• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2001년도 The IMAPS-Korea Workshop 2001 Emerging Technology on packaging
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• pp.110-113
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• 2001

ECR(electron cyclotron resonance) 플라즈마 식각 장비를 이용하여 SF$_{6}$/Ar과 Cl$_2$/Ar 플라즈마 가스에 대한 Platinum (이하 Pt) 박막의 식각 특성을 연구하였다. Pt 박막의 경우 Cl$_2$ 가스 혼합물에 대한 식각 특성은 많이 보고가 되어 왔으나 상대적으로 Fluorine 계열의 가스 혼합물에 의한 시각 연구는 미비하였다. 본 연구에서는 SF$_{6}$/Ar과 Cl$_2$/Ar 플라즈마 가스를 이용한 Pt 박막의 식각 특성을 비교 분석하고 각각의 가스와 Pt 박막과의 반응을 분석, 식각 특성을 개선하고자 하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.127-128
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• 2009

CCP방식의 식각에 있어서 CF4/O2 Plasma Etch에 Ar을 첨가함으로써 Etch특성이 어떻게 변화하는지를 조사하였다. FE-SEM를 이용하여 Etch Profile를 측정하였다. 또한 Elipsometer와 Nanospec을 이용하여 Etch rate를 측정하였다. Ar의 비율이 전체의 47%정도를 차지하였을 때까지 Etch Profile이 향상되었다가 그이후로는 다시 감소하는 것을 볼 수 있었다. Ar을 첨가할수록 etch rate은 계속 향상되었다. Ar을 첨가하는 것은 물리적인 식각으로 반응하여 Etch rate의 향상과 적정량의 Ar을 첨가했을 때 Etch profile이 향상되는 결과를 얻었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 방전 플라즈마연구회
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• pp.96-99
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• 2003

In this dissertation the results of the combined experimental and theoretical studies designed to understand and predict the spatial growth and transport coefficients for electrons in $SF_6$ and $SF_6$-Ar mixtures have described. The transport coefficients for electrons in (0.1[%])$SF_6$-Ar, (0.5[%])$SF_6$-Ar, (1.0[%])$SF_6$-Ar, (3.0[%])$SF_6$-Ar and (5.0[%])$SF_6$-Ar mixtures were measured by time-of-flight method, and the electron energy distribution function and the parameters of the velocity and the diffusion were determined by the variation of the collision cross-sections with energy.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제25권6호
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• pp.128-132
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• 2016

We investigated the effect of Ar ion sputtering on the surface electronic structure of indium tin oxide (ITO) using X-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopy (XPS and UPS) measurements with increasing Ar ion sputtering time. XPS measurements revealed that surface contamination on ITO was rapidly removed by Ar ion sputtering for 10 s. UPS measurements showed that the work function of ITO increased by 0.2 eV after Ar ion sputtering for 10 s. This increase in work function was attributed to the removal of surface contamination, which formed a positive interface dipole relative to the ITO substrate. However, further Ar ion sputtering did not change the work function of ITO although the surface stoichiometry of ITO did change. Therefore, removing the surface contamination is critical for increasing the work function of ITO, and Ar ion sputtering for a short time (about 10 s) can efficiently remove surface contamination.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.26-29
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• 2001

SrBi$_2$Ta$_2$$O_{9}$ thin films were etched at high-density C1$_2$/CF$_{4}$/Ar in inductively coupled plasma system. The etching of SBT thin films in C1$_2$/CF$_{4}$/Ar were chemically assisted reactive ion etching. The maximum etch rate was 1300 $\AA$/min at 900W in Cl$_2$(20)/CF$_4$(20)/Ar(80). As f power increase, radicals (F, Cl) and ion(Ar) increase. The influence of plasma induced damage during etching process was investigated in terms of the surface morphology and th phase of X-ray diffraction. The chemical residue was investigated with secondary ion mass spectrometry.y.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2202-2204
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• 2005

