• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권1호
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• pp.70-72
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• 2000

In this paper, a spacer process for FED(Field Emission Display) was developed with the glass to glass anodic bonding technology using Al film as an interlayer and a 3.5 inch monochromatic type FED was fabricated. Holder to dislocate spacers vertically was designed with (110) Si wafer by bulk etching. Spacers, $100\mum\; width\; and\; 1000\mum$ height, were formed on anode panel by spacer to glass anodic bonding and the fabricated FED was operated for emission at 1㎸ anode voltage.

• 한국가금학회:학술대회논문집
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• 한국가금학회 2005년도 제22차 정기총회 및 학술발표회
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• pp.70-71
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• 2005

본 연구는 1세포기 닭 수정란에 retrovirus vector (RSV-GFP)를 도입하여 외래유전자의 핵 전이 효율을 높이고자 하였다. 실험은 polybrene과 retrovirus 혼합물을 1세포기 또는 배반엽 단계의 수정란 세포질에 미세주입하고 배양 3 또는 4일차에 GFP의 발현 양상들을관찰하였다. 실험의 결과는 배반엽 수정란에서 GFP발현을 관찰할 수 있었으나, 1세포기 수정란에서는 GFP의 발현을 관찰할 수 없었다. 연구결과는 형질전환닭 생산에 있어서 가장 효율적인 방법은 배반엽 단계에 retrovirus를 미세주입하는 방법임을 보여주고 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.69-69
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• 2011

다이아몬드는 절연 물질이지만, 합성 다이아몬드를 생성할 때 결정 내에 도핑(doping) 과정을 통해 불순물을 혼입함으로써 반도체 성질을 가지게 된다. 본 연구에서는 마이크로웨이브 CVD 장치를 이용하여 다이아몬드 박막의 생성 조건을 최적화하고 여기에 다이아몬드 박막 생성시 디보란(Diborane, B2H6)을 주입하여 전기적 특성을 갖는 보론-도핑 된 다이아몬드 박막을 생성하였다. 실험 조건으로는 방전전력 1.4 Kw, 진공압력 40 Torr의 상태에서 디보란의 주입량을 각각 다르게 하여 실험을 진행하였다. 이 때 사용된 기판으로는 전기적 특성이 서로 다른 사파이어($Al_2O_3$), Si, Ti 기판을 사용하여 박막과 기판과의 연관성도 조사하였다. 각각의 보론-도핑 농도와 기판에 따른 다이아몬드 결정구조를 Micro Raman, SEM으로 분석하였고, 다이아몬드 박막의 I-V특성을 통해 다이아몬드의 전기적 특성을 조사하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.342-342
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• 2011

산화막은 반도체 공정 중 가장 핵심적이며 기본적인 물질이다. 반도체 소자에서 내부의 캐리어들의 이동을 막고 전기를 절연시켜주는 절연체로서 역할을 하게 된다. 실제로 제작된 산화막에서는 dangling bond 혹은 내부에 축적되는 charge들의 의해 leakage가 생기게 되고 그에 따라 산화막의 특성은 저하되게 된다. 내부에서 특성을 저하시키는 defect을 감소시키기 위해 Plasma Treatment에 따른 특성변화를 관찰하였다. 본 연구에서는 최적화 시킨 Flexible TFT제작을 위해 저온에서 Silicon Oxide로 형성한 Gate Insulator에 각각 N2O, H2, NH3가스를 주입 후 Plasma처리를 하였다. 특성화 시킨 Gate Insulator를 이용하여 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)구조를 제작 후 C-V curve특성변화, Dit의 감소, Stress bias에 따른 stability를 확인 하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.22.1-22.1
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• 2009

차세대 CMOS 공정에서 유전상수가 높은 게이트 절연막과 함께 게이트 전극이 관심을 끌고 있다. 게이트 전극은 전도도가 높아야 하고 p-MOS, n-MOS에 맞는 일함수를 가져야 하며 열적 특성이 안정해야 한다. 탄탈룸 계열 탄화물이나 질화물은 게이트 전극으로 관심을 끌고 있는 물질이며 이를 원자층 화학증착법으로 박막화 하는 공정이 관심을 끌고 있다. 원자층 화학공정에서는 전구체의 역할이 중요하며 이의 기상반응 메카니즘, 표면 반응 메카니즘을 제대로 이해해야 한다. 본 연구에서는 TBTDET (tert-butylimido tris-diethylamido tantalum) 전구체의 반응 메커니즘을 FTIR(Fourier Transform Infrared)을 이용해 진단하였다. 또한 수소, 암모니아, 메탄을 이용한 열화학 원자층 증착, 플라즈마 원자층 증착 공정을 수행하여 박막을 얻고 이들의 특성을 평가하였다. 각 공정에 따라 반응 메커니즘이 달라지고 박막의 조성이 달라지며 또한 박막의 물성도 달라진다. 특히 박막에 형성되는 TaC, TaN, Ta3N5, Ta2O5 (증착 후 산소의 유입에 의해 형성됨) 등의 조성이 공정에 따라 달라지며 박막의 물성도 달라진다. 반응메카니즘의 연구를 통해 각 공정에서 어떠한 조성의 박막이 얻어지는 지를 규명하였고 박막의 밀도에 따라 산소유입량이 어떻게 달라지는 지를 규명하였다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제49권8호
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• pp.1711-1716
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• 2017

