The effects of Mn content and cooling rate on the eutectic reaction of flake graphite cast irons were studied by a combined analysis of macro/micro-structure and cooling curve data. The correlation between the eutectic reaction parameter and macro/microstructure was systematically investigated. Two sets of chemical compositions with different Mn contents were designed to cast. Three types of molds for cylindrical specimens with different diameters were prepared to analyze the cooling rate effect. The difference between undercooling temperature and cementite eutectic temperature (${\Delta}T_1=T_U-T_{E,C}$), which is decreased by increasing the Mn content or increasing the cooling rate, is considered to be a suitable eutectic reaction parameter for predicting graphite morphology. According to the criterion, A-type graphite is mainly suggested to form for ${\Delta}T_1$ over $20^{\circ}C$, and D-type graphite is mainly suggested to form for ${\Delta}T_1$ below $0^{\circ}C$. Eutectic reaction time (${\Delta}T$), which is increased by increasing the Mn content and decreased by increasing the cooling rate, is regarded as a suitable eutectic reaction parameter for predicting eutectic cell size. Eutectic cell size is found to decrease in proportion to the decrease of ${\Delta}T$.
New cuprates with the nominal composition $(Pb_{0.75}Sn_{0.25})Sr_2(Ca_{1-x}Lu_x)Cu_2O_z(x=0.4{\sim}1.0)$ have been synthesized. These materials exhibit superconducting properties for 0.4 $\leq$ x $\leq$ 0.7. It is also observed that the superconductivity of the as-prepared sample is enhanced by post-annealing at high temperature followed by quenching. X-ray diffraction analysis reveals that the c lattice parameter decreases as x increases whereas the a lattice parameter is nearly independent of the value of x for both the as-prepared and the post-treated samples. The thermoelectric power measurements indicate that the post-heat-treatments result in an increase in the hole carrier density which account for the observed increase of $T_c$. Bulk superconductivity with a $T_c$ value of 60 K is observed in this system.
Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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v.8
no.3
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pp.338-350
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1996
A numerical analysis is carried out to study the two-dimensional steady state natural convection from vertical wires immersed in cold pure water. The surface of the wire is $0^{\circ}C$ unifrom temperature. Results of the analysis are presented for free stream temperature from $0^{\circ}C$ to $25^{\circ}C$ and the aspect ratio N from $5.26{\times}10^{-3}$ to $1.0{\times}10^{-3}$. The effects of the density extremum and aspect ratio on the flow pattern and the heat transfer characteristics are discussed As the aspect ratio N becomes larger, in the range of $1.0^{\circ}C{\leq}T_{\infty}{\leq}4.4^{\circ}C$ and $6{^{\circ}C}{\leq}T_{\infty}{\leq}17^{\circ}C$, the effect of Pr number on the heat transfer is shown to be more significant than the aspect ratio. Investigating into the effect of the density extremum on the heat transfer from wires, the new heat transfer correlations are suggested with the relation of average Nu mumber vs. modified Ra number. Here, the coefficient values C of correlations are presented as the function of density extremum parameter $R^*$. The effects of the density extremum parameter are also discussed.
The purpose of this paper is to parameterize range-equivalence classes of all eigenmaps of flat 3-tori $T^{3}$= $R^{3}$.LAMBDA., .LAMBDA.= $c_{1}$$e_{1}$ + $c_{2}$$e_{2}$ + $c_{3}$$e_{3}$, into the standard unit spheres. In this paper, we classify $A_{ 0 \lambda}$( $T^{3}$)(cf..cint.1) which is contained in $A_{\lambda}$( $T^{3}$), are belonging to $A_{ 0 \lambda}$( $T^{3}$). Moreover, as an application, we show that the only minimally imbedded flat torus into ( $S^{5}$ , can) which is contained in $A_{ 0 \lambda}$( $T^{3}$) is the generalized Clifford torus.rd torus.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.7
no.4
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pp.548-554
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1997
The single crystal of $Mg_{0.16}Zn_{0.84}$Te:Co(Co:0.01 mole%) was grown by vertical Bridgman method. The crystal structure of $Mg_{0.16}Zn$_{0.84}$Te:Co and optical absorption properties of this compound were studied. The grown single crystal has a cubic structure and a lattice constant a=6.1422 $\AA$ were determined by X-ray diffraction. As a result of the optical absorption spectra of $Mg_{0.16}Zn_{0.84}$Te:Co, the intracenter transitions due to $Co^{2+}$ ions were detected for $A-band:^4A_2(^4F){\to}^4T_2(^4F),\; B-band:^4A_2(^4F){\to}^4T_1(^4F), C- band:^4A_2(^4F){\to}^4T_1(^4P)$.The charge transfer transition near the absorption edge was observed in the wavelength range of 550 to 770 nm. According to the crystal field theory, the crystal field parameter(Dq) and the Racah parameter(B) were determined.
