• Title/Summary/Keyword: 감광액

Search Result 29, Processing Time 0.026 seconds

Study on the FPCS for Photoresist Coating of Semiconductor Manufacturing Process (반도체 생산공정의 감광액 도포를 위한 FPCS에 관한 연구)

  • Park, Hyoung-Keun
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
    • /
    • v.14 no.9
    • /
    • pp.4467-4471
    • /
    • 2013
  • In this research, developed full-scan photoresist coating system(FPCS) can improve the efficiency of the photoresist coating system essential for spinner equipment in nano semiconductor manufacturing process. The devices developed in this research, which can be swiftly replaced in case abnormal state element changes or wafer manufacturing defect occurs, are anticipated to improve module yield as well as real-time monitoring on the state element in order to prevent the complex process defect due to the photoresist miss coating.

A Study on the Characteristics and Cleanliness of Fluidic Strip Process of Environment-Friendly Aqueous Stripper (친환경 수계 박리액의 유동박리 공정 특성 및 청정성 연구)

  • Lee, Ki-Seong;Lee, Jaeone;Kim, Young Sung
    • Clean Technology
    • /
    • v.24 no.3
    • /
    • pp.175-182
    • /
    • 2018
  • In this research, we investigated the cleanliness by optimizing the water content of the aqueous stripper in fluidic strip process. The stripping properties of the photoresist with optimized aqueous stripper were compared with the commercial organic stripper. The stripping performance was evaluated by electrical and optical characteristics on the surface of the transparent electrode that compare with stripped the transparent electrode surface and the rare surface before patterning by the photoresist. As a result of the photoresist stripping process of the organic stripper and the aqueous stripper optimized for water content, the aqueous stripper exhibited better electrical and optical characteristics than the organic stripper. In the case of the fluidic strip process with organic stripper, the photoresist dissolves in the stripper solution during stripping which can cause re-adsorption by contamination. Whereas that the aqueous stripper under development seems to decrease the photoresist dissolution in the stripper solution. Because the cyclodextrin contained in the stripper captures organic photoresist into hall of cyclodextrin which stripped through swelling and tearing. The photoresist residue captured by the cyclodextrin can be filtered. After the fluidic stripping process by different chemical stripping mechanism, the cleanliness of the organic stripper and aqueous stripper was compared and analyzed.

두꺼운 감광막의 노광 파장에 따른 측면 기울기에 관한 연구

  • 한창호;김학;전국진
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
    • /
    • 2003.12a
    • /
    • pp.82-85
    • /
    • 2003
  • MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 응용 분야에 있어서 RF나 Optic등에 응용되는 금속 구조물이나 배선을 위한 도금, 두꺼운 구조물의 식각등을 위해서 수십 um두께의 감광막이 필요하다. 특히 이러한 감광막은 도금을 위한 전단계에서 몰드 형성에 이용되는데 그 이유는 제작이 용이할 뿐만 아니라 다양한 두께 형성이 가능하고 금속과의 선택적 제거가 쉬운 장점이 있다. 감광막 몰드가 갖추어야 할 조건으로는 수직에 가까운 측면 기울기, 두께, 도금액에 대찬 저항성을 들 수 있으며 그 중에서 측면 기울기 개선에 관한 연구가 많이 진행되고 있다. 본 논문에서는 감광막의 형상에 영향을 주는 요인을 찾아내고 수식모델링을 통해 측면 기울기를 예측하고자 한다.

  • PDF

Fabrication of Hydrogel and Gas Permeable Membranes for FET Type Dissolved $CO_{2}$ Sensor by Photolithographic Method (사진식각법을 이용한 FET형 용존 $CO_{2}$ 센서의 수화젤막 및 가스 투과막 제작)

  • Park, Lee-Soon;Kim, Sang-Tae;Koh, Kwang-Nak
    • Journal of Sensor Science and Technology
    • /
    • v.6 no.3
    • /
    • pp.207-213
    • /
    • 1997
  • A field effect transistor(FET) type dissolved carbon dioxide($pCO_{2}$) sensor with a double layer structure of hydrogel membrane and $CO_{2}$ gas permeable membrane was fabricated by utilizing a $H^{+}$ ion selective field effect transistor(pH-ISFET) with Ag/AgCl reference electrode as a base chip. Formation of hydrogel membrane with photo-crosslinkable PVA-SbQ or PVP-PVAc/photosensitizer system was not suitable with the photolithographic process. Furthermore, hydrogel membrane on pH-ISFET base chip could be fabricated by photolithographic method with the aid of N,N,N',N'-tetramethyl othylenediarnine(TED) as $O_{2}$ quencher without using polyester film as a $O_{2}$ blanket during UV irradiation process. Photosensitive urethane acrylate type oligomer was used as gas permeable membrane on top of hydrogel layer. The FET type $pCO_{2}$ sensor fabricated by photolithographic method showed good linearity (linear calibration curve) in the range of $10^{-3}{\sim}10^{0}\;mol/{\ell}$ of dissolved $CO_{2}$ in aqueous solution with high sensitivity.

  • PDF

Qualitative Analysis of Bleached Holographic Diffraction Grating (홀로그래피 위상형 회절격자의 정성적 해석)

  • Nam Kim
    • Korean Journal of Optics and Photonics
    • /
    • v.3 no.3
    • /
    • pp.148-154
    • /
    • 1992
  • With nonhardening fixer, dichromated bleacher and alcohol drying, the diffraction efficiency of over 71o/c has been achie'{ed for holographic phase gratings in silver halide emulsion. The swollen emulsion of Agfa 8E75 HD film is identified by scanning electron microscope (SEM) after chemical processing. Dichromated bleacher and rapid dehydration using alcohol drying make a strong modulation so that diffraction efficiency is. increased over 20%. The principal characteristic parameters in coupled wave theory are investigated and new modified parameter values are presented by computer simulation. Controlling the emulsion thickness has an important role as a potential source for high diffraction efficiency.ciency.