Uranium tetrafluoride ($UF_4$) is the most used nuclear material for producing metallic uranium by reduction with Ca or Mg. Metallic uranium is a raw material for the manufacture of uranium silicide, $U_3Si_2$, which is the most suitable uranium compound for use as nuclear fuel for research reactors. By contrast, ammonium uranyl carbonate is a traditional uranium compound used for manufacturing uranium dioxide $UO_2$ fuel for nuclear power reactors or $U_3O_8-Al$ dispersion fuel for nuclear research reactors. This work describes a procedure for recovering uranium and ammonium fluoride ($NH_4F$) from a liquid residue generated during the production routine of ammonium uranyl carbonate, ending with $UF_4$ as a final product. The residue, consisting of a solution containing high concentrations of ammonium ($NH_4^+$), fluoride ($F^-$), and carbonate ($CO_3^{2-}$), has significant concentrations of uranium as $UO_2^{2+}$. From this residue, the proposed procedure consists of precipitating ammonium peroxide fluorouranate (APOFU) and $NH_4F$, while recovering the major part of uranium. Further, the remaining solution is concentrated by heating, and ammonium bifluoride ($NH_4HF_2$) is precipitated. As a final step, $NH_4HF_2$ is added to $UO_2$, inducing fluoridation and decomposition, resulting in $UF_4$ with adequate properties for metallic uranium manufacture.

• 대한치과보철학회지
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• 제37권2호
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• pp.167-184
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• 1999

The purpose of this study was to evaluate and compare the at of denture bases processed by injection pressing technic using laser scanner of reverse engineering technic. The auther duplicated 20 maxillary edentulous models and 20 mandibular edentulous models, which were scanned on HYSCAN 45C 3D BCANNER(Hymarc Co., Canada). The scanned data were stored in the personal computer using SURFACER (Imageware Co. U.S.A.) software program. After 40 dentures were cured by PERform Inkovac system, SR-Ivocap system, Palajet system, and Sulfon system, they were stored in water at room temperature fir 24 hours. The dentures were scanned on HYSCAN 45C 3D SCANNER(Hymarc Co., Canada). The scanned data were stored in the personal computer using SURFACER (Imageware Co., U.S.A.) software program. By overlapping two images using the same program, the fit between two surfaces was scaled by positive and negative errors. The obtained results were as follows 1. In the upper denture, most of the positive errors occurred on the lingual side of anterior alveolar ridge and the negative errors were on the flange of denture bases. 2. In the lower denture, most of the positive errors occurred on the inner side of lingual flange and the negative errors were on the border of anterior labial flange areas, 3. There were no statistical differences among the positive errors of the four types of injection denture curing methods and also no statistical differences between negative errors except only in negative maximum errors. 4. In PERform system and SR-Ivocap system, they have the tendency of inaccurate at of lower denture bases comparing to that of upper denture bases. 5. The negative error scales were greater than the positive error scales in all types of injection denture curing methods.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.304-304
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• 2008

최근 이동통신의 사업의 발달로 인하여 제품의 고속신호 전달에 대한 관심이 부각되고 있다. 이로 인해 고집적 LTCC 모듈로 제작이 가능하고 고속신호 전달이 용이한 저유전율과 낮은 loss특성을 요구하는 소재 개발의 지속적인 연구를 필요로 한다. 지금까지의 ceramic/glass composite에서 주로 사용된 ceramic filler는 $Al_2O_3$로 낮은 유전율을 구현하는데 한계가 있었다. Cordierite는 낮은 유전율(${\varepsilon}r$ < 4)을 나타내는 filler로서 저유전율 기판소재로 사용될 가능성이 높지만 아직까지 보고된 결과들이 미흡한 실정이다. 선행 연구에서 cordierite filler와 $SiO_2-B_2O_3-Al_2O_3$-RO (R Zn, Sr, Ba, Ca)계의 glass를 혼합하여 LTCC 용 기판소재로서의 가능성을 확인한 결과 5.0~5.5 의 낮은 유전율과 1,000~1,500의 Q를 나타내는 것을 확인 하였다. 하지만 sheet로 제작 시 $B_2O_3$ 계로 인해 볼밀 공정에서 슬러리를 응집시켜 점도를 증가(gelation)시키는 현상이 발생하였다. 이를 개선하기 위한 glass 조성의 $B_2O_3$ 함량을 5%줄여 만든 glass를 이용해 미세구조, 유전율과 Q 그리고 강도를 측정하였다.