In the study, superconducting properties of $Bi_2$-x(sub)$LSr_2$Ca(sub)1+x(sub)$LCu_2$O(sub)8+d (x(sub)L=0, 0.05, 0.1, 0.2) films prepared by the LPE method was investigated. The peak decompositions of Sr3d and Ca2p XPS spectra, together with the EPMA results, elucidated the occupancies of Bi, Sr and Ca atoms on the SrO- and Ca-layers. The lattice parameter c monotonically increased with increasing x(sub)L for $0\leq$x(sub)L$\leq$0.2. The superconducting critical temperature T(sub)c showed a maximum value around x(sub)L=0.1. The x(sub)L dependence of the superconducting critical temperature T(sub)c and the lattice parameter c are explained by the changes of the excess oxygens in the BiO-layer. Since distribution and deficiency of the atoms in SrO-layer have influenced on superconducting properties and crystal structure.
Microcrystalline silicon(c-Si:H) thin-film solar cells are prepared with intrinsic Si-layer by hot wire CVD. The operating parameters of solar cells are strongly affected by the filament temperature ($T_f$) during intrinsic layer. Jsc and efficiency abruptly decreases with elevated $T_f$ to $1400^{\circ}C$. This deterioration of solar cell parameters are resulted from increase of crystalline volume fraction and corresponding defect density at high $T_f$ The heater temperature ($T_h$) are also critical parameter that controls device operations. Solar cells prepared at low $T_h$ (<$200^{\circ}C$) shows a similar operating properties with devices prepared at high $T_f$, i.e. low Jsc, Voc and efficiency. The origins for this result, however, are different with that of inferior device performances at high $T_f$. In addition the phase transition of the silicon films occurs at different silane concentration (SC) by varying filament temperature, by which highest efficiency with SC vanes with $T_f$.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07b
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pp.1034-1037
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2003
Microcrystalline silicon(c-Si:H) thin-film solar cells are prepared with intrinsic Si-layer by hot wire CVD. The operating parameters of solar cells are strongly affected by the filament temperature ($T_f$) during intrinsic layer. Jsc and efficiency abruptly decreases with elevated $T_f$ to $1400^{\circ}C$. This deterioration of solar cell parameters are resulted from increase of crystalline volume fraction and corresponding defect density at high $T_f$. The heater temperature ($T_h$) are also critical parameter that controls device operations. Solar cells prepared at low $T_h$ ($<200^{\circ}C$) shows a similar operating properties with devices prepared at high $T_f$, i.e. low Jsc, Voc and efficiency. The origins for this result, however, are different with that of inferior device performances at high $T_f$. In addition the phase transition of the silicon films occurs at different silane concentration (SC) by varying filament temperature, by which highest efficiency with SC varies with $T_f$.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.26
no.10
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pp.2122-2129
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2002
Creep damage using a reference stress(RS) was analyzed for type 316LN stainless steel. The generalized K-R equation was reconstructed into the RS equation using a critical stress value $\sigma$. The RS equation was derived from the critical stress in failure time $t_f$ instead of material damage parameter $\omega$, which indicates the critical condition of collapse or approach to gross instability of materials during creep. For obtaining the reference stress, a series of creep tests and tensile tests were conducted with at 55$0^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$. The stress-time data obtained from creep tests were applied to the RS equations to characterize the creep damage of type 316LN stainless steel. The value of creep constant r with stress levels was about 18 at 55$0^{\circ}C$ and 21 at $600^{\circ}C$. This value was almost similar with r = 24 in the K-R equation, which was obtained by using damage parameter $\omega$. Relationship plots of creep failure strain and life fraction $(t_f /t_r)$ were also obtained with different λ values. The RS equation was therefore more convenient than the generalized K-R equation, because the measuring process to quantify the damage parameter $\omega$ such as voids or micro cracks in crept materials was omitted. The RS method can be easily used by designers and plant operator as a creep design tool.
We calculated a refractive index of the lens surface by measuring a spectral reflectance for a tinted time on manufacturing of the color lens. The longer a tinted time, the larger a reflectance and reflective index. The refractive index increased for a time up to the colorant's saturation state on the lens surface. The refractive index's change curve of blue color lens for a time depended on the Boltzmann growth curve. then we obtained the parameter's values of $n_{min}=1.482$, $n_{max}=1.497$, $t_c=11.53$ and $d_0=2.287$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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