• 한국세라믹학회지
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• 제40권2호
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• pp.206-211
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• 2003

Sol-gel 공정으로 제조된 YMnO$_3$박막의 결정상과 강유전특성에 미치는 기판종류와 버퍼층의 영향에 대하여 고찰하였다. Si(1OO) 기판위에는 hexagonal YMnO$_3$이 형성되었으나 Pt(111)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판위에는 hexagonal과 orthorhombic YMnO$_3$이 함께 형성되었다. 기판위에 미리 $Y_2$O$_3$버퍼층을 형성시킨 경우에는 Si(100)와 Pt(111)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 두가지 기판 모두 단일 hexagonal YMnO$_3$이 성장하였으며, 특히 c-축 배향성이 향상되었다. 박막내에 hexagonal과 orthorhombic YMnO$_3$이 혼재된 시편보다는 hexagonal 단일상이 형성된 시편이, 또한 단일상 시편중에서도 c-축 우선배향성이 좋은 시편이 그렇지 않은 시편에 비해 누설전류밀도 특성이 우수하였다. YMnO$_3$박막의 잔류분극값은 Si(100)기판을 사용했을 경우, 버퍼층 없이 제조된 시편은 0.14, 버퍼층이 삽입된 시편은 0.24$\mu$C/$ extrm{cm}^2$의 값을 나타내었다 한편 Pt(111)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판의 경우, 버퍼층 없이 형성된 YMnO$_3$시편은 이력곡선을 보여주지 못하였고, 버퍼층이 삽입된 시편은 1.14$\mu$C/$\textrm{cm}^2$의 잔류분극값을 나타내었다. 이상의 연구를 통하여 기판의 종류와 $Y_2$O$_3$버퍼층 삽입으로 YMnO$_3$박막의 결정상과 배향성을 제어함으로서 박막시편의 누설전류밀도 특성 및 강유전특성을 제어할 수 있음을 확인하였다.

• 자원환경지질
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• 제17권2호
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• pp.115-139
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• 1984

본 논문에서는 경남일대 동 광화대에 위치하는 삼봉광산의 함 동-연-아연-은 열수 석영맥을 대상으로 황화 광석광물의 광물학적 특성을 규명하였다. 백악기 경상 퇴적 분지의 상부 지층인 칼크-알카리 화산암류 내에 발달된 $N-S{\sim}N13^{\circ}W/65{\sim}85^{\circ}W$의 제 단층 열극면 및 압쇄대를 따라 수 개조의 평행한 함 동-연-아연-은 열수 석영맥이 0.5-1.5Km 연장 부존되어 있다. 주 광석광물은 황동석, 방연석, 섬아연석, 황철석 등이며 맥석광물은 석영, 방해석, 견운모, 녹리석 등이다. 이들 광물로 구성된 함 동-연-아연-은 석영맥 내에 있어서 부광대의 발달은 구조 규제를 받고 있으며, 수평 및 수직적 방향에 있어서 조성광물의 대상분포 현상을 보여준다. 열수광화작용은 시기적으로 3회에 걸쳐 진행되었다. 광화 제 1시기(Stage I)는 미량의 황철석과 황동광이 수반하며 제 2시기에는 황동광, 방연광, 섬아연석과 극미량의 제유화 광물을 수반하는 개발대상의 석영맥(Stage IIa and IIb)이 형성되었고, 제 3시기에는 이들 석영맥의 약석대를 따라 최후의 방해석맥 (carbonate stage)이 형성되었다. 주조성 광물과 부성분 광물(황동석, 방연석, 섬아연석, 황철석, 유비철석, 백철석, 에나자이트)을 대상으로 물리적 특성을 실험하고, 광물의 형성단계, 부성분, 결정면의 방향과의 상관성을 밝히며 금속광물의 감정을 위한 제 자료를 제시하고자 반사도와 미경도를 실험 연구하였다 광화시기에 따른 반사력의 특성은 광화작용중 열수계의 물리 화학적 환경의 변화에 따른 광물의 성분 및 구조적 차이에 기인되는 것으로 고려된다. 섬아연석의 반사력과 굴절률은 Zn을 치환하는 철 함량에 정비례하며, //(100) 결정면에서 //(111) 결정면 보다 높은 값을 보여준다. 정성, 정량적인 부성분에 의한 내부반사(백색광하)를 +니콜하에서만 보여주는 경우 섬아연석은 정상 반사력의 값을 가지나, //니콜하에서도 내부반사를 보이는 것은 매우 상이한 spectral dispersion을 나타내는데, 내부 반사광과 같은 파장($544m{\mu}$, $593m{\mu}$, $615m{\mu}$)에서 선택반사 효과는 최대가 된다. 불투명 이방성 광석광물인 황동석은 2축성(-)이다. 표준 하중별로 실시한 빅카의 미경도 실험에서, 섬아연석은 100g 하중하에서 철함량이 8.05%에까지 증가함에 따라 미경도 값이 급격히 증가하나 철 성분이 더 많으면 다시 감소하는 경향을 보여준다. 섬아연석은 //(100) 결정면에서 //(111) 결정면보다 미경도 값이 크며, 방연석 //(111), //(210), //(100)의 순으로 결정방향에 따라 미경도 값이 작아진다. 경도가 작은 유화광물 일수록 indentation의 대각선 길이의 변화폭이 크며, 실험 광물에서는 황철석 섬아연광 황동광 방연광 순으로 증가된다. 한편 모든 실험 광물은 결정방향에 따라 각각 특징적인 indentation의 형태와 단구를 갖는데, 이는 광물감정과 결정면의 방향을 규명하는데 좋은 자료가 된다.

