• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.328.1-328.1
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• 2014

MOSFET degradation의 대부분은 hot-carrier injection에 의한 interface state (Dit)의 생성에서 비롯되며 따라서 본 연구에서는 신뢰성에 대한 한 가지 방법으로 Charge pumping method를 이용하여 MOSFET의 interface trap(Dit)의 변화를 측정하였다. 소스와 드레인을 ground로 묶고 게이트에 펄스를 인가한 후 Icp를 측정하여 Dit를 추출하였다. 온도를 293~343 K까지 5 K씩 가변했을 때 293K의 Icp(${\mu}A$)는 0.12 nA 313 K는 0.112 nA 343 K는 0.926 nA이며 Dit (cm-1/eV-1)는 $1.61{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1) $1.49{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1) $1.23{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1)이다. 측정결과 Dit는 Icp가 높은 지점에서 추출되며 온도가 높아지게 되면 Icp전류가 낮아지고 Dit가 줄어드는 것을 볼 수 있다. 온도가 올라가게 되면 carrier들이 trap 준위에서 conduction band 위쪽에 이동하게 되어서 interface에 trap되는 양이 작아지게 된다. 그래서 이때 Icp를 이용해 추출한 Dit 는 실제로 trap의 양이 줄어든 것이 아니라 Thermal excess 현상으로 인해 측정되는 Icp의 양이 줄어든 것으로 분석할 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권6호
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• pp.553-557
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• 1999

MOCVD로 성장된 $A1_x$$Ga_{1-x}$N/GaN 박막의 광학적 특성을 이해하기 위하여 실온에서 광발광(PL), 광전류)PC), 광단속에 의한 광권도도(PPC) 측정하였다. PL과 PC로 결정된 $A1_x$$Ga_{1-x}$N/GaN 박막의 광학적 에너지 간격은 3.7eV 이었다. PC측정 시 빛을 시료의 위쪽에서 조사시켰을 때에는 3.70, 3.40eV의 peak와 2.2eV 근방에서 broad한 peak가 관측되었다. 그러나 기판 쪽에서 빛을 조사시켰을 때의 PC 스펙트럼은 2.2eV 근방에서 broad한 peak와 3.43eV peak 만을 볼 수 있었다. PPC실험에서 관측된 photocurrent quenching과 비정상적인 PPC현상은 GaN 띠간격내에 형성된 전위나 vacancy 등의 결정결함 준위내에 전자들이 포획되고 오랫동안 포화되어 있다가 다시 방전되는 현상으로 보인다.

• 전기학회논문지P
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• 제53권2호
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• pp.65-69
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• 2004

This paper calculates and gives the analysis of electron swarm transport coefficients as described electric conductive characteristics of pure Ar, pure $SiH_4$, Ar-$SiH_4$ mixture gases($SiH_4$-0.5%, 2.5%, 5%) over the range of E/N = 0.01~300[Td], P = 0.1, 1, 5.0 [Torr] by Monte Carlo the backward prolongation method of the Boltzmann equation using computer simulation without using expensive equipment. The results have been obtained by using the electron collision cross sections by TOF, PT, SST sampling, compared with the experimental data determined by the other author. It also proved the reliability of the electron collision cross sections and shows the practical values of computer simulation. Electron swann parameters in argon were drastically changed by adding a small amount of mono-silane. The electron drift velocity in these mixtures showed unusual behaviour against E/N. It had negative slope in the medium range of E/N, yet the slope was not smooth but contained a small hump. The longitudinal diffusion coefficient also showed a corresponding feature in its dependence on E/N. A two-tenn approximation of the Boltzmann equation analysis and Monte Carlo simulation have been used to study electron transport coefficients.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제10권6호
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• pp.96-103
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• 1996

본 논문은 저자들에 위해 결정된 전자충돌단면적을 사용하여 몬테칼로 시뮬레이션 볼쯔만 방정식법에 의해 E/N:150∼180[Td] 범위에서 계산된 {{{{ { SF}_{ 6} }}}}가스의 전자수송 특성과 TOF법에서 구한 전자군 파라미터 값들을 나타냈다. 전자이동 속도 전자전력 또는 부착계숙, 종·횡방향 확산계수 등의 전자군 파라미터 값들은 E/N범위에서 실험치와 이론치가 일치하였다. 전자사태의 특성은 전자에너지의 비평형영역에서 고려되었다. 전자에너지 분포함수 는 평균에너지의 평형영역에 대하여 E/N:150∼180[Td]에서 해석하였다. 그 결과의 타당성은 TOF법에 의해 입증되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1985년도 하계학술회의논문집
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• pp.215-218
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• 1985