In this dissertation the results of the combined experimental and theoretical studies designed to understand and predict the spatial growth and transport coefficients for electrons in $SF_6$ and $SF_6-Ar$ mixtures have described. The transport coefficients for electrons in (0.1[%]) $SF_6-Ar$, (0.5[%])$SF_6-Ar$,(1.0[%])$SF_6-Ar$,(3.0[%])$SF_6-Ar$ and(5.0[%]) $SF_6-Ar$ mixtures were measured by time-of- flight method, and the electron energy distribution function and the parameters of the velocity and the diffusion were determined by the variation of the collision cross-sections with energy.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권6호
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• pp.450-453
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• 2020

In this study, ZnO:Ga thin films were fabricated on a glass substrate using various Ar flows by an RF magnetron sputter system at room temperature. The dependencies of Ar flow on different properties were investigated. An appropriate control over the Ar flow led to the formation of a high-quality thin film. The ZnO:Ga films were formed as a hexagonal wurtzite structure with high (002) preferential orientation. The films exhibited a typical columnar microstructure and a smooth top face. The average transmittance was 85~89% within the visible area. By decreasing the Ar flow, the sheet resistance was decreased due to an increase in the grain size and a decrease in the root mean square roughness. The lowest sheet resistance of 86 Ω/□ was obtained at room temperature for the 40 sccm Ar flow.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1494-1495
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• 2007

In this dissertation the results of the combined experimental and theoretical studies designed to understand and predict the spatial growth and transport coefficients for electrons in $SF_6$ and $SF_6$-Ar mixtures have described. The transport coefficients for electrons in (0.1[%])$SF_6$-Ar, (0.5[%])$SF_6$-Ar, (1.0[%])$SF_6$-Ar, (3.0[%])$SF_6$-Ar and (5.0[%])$SF_6$-Ar mixtures were measured by time-of-flight method, and the electron energy distribution function and the parameters of the velocity and the diffusion were determined by the variation of the collision cross-sections with energy.

• 한국컴퓨터정보학회:학술대회논문집
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• 한국컴퓨터정보학회 2021년도 제64차 하계학술대회논문집 29권2호
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• pp.587-589
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• 2021

메타버스 등 VR·AR을 기반으로 하는 가상세계의 현실화가 점차 가까워지고 있다. 이에 따라 가상세계에서 동작하는 게임이나 다양한 소프트웨어들이 등장하고 있어 이에 대한 QA 방안들이 연구되고 있다. VR·AR 게임은 일반 게임과 달리 장비의 사용 등에 따른 시간적, 공간적 특성 등 여러 가지 고려사항들이 있어 QA 진행에 어려움이 있다. 이를 극복하기 위해서는 VR·AR에 대한 이해를 바탕으로 개발팀과의 협조를 통해 콘텐츠를 세분화하여 작은 범위에서 QA를 단계적으로 진행하는 과정이 필요하다. 본 논문에서는 VR, AR 게임을 QA하는 과정에서 고려해야할 사항들을 알아본다.

• 한국컴퓨터정보학회:학술대회논문집
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• 한국컴퓨터정보학회 2023년도 제67차 동계학술대회논문집 31권1호
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• pp.479-480
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• 2023

증강현실(Augmented Reality, AR)은 물리적 현실세계에 가상의 세계를 중첩하여 부가적인 정보나 서비스를 제공하는 것으로 대부분 스마트폰과 같이 카메라를 장착한 기기를 이용하게 된다. 스마트폰의 카메라가 마커를 인식할 경우 가상의 오브젝트가 화면에 중첩하여 보이게 되는 것이다. 카메라가 인식하는 마커를 하나 이상 사용할 수 있다. 다중 마커를 사용하는 경우 마커를 인식할 때 중첩되는 가상의 오브젝트를 동일한 것으로 사용할 수도 있고 각 마커별로 다른 가상 오브젝트를 사용할 수도 있다. 본 논문에서는 전시되어 있는 작품을 마커로 등록하여 각 이미지별로 작품의 정보가 중첩되어 나타나도록 유니티의 AR 파운데이션 프레임워크를 이용하여 구현한다. 여러 작품이 전시되므로 이를 다중 마커로 사용하고 각 작품별 정보가 각기 다르게 출력되도록 구현한다.