• 한국재료학회지
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• 제10권4호
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• pp.270-275
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• 2000

Metal/ferroelectric/insulator/semiconductor(MFIS)-Field Effect Transistor을 위한 Pt/YMnO$_3$/Y$_2$O$_3$/Si 구조를 제조하여 MFIS 구조의 특성에 미치는 $Y_2$O$_3$박막의 영향을 고찰하였다. PLD법을 이용하여 p=type Si(111) 기판 위에 증착시킨 $Y_2$O$_3$박막은 증착온도와 관계없이 (111)방향으로의 우선배향성을 갖고 결정화 되었다. 실리콘 위에 바로 MOCVD법에 의해 강유전체 YMnO$_3$박막을 증착시킨 경우 실리콘과의 계면에서 Mn이 부족한 층이 형성되지만 $Y_2$O$_3$가 실리콘과 YMnO$_3$사이에 삽입된 경우는 $Y_2$O$_3$바로 위에서부터 화학양론비에 일치하는 양질의 YMnO$_3$박막을 얻을 수 있었다. 85$0^{\circ}C$, 100mtorr의 진공분위기에서 열처리한 YMnO$_3$박막은 $Y_2$O$_3$가 삽입된 경우 memory window 값이 $Y_2$O$_3$가 삽입되지 않은 경우보다 더 큰 값을 보였으며 5V에서 1.3V의 값을 보였다.

• Journal of Magnetics
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• 제2권1호
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• pp.16-21
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• 1997

Those were investigated, the crystallographic, morphological, and magnetic properties of barium ferrite film (SiO2/Si substrate) prepared by sol-gel dip coating. Appropriate sol was prepared by dissolvin barium and iron nitrate in ethylene glycol at 80$^{\circ}C$. To obtain the films, thermally oxidized p-type silicon substrate with (111) of crystallographic orientation were dipped into the sol, dried at 250$^{\circ}C$ to remove organic material, and heated at 800$^{\circ}C$ for 3 hours in air for the crystallization of barium ferrite. It was found that the particles of barium ferrite formed on the substrate exhibited needle-like shape placing parallel to the substrate and its c-axis is long axis direction. There was tendency that the coercive force in horizontal direction to the substrate was higher than that in vertical direction to it. This tendency was profound in large thickness.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1178-1180
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• 1995

