sim}\;650^{\circ}C$ 범위에서 변화시켰고, 증착 파워는 500 ~ 800 W 범위에서 변화시켰다. 또 Ar+$O_2$ 혼합 가스에서 산소의 혼합 비율을 20 ~ 50% 범위에서 변화시켰다. 이러한 실험 결과 SRO 박막의 전기적 특성 및 미세 구조는 기판의 증착 온도에 따라서 가장 민감하게 변함을 관찰할 수 있었다. 다른 증착 조건과 무관하게 $450^{\circ}C$ 이상의 온도에서 증착된 SRO 박막은 모두 주상정 구조 (columnar structure)를 형성하며 (110) 방향성을 강하게 나타내었다. 가장 낮은 전기 저항은 $550^{\circ}C$ 증착 온도에서 얻을 수 있었는데, 그 값은 약 $440\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ 이었다. SRO 버퍼 충을 적용하여 제작한 PZT 커패시터의 잔류 분극 (Pr) 값은 약 $30\;{\mu}C/cm^2$ 정도로 매우 높은 값을 나타내었고, 피로 손실 (fatigue loss)도 $1{\times}10^{11}$ 스위칭 사이클 후에 약 11% 정도로 매우 양호한 값을 나타내었다.
The genetic structures at one leucine aminopeptidase locus (LAP-A) of acorns, seedling raised in greenhouse and forest form the two beech provenances. West Germany and Rumania, were investigated and compared with each other. In many pair wise comparisons significant differences in genotypic structure as well as genic structure were ascertained between different developmental stages. In both the provenances, the allele $A_2$ seems to have advantage at both seedling stages raised under two different conditions. Homozygous carriers of $A_2$ allele survived best in greenhouse, while heterozygous carriers especially with $A_2$ allele possessed great viability under more variable environmental conditions. Since a distinct different genetic background was present in two base populations, the identical effect of the allele $A_2$ confirms the adaptiveness of this locus. With aid of some measures such as viability parameter and genetic distance, the character of occurred viability selection of further explained. The possible significance of this locus at this early stage is discussed in relation to adaptation of this long lived tree species to heterogeneous environment.
Bi-layered SrBi2Ta2O9(SBT) films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si sibstrates by rf magnetron sputt-ering at room temperature and then were annealed at 75$0^{\circ}C$, 80$0^{\circ}C$ and 85$0^{\circ}C$ for 1 hour in oxygen at-mosphere. The film composition of SrBi2Ta2O9 was obtained after depositing at room temperature and annealing at 80$0^{\circ}C$. Excess 20mole% Bi2O3 and 30 mole% SrCO3 were added to the target to compensate for the lack of Bi and Sr in SBT film. 200 nm thick SBT film exhibited and dense microstructure, adielectric constant of 210, and a dissipation factor of 0.05 at 1 MHz frequency. The films exhibited Curie temperature of 32$0^{\circ}C$ and a dielectric constant of 314 at that temperature under 100 kHz frequency. The remanent polarization(2Pr) and the coercive field(2Ec) of the SBT films were 9.1 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and 85 kV/cm at an applied voltage of 3V, resspectively and the SBT film showed a fatigue-free characteristics up to 1010 cy-cles under 5V bipolar pulse. The leakage current density of the SBT film was about 7$\times$10-7A/$\textrm{cm}^2$ at 150 kV/cm. Fatigue-free SBT films prepared by rf magnetron sputtering can be suitable for application to non-volatile memory device.
Since silicon having a band gap energy of about 1.12 eV are limited to a maximum operating temperature of less than 250 ℃, the sample with MIS structure based on the SiC substrate of wide-band gap energy was manufactured and the hydrogen response characteristics at high temperatures were investigated. The dielectric layer applied here is a tantalum oxide layer that is highly permeable to hydrogen gas and shows stability at high temperatures. It was formed by RTO at a temperature of 900 ℃ with tantalum. The thickness, depth profiles, and leakage current of the tantalum oxide layer were analyzed through TEM, SIMS, and leakage current characteristics. For the hydrogen gas response characteristics, the capacitance change characteristics were investigated in the temperature range from room temperature to 400 ℃ for hydrogen gas concentrations from 0 to 2,000 ppm. As a result, it was confirmed that the sample exhibited excellent sensitivity and a response time of about 60 seconds.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.11
no.6
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pp.920-928
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2000
In this paper, using newly proposed size reduction technique, the aperture coupled microstrip patch antenna for a repeater system in a mobile communication cellular band (824~849 MHz) is developed with a wide bandwidth, small size, light weight, and low cost. The resonant frequency of microstrip antennas is related to the electric field distribution of the radiating patch. The field strength of $TM_{01}$ mode of a rectangular patch antenna is strongest at each of the extremities of the radiating patch, but negligible at center. Therefore, the size of a patch antenna can be effectively minimized by inserting the narrow rectangular dielectric into just under the edges of the resonant Patch. This Paper also proposes the bandwidth improvement technique by using under-coupling technique with a tuning stub. The VSWR is less than 1.5 : 1 for the whole cellular band. The simulation tool was HFSS, Agilent Technologies, Inc.
Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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v.34
no.2
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pp.261-266
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2005
Gamma irradiation at 30 kGy was applied to porridge to evaluate its possible genotoxicity. The genotoxicity of irradiated porridge was evaluated by Salmonella Typhimurium reversion assay, chromosomal aberration test and in vivo micronucleus assay. The results were negative in the bacterial reversion assay with S. Typhimurium TA98, TA100, TA1535 and TA1537. No mutagenicity was detected in the assay both with and without metabolic activation. In chromosomal aberration tests with CHL cells and in vivo mouse micronucleus assay, no significant difference in the incidences of chromosomal aberration and micronuclei was observed between nonirradiated and 30 kGy-irradiated porridge. These results indicate that porridge irradiated at 30 kGy did not show any genotoxic effects under these experimental conditions.
$SrBi_2Ta_2O_9(SBT)$and$ZrO_2$thin films for MFIS structure(Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor) were deposited by RF magnetron sputtering method. In order to investigate the effect of heat treatment of insulator layers and MFIS structure, the insulator layers were heat treated from $550^{circ}C;to; 850^{\circ}C$in conventional furnace or RTA furnace under$O_2$and Ar ambient, respectively. After then, C-V characteristics and leakage current were measured. The capacitor with 20 nm thick $ZrO_2$layer treated at RTA$750^{circ}C;in;O_2$ atmosphere had the largest memory window. The C-V and leakage current characteristics of the$Pt/SBT(260nm)/ZrO_2(20nm)/Si$structure were better than those of$Pt/SBT(260nm)/Si$ structure. These results showed that$ZrO_2$films took a role of buffer layer effectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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