• 대한바이러스학회지
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• 제27권2호
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• pp.227-237
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• 1997

향약집성방 및 동의보감등 한의학 서적을 기초로 하여 선택한 탕제 45종과 단미제 80종의 메탄올과 열수추출물을 가지고 MTT assay를 실시하여 항Herpes simplex virus-1 (HSV-1)에 대한 활성을 조사하였다. 열수추출 탕제 45종 중 백사전방, 현람방I, 현람방II, 반천청방 4종에서 항 HSV-1 활성을 나타냈고, 이들의 SI (selective index)값은 $2.1{\pm}0.5$에서 $11.8{\pm}2.2$ 범위의 값을 가졌으며 메탄올추출 탕제 45종 중에서는 단치시호탕III, 반천청방, 정향울금방, 대황오배자고, 홍인락삼등방, 호장해독탕에서 활성을 보였고 이들의 SI값은 $1.7{\pm}0.2$에서 $10.5{\pm}3.1$ 범위의 값을 나타냈다. 열수추출 단미제 중계지, 관중, 구인분, 대황, 자화지정, 포공영, 호장근, 황백등 8종에서 항 HSV-1 활성이 나타났고, 이들의 SI값은 $1.6{\pm}0.1$에서 $10.2{\pm}0.7$ 범위의 값을 가졌으며 메탄올추출 탕제 중에서는 계지, 목방기, 상지, 호장근에서 활성을 보였고 이들의 SI 값은 $2.9{\pm}1.5$에서 $9.3{\pm}0.5$ 범위의 값을 나타내었다. 처방제 중 반천청방은 열수추출물과 메탄올 추출물 모두에서 항바이러스 활성을 나타냈고, 단미제 중 계지와 호장근도 열수와 메탄올 추출물 모두에서 항바이러스 활성을 보였다. 이들 탕제 및 단미제는 분획 및 분석실험을 실시하여 활성성분을 추적하고 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.186-186
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• 2010

소자의 축소화에 따라 floating gate 형의 flash 메모리 소자는 얇은 게이트 절연막 등의 이유로, 이웃 셀 간의 커플링 및 게이트 누설 전류와 같은 문제점을 지니고 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위해 charge trap flash 메모리 (CTF) 소자가 연구되고 있지만, CTF 메모리 소자는 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 성능간의 trade-off 관계와 같은 문제점을 지니고 있다. 최근, 이를 극복하기 위한 방안으로, 다른 유전율을 갖는 유전체들을 적층시킨 터널 절연막을 이용한 Tunnel Barrier Engineered (TBE) 기술이 주목 받고 있다. 따라서, 본 논문에서는 TBE 기술을 적용한 MIS-capacitor를 높은 유전율을 가지는 Al2O3와 HfO2를 이용하여 제작하였다. 이를 위해 먼저 Si 기판 위에 Al2O3 /HfO2 /Al2O3 (AHA)를 Atomic Layer Deposition (ALD) 방법으로 약 2/1/3 nm의 두께를 가지도록 증착 하였고, Aluminum을 150 nm 증착 하여 게이트 전극으로 이용하였다. Capacitance-Voltage와 Current-Voltage 특성을 측정, 분석함으로써, AHA 구조를 가지는 터널 절연막의 전기적인 특성을 확인 하였다. 또한, high-k 물질을 이용한 터널 절연막을 급속 열처리 공정 (Rapid Thermal Annealing-RTA) 과 H2/N2분위기에서 후속열처리 공정 (Post-RTA)을 통하여 전기적인 특성을 개선 시켰다. 적층된 터널 절연막은 열처리를 통해 터널링 전류의 민감도의 향상과 함께 누설전류가 감소됨으로서 우수한 전기적인 특성이 나타남을 확인하였으며, 적층된 터널 절연막 구조와 적절한 열처리를 이용하여 빠른 쓰기/지우기 속도와 전기적인 특성이 향상된 비휘발성 메모리 소자를 기대할 수 있다.