In this paper, structual, optical and electrical properties of CdTe thin films prepared by electron beam evaporation method were studied. The crystal structure of CdTe films deposited at substrate temperature of $100{\sim}400^{\circ}C$ was zincblend type with preferential orientation of the (111)plane parallel to the substrate. The result of optical absoption and transmittance show that solar radiation with energy larger than band gap is almost completely absorbed within an about $2{\mu}m$ thickness of the evaporated CdTe layer and optical band gap of the CdTe film was larger with increasing substrate temperature. The resistivity of CdTe films deposited on the glass substrate was about $10^5{\sim}10^7{\Omega}cm$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.3-5
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• 2001

ZnO thin films are deposited on $SiO_2$/Si (111) substrate by RF magnetron sputtering. The two-step deposition method is proposed to enhance both the c-axis orientation and the resistivity of ZnO films. This method consists of the following two procedures: the 1 st-deposition for 30 min without oxygen at l00W and the 2nd-deposition with oxygen added in the range of $O_2/(Ar+O_2)=10{\sim}50%$. Effects of thermal treatment on the properties of ZnO films are systematically investigated.

• International Journal of Human Ecology
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• 제13권2호
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• pp.101-111
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• 2012

Children have become the target of intense and specialized food advertising efforts. This study examines the content of TV food advertising and discussed possible concerns from the perspective of children. A total of 102 ads were collected from two cable networks aimed at children. Most of the food ads used emotional appeals and did not provide information clues such as nutrition values. Ads with high sales pressure and celebrity endorsements appeared frequently and the ads for snack foods and high-carbohydrate bakery products were dominant. Understanding food ads can be a significant indicator to establish the orientation of consumer ad education and build educational programs appropriate for children. The issue that appears conspicuous in child targeted advertising and marketing is the childhood obesity and food advertising relation; subsequently, there is a need to evolve advertising that targets children into a positive educational information source.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권3호
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• pp.257-264
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• 1994

The objectives of this study were to develop the low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) process of SiC and to fabricate pure and dense SiC layer onto graphite substrate at low temperature. The deposition experiments were performed using the MTS-H2 system (30 torr) in the deposition temperature ranging from 100$0^{\circ}C$ to 120$0^{\circ}C$. The deposition rate of SiC was increased with the temperature. The rate controlling step can be classified from calculated results of the apparent thermal activation energy as follows; surface reaction below 110$0^{\circ}C$ and gas phase diffusion through a stagnant layer over 110$0^{\circ}C$. The deposited layer was $\beta$-SiC with a preferred orientation of (111) and the strongly faceted SiC deposits were observed over 115$0^{\circ}C$.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권8호
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• pp.886-892
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• 1994

Structural and electrical properties of BaTiO3 thin films deposited on Pt/SiO2/Si substrates by RF magnetron sputtering method have been investigated. Crystallization behavior and electrical properties were studied for the films deposited under various sputtering gas compositions (Ar+O2 gas mixture) and substrate temperatures. All the films deposited above 50$0^{\circ}C$ were all crystallized and their preferred orientation changed from (001) to (111) with the addition of oxygen gas. The dielectric constant of films deposited in pure argon was about 110 and showed little dependence on the substrate temperature. But that was increased as the ratio of O2/Ar increased and its substrate temperature dependence was discernible. The highest dielectric constant reached to 550. In addition, the films deposited in mixed gas showed stable dielectric properties against the frequency and temperature.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권4호
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• pp.489-497
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• 1995

The DDS((CH3)2SiCl2)＋H2 gas mixture, where C atoms exist in excess in the molecules, was used for chemical vapor deposition of SiC in order to prevent codeposition of free Si in MTS(Ch3SiCl3)＋H2 system. The deposition rate was more rapid than MTS, however differ from that of MTS, it decreased after shwoing a maximum at 140$0^{\circ}C$. The stoichiometry was highly improved by using the DDS as a precursor, although there exist a little pyrolytic C at 150$0^{\circ}C$. The preferred orientation was (220) in MTS, however, it changed to (111) in DDS. The microstructure of the layer deposited at lower temperature were dense, however it grew coarse with the increase in the temperature.