Mg의 첨가한 Zn-Mg-Al 합금도금강판에 형성된 $Zn-MgZn_2$ 공정조직의 부식거동을 이해하고자 진공 고주파 용해로 $MgZn_2$ 제작한 후 Zn와 galvanic coupling하여 $MgZn_2$합금과 Zn간의 galvanic corrosion 거동을 알아보았다. $MgZn_2-Zn$ galvanic coupling의 SVET 결과에서 $MgZn_2$가 anode, Zn가 cathode가 됨을 확인되었다. $MgZn_2$의 Zn와의 galvanic corrosion 평가에서 galvanic current는 Zn 보다 낮은 potential에서 anodic current density를 나타내었으며, galvanic potential은 $MgZn_2$전위로부터 두 합금의 혼합전위를 향해 증가함을 알 수 있었다. Zn-Mg-Al 합금도금강판의 염수분무 평가에서도 초기 $Zn-MgZn_2$ 공정조직에서 $MgZn_2$가 용출되는 것이 관찰되었다.
Cathodoluminescence(CL) properties of ZnO:Zn green phosphor were investigated. ZnO:Zn phosphor was synthesized by varying reducing agents and firing temperatures. ZnS, charcoal and 5% H2 gas mixed with 95% N2 gas(5H2-95N2) were used as the reducing agent and atmosphere. The highest CL intensity of ZnO:Zn phosphor was observed under the condition of 5H2-95N2 atmosphere and firing temperature of 90$0^{\circ}C$ for 1h. Charocal and ZnO as reducing agents in the syntehsis of ZnO:Zn phosphor exhibited about 60% and 40%, respectively, of the CL intensity obtained with 5H2-95N2 atmosphere.
Electrical properties in the ZnO-Bi2O3-CoO-Zn7Sb2O12 system were investigated with Zn7Sb2O12 content (0.1~2 mol%). The increase of the Zn7Sb2O12 content inhibited the grain growth of ZnO, which showed a narrow grain size distribution of ZnO. The breakdown voltage (Vb) increased markedly with 1 mol% Zn7Sb2O12 addition due to the grain growth control behaviour of the Zn7Sb2O12 . The nonlinear I-V characteristic was significantly influenced by the Zn7Sb2O12 content (or Bi2O3/Zn7Sb2O12 ratio). Addition of 0.5 mol% Zn7Sb2O12 showed the highest nonlinear coefficient ($\alpha$) of 43. The leakage current in prebreakdown region was decreased with increasing Zn7Sb2O12 content.
Mg-6Zn-2Cu 및 Mg-6Zn-1.5Si(wt%)합금의 미세조직 및 석출거동을 조사하였다. 합금은 $4 x 10^{-4}$ 의 진공분위기에서 제조하였고 용체화처리는 $435^{\circ}C$에서 8시간 행하였다. Mg-6Zn합금에 1.5wt.%Si를 첨가한 합금에서는 입계 및 입내에 $10\mu\textrm{m}$-2$\mu\textrm{m}$크기의 구형의 $MgZn_{2}$와 $Mg_{2}$Si상이 존재한다. 시효경화거동은 용체화처리된 Mg-6Zn-2Cu 및 Mg-6Zn-1.5Si합금에서 조사되었다. 결정립 미세화에 의한 경도증가효과는 Mg-6Zn-2Cu합금계에서 크게 나타났으나, 시효에 의한 경도증가효과는 Mg-Zn-Si합금계에서 크게 나타났다. 시효처리 후 생성된 석출상들은 투과전자현미경 분석결과 Mg-6Zn-2Cu합금에서는$ Mg_{2}$$Zn_{3}$이었고 Mg-6Zn-1.5Si 합금에서는 $Mg_{2}$$Zn_{11}$ /이었다.
Microstructueral development and electrical properties in ZnO-Bi2O3-ZnAl2O4 system were investigated with ZnAl2O4 content(0.1~1.0 mol%). The shrinakge of specimens started around $700^{\circ}C$ and finished at 110$0^{\circ}C$, reaching a maximum shrinkage rate at 80$0^{\circ}C$. The shrinkage rate is strongly related to the fromation of a Bi-rich liquid. The increase of the ZnAl2O4 content inhibited the grain growth of ZnO. Most of ZnAl2O4 particles located at the grain boundaries were about 2~3${\mu}{\textrm}{m}$. ZnO grain size changed little up to 110$0^{\circ}C$, but increased markedly above 115$0^{\circ}C$, especially at lower ZnAl2O4 content. Drastic decreasing in breakdown voltage(Vb) with increasing temperature is expected to be dependent on the ZnO grain size and the distribution of the largest grains between the electrode. The nonlinear I-V characteristic was significantly influenced by the ZnAl2O4 content, which exhibited a maximum value at about 15${\mu}{\textrm}{m}$ of ZnO grain size.