  • PDF

차세대 FPD 노광장비용 정렬계 설계

  • 송준엽;김동훈;정연욱;김용래;구형욱
    • Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
    • /
    • 2004.05a
    • /
    • pp.223-223
    • /
    • 2004
  • 반도체 및 TFT LCD 제조 공정에서 핵심 공정인 Photo 공정은 PR(Photo Resist, 감광액) Coating -) Exposure(노광) -. Develop(현상)으로 이루어져 있다. 이중 Exposure 공정에 사용되는 장치가 노광장비이다. 노광장비는 Mask Aligner 라고도 불리는데, 그만큼 정렬기술이 노광장비에서는 중요하다. 반도체 및 TFT LCD 는 여러 충의 회로를 쌓아감으로써 층과 층간의 전기적 작용으로 생성되는 Tr.(Transistor) 또는 Diode 등의 수동소자를 집적하는 기술로 제조되는 것으로, 층과 층간의 전기적 작용이 설계한 바와 같이 이루어지기 위해선, 층과 층 사이의 정렬이 정확히 이루어져야 한다.(중략)

  • PDF

Development of a process for the implementation of fine electronic circuits on the surface of nonconductive polymer film (비전도성 폴리머 필름 표면상에 미세 전자회로 구현을 위한 공정개발)

  • Jeon, Jun-Mi;Gu, Seok-Bon;Heo, Jin-Yeong;Lee, Chang-Myeon;Lee, Hong-Gi
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
    • /
    • 2017.05a
    • /
    • pp.121-121
    • /
    • 2017
  • 본 연구는 비전도성 폴리머 표면을 개질하여 감광성 금속을 유전체 표면에 흡착시키고, 감광성 금속의 광화학 반응을 이용하여 귀금속 촉매를 비전도성 폴리머 표면에 선택적으로 흡착시켜 무전해 Cu 도금을 수행하여 금속패턴을 형성하였다. 기능성 유연 필름은 일반적으로 투명한 플라스틱 고분자 기판을 기반으로 전기 전자, 에너지, 자동차, 포장, 의료 등 다양한 분야에서 폭넓게 활용 되고 있으며, 본 연구에서는 습식 도금 공정을 이용하여 폴리이미드 필름상에 $10{\mu}m$ 이하의 미세패턴을 형성하기 위한 공정을 개발하고자 하였다. 비전도성 폴리머 표면에 무전해 도금을 위해서 우선 폴리머 필름의 표면을 개질하는 공정이 필요하다. 이에 KOH 또는 NaOH 알카리 용액을 이용하여 표면을 개질하였으며 개질된 표면에 감광성 금속이온의 흡착시키기 위한 감광성 금속이온은 주석을 사용하였으며, 주석 용액의 안정성 및 퍼짐성 향상을 위해 감광성 금속 용액의 제조 및 특성을 관찰하였으며, 감광성 금속화합물이 흡착된 비전도성 유전체 표면을 포토마스크를 이용하여 특정 부위, 즉 표면에 금속패턴 층을 형성하고자 하는 곳은 포토마스크를 이용하여 광원을 차단하고 그 외 부분은 주 파장이 365nm와 405nm 광원을 조사하여 선택적으로 감광성 금속화합물의 산화반응을 유도하는 광조사 공정을 수행하였다. 광원이 조사되지 않은 부분에 귀금속 등의 촉매 입자를 치환 흡착시켜 금속 패턴이 형성될 수 있는 표면을 형성하였다. 위의 활성화 공정이후에 활성화 처리된 표면을 세척하는 수세 공정을 거친 후 무전해 도금공정에 바로 적용할 경우 미세한 귀금속 입자가 패턴이 아닌 부분 즉 자외선(UV) 조사된 부분에도 남아있어 도금시 번짐 현상이 발생한다. 이에 본 연구에서는 활성화 처리 후 약 알칼리 용액에 카르복실산을 혼합하여 잔존하는 귀금속 입자를 제거한 후 무전해 Cu 도금액을 이용하여 $10{\mu}m$ 이하의 Cu 금속 패턴을 형성하였다.

  • PDF

Synthesis and Characterization of New Positive Photosensitive Polyimide Having Photocleavable 4,5-Dimethoxy-2-nitrobenzyl (DMNB) Groups (감광성 DMNB 기를 함유한 새로운 포지형 감광성 폴리이미드의 합성 및 물성)

  • 최옥자;류윤미;정민국;이명훈
    • Polymer(Korea)
    • /
    • v.26 no.6
    • /
    • pp.701-709
    • /
    • 2002
  • To synthesize a new positive photosensitive polyimide precursor, parts of carboxylic acid groups in poly (amic acid) were esterified with 4,5-dimethoxy-2-nitrobenzyl bromide in the presence of K$_2$CO$_3$/HMPA followed by the chemical imidization of residual carboxylic acid units. The chemical structure of resulting polymer was characterized by $^1$H-NMR, UV/vis and FT-IR spectroscopic methods, and its thermal properties were examined by DSC and TGA. Upon UV irradiation, 4,5-dimethoxy-2-nitrobenzyl moiety underwent the photodegradation. As a result, the polymer became soluble in alkaline developer due to the formation of carboxylic acid moiety, which was used to make a micron-sized positive pattern. Sensitivity curves were obtained from the gel fraction experiments with respect to the various 4,5-dimethoxy-2-nitrobenzyl ester contents. From those curves, the sensitivity was ranged iron 4000 to 6000 mJ/㎠, and the contrast was measured to be from 3.1 to 4.9.