• 공업화학
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• 제18권1호
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• pp.24-28
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• 2007

$Cl_2/Ar$ 가스의 고밀도 플라즈마를 이용하여 ZnO 박막에 대한 식각이 연구되었다. $Cl_2$ 가스의 농도, coil rf power, dc-bias 전압, 그리고 공정 압력을 변화시켜서 ZnO 박막의 식각특성을 체계적으로 조사하였다. $Cl_2$ 가스의 농도가 증가할수록 ZnO 박막의 식각 속도는 증가하였고, 식각된 패턴 주변의 재증착은 감소되었지만 식각된 패턴의 측면 경사는 낮아졌다. Coil rf power와 dc-bias 전압이 증가할수록 ZnO 박막의 식각 속도가 증가하였고, 식각 프로파일이 개선되었다. 공정 압력이 증가 할수록 ZnO 박막의 식각 속도가 미세하게 증가하였으나 식각 프로파일의 변화는 관찰되지 않았다. 이러한 결과들을 토대로 하여 ZnO 박막의 최적의 식각 조건이 설정되었다. 재증착이나 잔류물이 없이 대략 $75^{\circ}{\sim}80^{\circ}$의 높은 이방성 식각을 갖는 ZnO 박막의 식각이 20% $Cl_2$ 가스의 농도, 1000 W의 coil rf power, 400 V의 dc-bias 전압, 그리고 5 mTorr의 공정 압력에서 성공적으로 이루어졌다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2009년도 추계학술대회 초록집
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• pp.223-224
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• 2009

본 연구에서는 $Cl_2$/Ar 기반의 플라즈마 식각에 $N_2$가스를 첨가하여 ZnO 박막을 식각 하였을 때 관찰된 ZnO 박막의 식각 특성에 관하여 연구 하였다. ZnO 박막 식각 실험은 RF 800 W, bias power 400 W, 공정 압력 15 mTorr를 기준으로 하였으며 가스 혼합 비율로는 최적의 식각률을 보여주는 $Cl_2$/Ar=8:2 비율에서 실행하였다. 연구의 목적인 첨가 가스 $N_2$를 $Cl_2$ (80%)/Ar (20)%에 5 sccm 씩 첨가하여 20 sccm 까지 증가 시켜 실험 하였다. $N_2$ 가스가 15 sccm 첨가되었을 때 식각률 95.9 nm/min로 기존 $Cl_2$/Ar 기반의 플라즈마 식각보다 높은 식각률을 보여 주었으며 $N_2$ 가스 흐름 조절 외에도 공정 압력, RF power, bias power를 변경하며 실험하였다. 식각된 ZnO 박막의 표면은 최대 식각률을 보이는 공정 조건을 찾기 위해 surface profiler ($\alpha$-step)을 이용하여 식각률을 측정하였으며 ZnO 박막 표면의 화학적인 변화를 조사하기 위해 x-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하였다. XPS 분석 결과 Zn $2p_{3/2}$ peak 가낮은 binding energy 쪽으로 이동한 것을 관찰 할 수 있었다. 또한 O 1s 의 스펙트럼을 분석한 결과 N-O bond와 O-H bond가 존재함이 밝혀졌다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권10호
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• pp.747-751
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• 2010

In the study, the characteristics of the etched Zinc oxide (ZnO) thin films surface, the etch rate of ZnO thin film in $Cl_2/BCl_3/Ar$ plasma was investigated. The maximum ZnO etch rate of 53 nm/min was obtained for $Cl_2/BCl_3/Ar$=3:16:4 sccm gas mixture. According to the x-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM), the etched ZnO thin film was investigated to the chemical reaction of the ZnO surface in $Cl_2/BCl_3/Ar$ plasma. The field emission auger electron spectroscopy (FE-AES) analysis showed an elemental analysis from the etched surfaces. According to the etching time, the ZnO thin film of etched was obtained to The AES depth-profile analysis. We used to atomic force microscopy to determine the roughness of the surface. So, the root mean square of ZnO thin film was 17.02 in $Cl_2/BCl_3/Ar$ plasma. Based on these data, the ion-assisted chemical reaction was proposed as the main etch mechanism for the plasmas.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권1호
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• pp.1-5
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• 2000

Cathodoluminescence(CL) properties of ZnO:Zn green phosphor were investigated. ZnO:Zn phosphor was synthesized by varying reducing agents and firing temperatures. ZnS, charcoal and 5% H2 gas mixed with 95% N2 gas(5H2-95N2) were used as the reducing agent and atmosphere. The highest CL intensity of ZnO:Zn phosphor was observed under the condition of 5H2-95N2 atmosphere and firing temperature of 90$0^{\circ}C$ for 1h. Charocal and ZnO as reducing agents in the syntehsis of ZnO:Zn phosphor exhibited about 60% and 40%, respectively, of the CL intensity obtained with 5H2-95N2 atmosphere.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제11권3호
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• pp.116-119
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• 2010

The etching characteristics of zinc oxide (ZnO) were investigated, including the etch rate and the selectivity of ZnO in a $Cl_2/BCl_3$/Ar plasma. It was found that the ZnO etch rate, the RF power, and the gas pressure showed non-monotonic behaviors with an increasing Cl2 fraction in the $Cl_2/BCl_3$/Ar plasma, a gas mixture of $Cl_2$(3 sccm)/$BCl_3$(16 sccm)/Ar (4 sccm) resulted in a maximum ZnO etch rate of 53 nm/min and a maximum etch selectivity of 0.89 for ZnO/$SiO_2$. We used atomic force microscopy to determine the roughness of the surface. Based on these data, the ion-assisted chemical reaction was proposed as the main etch mechanism for the plasmas. Due to the relatively low volatility of the by-products formed during etching with $Cl_2/BCl_3$/Ar plasma, ion bombardment and physical sputtering were required to obtain the high ZnO etch rate. The chemical states of the etched surfaces were investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). This data suggested that the ZnO etch mechanism was due to ion enhanced chemical etching.

