• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1996년도 추계학술발표회논문집(2)
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• pp.469-474
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• 1996

Alloy 690은 응력부식 균열에 대한 저항성이 요구되는 원자력 발전소 증기발생기 전열관 재료에 사용되고 있다$^{(1)}$ . 응력부식 균열에 대한 저항성은 주로 결정입계에 존재하는 크롬탄화물의 기여에 의한 것이 대부분이다. 크롬탄화 석출물의 핵생성을 알아보기 위해서 110$0^{\circ}C$에서 용체화처리를 0, 1, 3, 10분 동안 하여 관찰하였다. 용체화처리한 모든 시편에서 결정입계에 존재하는 석출물의 분포는 쌍정과 교차하면서 갑자기 변화하는 것을 관찰 할 수 있다. 이처럼 석출물이 존재하지 않는 결정입계들은 대부분 낮은 ∑ 값의 CLS으로부터 약간 벗어난 입계가 될 것이다. 결정입계에 존재하는 석출물은 기지와 Cube-Cube orientation relationship을 갖는다. 그리고 단지 하나의 결정입과 반정합을 이룬다. 기지와 반정합을 이루는 석출물은 M$_{23}$ C$_{6}$형태의 크롬 탄화물이고 격자상수는 기지의 격자상수보다 3배 크다.

• 국제지역연구
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• 제18권3호
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• pp.89-110
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• 2014

본 연구는 국내 수출 중소 제조기업의 공급사슬지향성과 공급사슬 성과 그리고 수출성과의 관계를 통합적 모형으로 구축하였다. 공급사슬지향성에서 수출성과에 이르는 경로에서 구조적 공급사슬지향성의 매개효과와 고객중심 공급사슬 성과의 매개효과를 포함한 12개의 가설을 212개 기업을 대상으로 실증분석 하였다. 분석결과 전략적 공급사슬지향성은 구조적 공급사슬지향성과 운영중심 공급사슬 성과에 정(+)의 영향을 주었으며, 구조적 공급사슬지향성은 고객중심과 운영중심 공급사슬 성과에 모두 정(+)의 영향을 주었다. 운영중심 공급사슬 성과는 또한 수출성과에 정(+)의 영향을 주었다. 매개효과 분석에서는 구조적 공급사슬지향성이 전략적 공급사슬지향성과 고객중심 공급사슬 성과에 완전매개를 보였다. 더불어 운영중심 공급사슬 성과에는 부분매개 효과가 있었다. 운영중심 공급사슬 성과는 구조적 공급사슬지향성과 고객중심 공급사슬성과에 완전매개 효과를 나타냈다. 본 연구는 구조적 공급사슬지향성의 역할을 탐구한 점에서 이론적 시사점을 제시하였다. 실무적 측면에서는 수출기업의 운영중심 공급사슬 성과 관리의 중요성을 시사점으로 제시하였다. 이론적, 실무적 시사점과 더불어 연구한계와 앞으로 연구방향을 제시하였다.

• 한국진공학회지
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• 제16권6호
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• pp.446-452
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• 2007

R.F. magnetron-sputtering 방법에 의해 $(Pb_{1.1},La_{0.08})(Zr_{0.65}.Ti_{0.35})O_3$ 박막을 $Pt/Ti/SiO_2/Si$, $TiO_2(interlayer)/Pt/Ti/SiO_2/Si$ 기판에 증착하고, $TiO_2$ interlayer에 의한 PLZT 박막의 특성을 고찰 하였다. $TiO_2$ interlayer의 증착조건을 변화시켜가며 단일상의 anatase 상과 rutile 상을 증착하였고, 그 위에 증착시킨 PLZT 박막의결정성을 x-ray diffraction(XRD)을 통해 분석하였다. 또한 $TiO_2$ interlayer에 의한 $PLZT-TiO_2$, $TiO_2-Pt$ 박막의 계면상태를 고찰하기 위해 glow discharge spectrometer(GDS) 분석을 행하였고, PLZT의 강유전 특성을 고찰하기 위해 전기적 측정을 행하였다. $TiO_2$ anatase 단일 상에 증착한 PLZT의 경우 (110) 방향으로 우선 배향됨을 알 수 있었고, 12.6 ${\mu}C/cm^2$의 잔류분극 값을 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제3권2호
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• pp.158-165
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• 1993