Sintering behavior and microstructure development in the system ZnO-Bi2O3-CoO-Zn7Sb2O12 with Zn7Sb2O12 content(0.1mol%~2mol%) were studied. The pyrochlore phase was formed by the reaction of the Zn7Sb2O12 with Bi2O3 phase during heating (below 90$0^{\circ}C$). The formation temperature of the liquid phase (Bi2O3) was dependent on the Zn7Sb2O12 contents (about 74$0^{\circ}C$ for Bi2O3/Zn7Sb2O12>1 by the eutectic melting in the ZnOBi2O3 system, and about 110$0^{\circ}C$ for Bi2O3/Zn7Sb2O12 1 by the decomposition of pyrochlore phase). Hence, sintering behavior and microstructure development were determined virtually by the Bi2O3/Zn7Sb2O12 ratio, which were promoted by liquid (Bi2O3) phase and retarded by the pyrochlore (or spinel) phase. The grain growth of ZnO during sintering was sluggish with increasing Zn7Sb2O12 contents.
ZnO는 출발물질인 황산아연과 알칼리 침전제인 NaOH와 Na2CO3에 의해 생성된 아연 중간생성물의 변이 거동과 결정화 조건에 따라 제조하였다. ZnO 결정화를 위해 아연 중간생성물인 Zn4(OH)6SO4·H2O, Zn5(OH)6(CO3)2·H2O를 각각 400℃, 800℃에서 1시간 하소하였고, 하소 온도는 열중량 분석을 기반으로 하였다. 아연 중간생성물인 Zn4(OH)6SO4·H2O은 400℃에서 Zn4(OH)6SO4·H2O, ZnO 결정상이 혼재됨을 확인하였고, 800℃에서 완전히 열분해되어 순수한 ZnO만 형성되었다. Na2CO3와 반응하여 생성된 아연 중간생성물인 Zn5(OH)6(CO3)2·H2O는 400℃ 이상에서 완전한 ZnO의 결정상을 확인하였다. Na2CO3와 반응을 통해 상대적으로 낮은 하소 온도에서 나노 입자의 ZnO를 합성할 수 있었다.
이 연구에서는 X-선 광전자분광법(X-ray photoemission spectroscopy: XPS)을 이용하여 염료감응 태양전지의 전극용 후보 물질에 속하는 $ZnSnO_3$와 $Zn_2SnO_4$의 전자 구조를 연구하였다. 제조된 시료들에 대한 X-선 회절 측정에 의하면 $ZnSnO_3$와 $Zn_2SnO_4$ 시료는 각각 단일상의 ilmenite(IL) 구조와 역스피넬(inverse spinel) 구조를 가지고 있음을 알 수 있었다. Zn 2p와 Sn 3d 내각준위 XPS 측정으로부터 $ZnSnO_3$와 $Zn_2SnO_4$ 두 시료 모두에서 Zn 이온은 2가 (Zn 2+) 상태이며, Sn 이온은 4가 (Sn 4+) 상태임을 알 수 있었다. 한편 얕은 내각준위 XPS 스펙트럼의 측정에서는 $ZnSnO_3$의 Sn 4d와 Zn 3d 내각 준위들의 결합에너지가 $Zn_2SnO_4$에서 보다 다소 작게 관찰되었다. 이 연구로부터 $ZnSnO_3$와 $Zn_2SnO_4$에서의 각 이온의 원자가 상태와 화학적 결합 상태에 대한 정보를 얻을 수 있었다.
Park, Kyu Charn;Cha, Eun Seok;Shin, Dong Hyeop;Ahn, Byung Tae;Kwon, HyukSang
Current Photovoltaic Research
/
제2권1호
/
pp.8-13
/
2014
ZnSe/$Zn_3P_2$ heterojunctions with a substrate configuration were fabricated using a series of cost-effective processes. Thin films of ZnTe and $Zn_3P_2$ were successively grown by close-spaced sublimation onto Mo-coated glass substrates. ZnSe layers thinner than 100nm were formed by annealing the $Zn_3P_2$ films in selenium vapor. Surface selenization generated a high density of micro-cracks which, along with voids, provided shunt paths and severely deteriorated the diode characteristics. Annealing the $Zn_3P_2$ film at $300^{\circ}C$ in a $ZnCl_2$ atmosphere before surface selenization produced a dense microstructure and prevented micro-crack generation. The mechanism of micro-crack generation by the selenization was described and the suppression effect of $ZnCl_2$ treatment on the micro-crack generation was explained. ZnSe/$Zn_3P_2$ heterojunctions with low leakage current ($J_0$ < $1{\mu}A/cm^2$) were obtained using an optimized surface selenization process with $ZnCl_2$ treatment. However, the series resistance was very high due to the presence of an electrical barrier between the ZnTe and $Zn_3P_2$ layers.
Glass/SiNx/ZnO 적층 박막구조의 SAW 특성 변화를 분석하였다. ZnO 박막은 rf magnetron sputter를 이용하여, 산소를 반응성 가스로 Ar과 함께 진공챔버내에 주입시켜 증착하였고, 주로 산소량에 따른 박막의 특성변화를 관찰하였다. 산소분압은 ZnO 박막의 증착속도 및 결정성에 많은 영향을 주고 있었으며, rocking curve의 결과에 의하면 (002) 배향성을 가진 ZnO 박막의 c-축 수직도가 Ar과 산소의 유량비가 67/33에서 가장 좋은 2.17도를 보여주고 있다. 이 값은 ZnO 박막을 압전요소로 사용하기에 충분한 조건이다. SiNx의 두께를 7000Å, ZnO 박막의 두께를 5μm로 한 glass/SiNx/Al/ZnO의 박막 적층 구조의 SAW 특성을 보면 ZnO/glass 구조와 비교시 SAW 속도가 최대 2.2%까지 증가했음을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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