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제25권1호
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• pp.1-7
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• 2000

The purpose of this study is to investigate effects of several zinc solutions including Artemisia asiatica-containing zinc solution on concentration of oral volatile sulfur compounds(VSCs). We determined the VSCs concentration of breath of human subjects before and after use of zinc solutions(O.25% $ZnF_2$ Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnCl_2$ and Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnCl_2$ solutions) The results were as follows : 1. 0.25% $ZnCl_2$ solution was more effective than 0.25% $ZnF_2$ solution in reducing the concentration of oral VSCs and the maintenance duration of effectiveness. 2. Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnCl_2$ solution was more effective than Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnF_2$ solution in reducing the concentration of oral VSCs and the maintenance duration of effectiveness. 3. Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnF_2$ solution and 0.25% $ZnF_2$ solution showed no significant difference in reducing the concentration of oral VSCs and the maintenance duration of effectiveness but, Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnF_2$ solution was slightly more effective. 4. Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnCl_2$ solution and 0.25% $ZnCl_2$ solution showed no significant difference in reducing the concentration of oral VSCs and the maintenance duration of effectiveness but, Artemisia asiatica-containing 0.25% $ZnF_2$ solution was slightly more effective.

• 한국재료학회지
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• 제31권12호
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• pp.704-709
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• 2021

In the flux used in the batch galvanizing process, the effect of the component ratio of NH₄Cl to ZnCl₂ on the microstructure, coating adhesion, and corrosion resistance of Zn-Mg-Al ternary alloy-coated steel is evaluated. Many defects such as cracks and bare spots are formed inside the Zn-Mg-Al coating layer during treatment with the flux composition generally used for Zn coating. Deterioration of the coating property is due to the formation of AlCl_x mixture generated by the reaction of Al element and chloride in the flux. The coatability of the Zn-Mg-Al alloy coating is improved by increasing the content of ZnCl₂ in the flux to reduce the amount of chlorine reacting with Al while maintaining the flux effect and the coating adhesion is improved as the component ratio of NH₄Cl to ZnCl₂ decreases. Zn-Mg-Al alloy-coated steel products treated with the optimized flux composition of NH₄Cl·3ZnCl₂ show superior corrosion resistance compared to Zn-coated steel products, even with a coating weight of 60 %.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권2호
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• pp.271-275
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• 1997

HWE방법으로 GaAs 기관위에 Cl이 첨가된 ZnSe 박막을 성장하였다. 성장된 박막의 표면 상태는 경면이 있었으며 좋은 결정성과 낮은 비저항 n 형 전도성을 나타내었다. 성장된 박막의 운반자 농도는 $10^{16}Cm{-3}$ 정도였으며 비저항값은 10$\\Omega$\cdotcm였다. 실온에서 청색 발광을 하는 photoluminescence를 나타내었다. 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
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• pp.22-25
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• 2000

ZnS:Cu,Cl 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼 측정 결과 주게인 $Cl^-$ 이온과 받게인 $Cu^+$ 이온 사이의 흡수와 발광에 기인하는 peak과 국소화된 발광 중심인 $(CU_2)^{2+}$ 이온의 흡수와 발광에 기인하는 peak이 관측되었다. CuCl의 첨가량이 증가함에 따라 $Cu^+$ 이온의 농도가 증가하게 되어 $(Cu_2)^{2+}$ 이온에 기안하는 발광으로부터 공명 에너지 전달 (Resonant Energy Transfer)의 확률이 높아지기 때문에 513 nm를 중심으로 하는 발광의 세기가 증가하게 된다. 자체 제작한 ZnS:Cu,Cl 형광체를 이용하여 제작한 소자의 휘도 측정결과 400 Hz, 100 V 에서 CuCl 의 첨가량이 0.2 mole% 일 때 휘도가 최대였고, 진동수가 증가함에 따라 휘도가 포화되는 현상이 나타났다. CuCl의 첨가량이 증가함에 따라 513 nm를 중심으로 하는 발광이 강해지고 CIE 좌표값이 녹색영역으로 이동하게 된다. 진동수가 증가하면 인가된 전압의 유지 시간이 짧아지게 되어 발광의 감쇄시간이 긴 513 nm를 중심으로 하는 발광보다 감쇄시간이 짧은 458 nm를 중심으로 하는 발광이 강해지게 되고, CIE 좌표값이 청색영역으로 이동하게 된다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제7권4호
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• pp.733-737
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• 2006

본 논문은 수용액에서 Zn 이온이 tetraaza 거대고리 리간드의 일종인 1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane(cyclam) 리간드와 결합하여 착물(배위화합물)을 형성할 때, 리간드의 배위상태와 착물의 구조를 Raman 스펙트럼, 전기전도도법을 통하여 알아보았다. Raman 스펙트럼에 의해, Zn이온의 trans 배위자리에 $H_{2}O$ 분자와 $Cl^{-}$이온이 경쟁하고 있음을 알았다. 전기전도도법에 의하면, $ZnCl_{2}$ 수용액에 1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane(cyclam) 리간드를 가하면 2:1 전해질에서 1:1 전해질로 바뀐다. 즉, Zn이온의 trans 배위자리에 $H_{2}O$ 분자와 $Cl^{-}$이온이 경쟁하고 있음을 확인하였다. 또한, macrocyclic polyamine의 일종인 1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane(cyclam) 리간드의 중금속 친화력 효과를 통해, 유해 중금속을 몸에서 배출시킬 수 있는 chelating agent로 사용될 수 있는 가능성을 보여 주었다.