실리콘박막의 상부에 고상반응에 의해 형성된 TiS$i_2$ 박막의 응집 거동에 미치는 기판 실리콘의 영향을 조사했다. 폴리실리콘과 어몰퍼스실리콘을 증착상태 또는 어닐링한 상태엣 TiS$i_2$를 형성시키고 90$0^{\circ}C$열처리에 따른 TiS$i_2$의 면저항값의 변화를 조사하고 XRD, SEM 및 TEM에 의한 실리콘의 조직관찰을 행했다. TiS$i_2$응집은 어몰퍼스실리콘 위의 경우가 더욱 심했다. 폴리실리콘을 어닐링하면 TiS$i_2$의 응집은 억제되며 고온에서 어닐링할수록 그 효과가 현저했다. 이는 폴리실리콘의 입도 변화보다는 증착시 존재하는 결함들이 열처리에 의해 감소된 때문이다. 폴리실리콘의 경우는 어닐링 전후에 상관없이 (110)집합조직인 주상정 조직을 갖고 있다. 어몰퍼스실리콘을 결정화시킨 경우는 (111)집합조직를 갖는 등축정 조직을 나타내었다. 실리콘의 표면에너지가 낮은 (111)면이TiS$i_2$ 막의 하부 폴리실리콘에 많이 존재할수록 응집은 촉진된다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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• pp.392-396
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• 1999

Superconducting YBa$_2Cu_3O_{7-{\delta}}$(YBCO) thin films were grown on Hastelloy(Ni-Cr-Mo alloys) with CeO$_2$ buffer layer in-situ by pulsed laser deposition in a multi-target processing chamber. To apply superconducting property on power transmission line, we have deposited YBCO thin film on flexible metallic substrate. However, it is difficult to grow the YBCO films on flexible metallic substrates due to both interdiffusion problem between metallic substrate and superconducting overlayers and non-crystallization of YBCO on amorphous substrate. It is necessary to use a buffer layer to overcome the difficulties. We have chosen CeO$_2$ as a buffer layer which has cubic structure of 5.41 ${\AA}$ lattice parameter and only 0.2% of lattice mismatch with 3.82 ${\AA}$ of a-axis lattice parameter of YBCO on [110] direction of CeO$_2$ In order to enhance the crystallization of YBCO films on metallic substrates, we deposited CeO$_2$ buffer layers with varying temperature and 02 pressure. By XRD, it is observed that dominated film orientation is strongly depending on the deposition temperature of CeO$_2$ layer. The dominated orientation of CeO$_2$ buffer layer is changed from (200) to(111) by increasing the deposition temperature and this transition affects the crystallization of YBCO superconducting film on CeO$_2$ buffered Hastelloy.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제20권4호
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• pp.103-110
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• 2015

모바일 해석매체을 활용할 때의 가장 큰 문제점은 관람객이 모바일 경험을 시도하지 않는다는 것이다. 이에 리움미술관(Leeum)연구의 경우, 모바일 애플리케이션을 사용을 유도하기 위한 목적으로 하나의 처치로써 설문참여자에게 오리엔테이션을 제공했다. 오리엔테이션은 기존의 타 연구에서 제기되었던 박물관 환경에서의 스마트 폰 사용에 대한 주저함에 대한 문제를 해결했으며, 동시에 연구방법론적 측면에서 모바일 해석에 대한 기존 연구와의 차별성이다. 모바일 애플리케이션의 사용에 대한 연구결과를 살펴보면, 관람만족도와 모바일 애플리케이션 사용자에 대한 만족도는 상당히 높게 나타났다. 체류시간과 개별전시물에 대한 관람시간은 평균시간보다 길었다. 설문참여자의 과반수는 관람시간의 20~30%에 해당하는 10분간 애플리케이션을 사용했으며, 개별전시물에 대해서는 30초-1분간(80.3%) 사용했다. 모바일 애플리케이션 없이 관람할 때의 개별전시물에 대한 평균시간(10-30초)과 비교한 결과, 모바일 애플리케이션이 전시물에 대한 관람객의 참여를 증진시켰다는 결론이 도출되었다.