In this paper, The electron drift velocity was measured from an experimental study of the open end heat pipe system by induced current method as alkali metal vapour was generated in ordinary region of a drift tube. The test condition was alkali metal vapour range from 3.6 to 20.1(Torr), temperature of 667 to 755(K), and E/N of $1{\times}10^{-16}$ to $1{\times}10^{-15}(v.cm^2)$. The results of this study were obtained essentially the same as the extrapolated prediction curve for electron drift velocity in the alkali metal Vapour of J. Lucas et 31 with range of E/N: $1{\times}10^{-17}$ to $1{\times}10^{-16}(v.cm^2)$, and the electron drift velocity was obtained the result an increase in alkali to E/N range from E/N $2.8{\times}10^{-17}$ to $5.6{\times}10^{-16}(v.cm^2)$ (E/N From 2.8 to 50 Td).

• 호남수학학술지
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• 제32권1호
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• pp.177-192
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• 2010

We study the concepts of congruent number problems and elliptic curves. We research the structure of the group of elliptic curves and find out a method of the computation of L($E_n$, 1) and L'($E_n$, 1) by using SAGE program. In this paper, we obtain the first few congruent numbers for n ${\leq}$ 2500.

• 한국세라믹학회지
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• 제22권4호
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• pp.3-8
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• 1985

The layer charge densities and interlayer C. E. C(cation exchange capacity) of ten mica-type aluminosilicates from Yong-il Pohang-prefacture were determined by n-alkylammonium method which is based on the mo-nolayer-doubelelayer structural transition of ni-alkylammonium ion in interlayer space of the layered silcates. The upper and lower limits of layer charge and interlyer C, E, C estimated were about 0.25~0.36 eq/(Si, $Al)_4$ O10 and 69~99meq/100g, respectively.

• Asian-Australasian Journal of Animal Sciences
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• 제25권8호
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• pp.1063-1072
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• 2012

Effective population size ($N_e$) is an important measure to understand population structure and genetic variability in animal species. The objective of this study was to estimate $N_e$ in Sapsaree dogs using the information of rate of inbreeding and genomic data that were obtained from pedigree and the Illumina CanineSNP20 (20K) and CanineHD (170K) beadchips, respectively. Three SNP panels, i.e. Sap134 (20K), Sap60 (170K), and Sap183 (the combined panel from the 20K and 170K), were used to genotype 134, 60, and 183 animal samples, respectively. The $N_e$ estimates based on inbreeding rate ranged from 16 to 51 about five to 13 generations ago. With the use of SNP genotypes, two methods were applied for $N_e$ estimation, i.e. pair-wise $r^2$ values using a simple expectation of distance and $r^2$ values under a non-linear regression with respective distances assuming a finite population size. The average pair-wise $N_e$ estimates across generations using the pairs of SNPs that were located within 5 Mb in the Sap134, Sap60, and Sap183 panels, were 1,486, 1,025 and 1,293, respectively. Under the non-linear regression method, the average $N_e$ estimates were 1,601, 528, and 1,129 for the respective panels. Also, the point estimates of past $N_e$ at 5, 20, and 50 generations ago ranged between 64 to 75, 245 to 286, and 573 to 646, respectively, indicating a significant $N_e$ reduction in the last several generations. These results suggest a strong necessity for minimizing inbreeding through the application of genomic selection or other breeding strategies to increase $N_e$, so as to maintain genetic variation and to avoid future bottlenecks in the Sapsaree population.

• 한국통신학회논문지
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• 제27권1A호
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• pp.35-41
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• 2002

본 논문에서 Olsen, Scholtz, Welch가 소개한 이진 bent 시퀀스군을 일반화시켜 최적의 상관 특성과 균형 특성을 갖는 일반화된 이진 bent 시퀀스를 생성하였다. 변형된 trace 변환이 정의되고 이로부터 ${F_{2^n}}$에서 중간체 ${F_{2^e}}$로의 선형함수를 사용하였다. 여기서 e|n이다. 만일 e=1이면 새로운 방법은 기존의 이진 bent 시퀀스의 경우와 같아진다. 또한 새로운 방법이 최적의 상관 특성과 균형 특성을 갖는 간단한 이진 시퀀스군을 생성시킨다는 것을 보여주고 몇 가지 예가 주어진다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.1830-1833
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• 1997

This paper describes the electron transport characteristic in $SiH_4$ gas calculated for range of E/N values from $0.5{\sim}300$(Td) using a set of electron collision cross sections determined by the authors and the values of electron swarm parameters are obtained for TOF method. The results gained that the value of an electron swarm parameter such as the electron drift velocity, longitudinal and transverse diffusion coefficients with the experimental and theoretical for a range of E/N. The electron energy distributions function were analysed in monosilane at E/N : 30, 50(Td) for a case of equilibrium region in the mean electron energy. The validity of the results obtained has been confirmed by a TOF method.