• 복식문화연구
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• 제17권5호
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• pp.746-757
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• 2009

This study is focused on the elucidation of efficient and correct marking methods by comparing and analyzing marker efficiency depending on the marking job condition such as interval of checking-pattern, width of materials, and marker orientation using man's shirts. To compare the marking efficiency of shirts, plain and check-patterned materials with the intervals of $1.5{\times}1.5cm$, $3{\times}3cm$, and $5{\times}5cm$ were selected. First, in the comparison of marking efficiency depending on materials width, the highest efficiency was obtained with nap-either-way position of 150cm, plain materials and lowest efficiency with nap-one-way position of 150cm, $5{\times}5cm$ check-pattern materials. Regardless of the direction of marker position, the marking efficiency of 150cm width was higher than 110cm width in the plain, $1.5{\times}1.5cm$ and $3{\times}3cm$ check-pattern interval, but the marking efficiency of 110cm width was higher than 150cm width in the $1.5{\times}1.5cm$ check-pattern interval. Second, in the comparison of marking efficiency depending on the direction of marker position, regardless of check-pattern interval and material width, the highest efficiency was obtained with nap-either-way position. And nap-up-and-down and nap-one-way follows next. Third, in the comparison of marking efficiency depending on check-pattern interval, the efficiency of plain materials was higher than those of check-patterned materials. And increasing the intervals decreased marking efficiency and vice versa. So the lowest efficiency was obtained with $5{\times}5cm$ check patterned materials.

• 한국진공학회지
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• 제10권1호
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• pp.22-26
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• 2001

Plasma assisted molecular beam epitaxy(PAMBE)를 사용하여 Si 기판위에 성장시킨 AlN 박막에 대하여 성장온도 및 기판의 방향성에 따른 박막의 결정성 변화를 분석하였다. Reflection high energy electron diffraction(RHEED) 패턴을 이용하여 성장 중의 결정성을 관찰하였고, 성장 후에는 X-ray diffraction(XRD), double crystal X-ray diffraction(DCXD), transmission electron microscopy/diffraction(TEM/TED)분석을 하였다. $850^{\circ}C$이상의 온도에서 Si(100)위에 성장된 AlN박막은 육방정계의 c축 방향으로 우선 배향되어 있음을 확인하였으며 Si(111)위에 성장된 AlN박막의 경우 AlN(0001)/Si(111), AlN(1100)/Si(110), AlN(1120)/Si(112)의 결정방위를 가지고 성장하였음을 확인하였다. 또한 Si(111) 기판 위에서는 전위와 적층결함 등 많은 결정결함에 의해 DCD패턴의 반치폭이 2$\theta$=$36.2^{\circ}$에서 약 3000arcsec에 이르는 등 결정성은 좋지 않았으나 AlN박막이 단결정으로 성장된 것으로 나타났다.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권12호
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• pp.1429-1436
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• 1994

We have prepared Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films on Si substrate without buffer layer. Deposition was carried out by off-axis rf magnetron sputtering method using Ba0.5Sr0.5TiO3 stoichiometric target. The substrate temperature was changed from 40$0^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$ during deposition. As the substrate temperature increased, relative intensity of (110) peak increased up to $600^{\circ}C$, however preferred orientation changed from (110) to (h00) beyond $650^{\circ}C$ of substrate temperature. Deposited films showed microstructures with fine grains whose diameters are less than 100 nm, and columnar structure was observed in the cross-sectional SEM micrograph. AES depth profile showed no significant diffusion at the interfacial reaction area. The effective dielectric constant of films showed maximum value at $600^{\circ}C$, and the leakage current increased with increasing substrate temperature, which may be ascribed to the crystallization of amorphous phases at grain boundary.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권12호
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• pp.1224-1228
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• 2003

장석, 규석, 석회석 등의 천연원료와 CeO$_2$를 출발원료로 하여 프릿 형태의 러스터 유약을 제조하고 결정화 특성과 러스터 효과의 발현기구를 분석하였다. 시유한 시편이 110$0^{\circ}C$에서 소성되었을 때, 유면과 수평한 방향으로 (100)면이 배향된 200nm 크기의 CeO$_2$ 결정이 시편의 표면에 생성되었다. 표면에서 결정화된 입자의 빈도는 유약의 내부보다 훨씬 높았으며, 전체 표면적의 60% 이상을 배향된 CeO$_2$ 결정이 점유하였다. 배향된 CeO$_2$ 결정립은 유약내의 프릿 입자가 완전히 용융되어 내부 계면이 사라진 이후부터 발달하기 시작하였다. 본 연구에서 개발된 유약의 러스터 효과는 유약표면에 석출된 CeO$_2$가 고굴절을 갖는 물직일 뿐만 아니라 최대 산란을 일으키는 결정크기(200nm)이고 판상형태로 배열되어 있기 때문인 것으로 판단된다.