• 청정기술
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• 제23권1호
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• pp.104-112
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• 2017

해조류로부터 수열 액화 반응을 통해 생성된 원료를 이용하여 수소가스를 생산하기 위해 개질 반응용 상용화 촉매와 $K_2Ti_xO_y$가 첨가된 니켈(Ni) 제조 촉매를 사용하여 반응온도에 따른 수증기 개질 반응을 수행하였다. 반응원료는 해조류 바이오매스를 503 K의 반응온도에서 2시간 동안 수열 액화를 통해 생성된 액화 원료를 사용하였으며, 상용화 촉매(FCR-4-02)와 제조 촉매($Ni/K_2Ti_xO_y-Al_2O_3$, $Ni/K_2Ti_xO_y-SiO_2$, $Ni/K_2Ti_xO_y-ZrO_2/CeO_2$, Ni/$K_2Ti_xO_y$-MgO) 및 반응온도에 따른 수증기 개질 반응의 활성을 비교 연구하였다. 실험결과 제조 촉매 4종 모두 상용화 촉매와 비교하여 반응활성이 높게 나타나는 것이 확인되었으며, 제조 촉매의 지지체에 따라 생성되는 가스의 조성이 달라지는 것이 확인되었다. 특히, 산성이나 염기성을 띄는 $Al_2O_3$와 MgO의 지지체와 중성을 띄는 $SiO_2$의 지지체에서는 CO가 선택적으로 높게 생성이 되었으며 환원성을 띄는 $CeO_2$를 포함하는 지지체에서는 수성가스 전환 반응이 일어나 $CO_2$가 높게 생성됨을 보였다.

• 센서학회지
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• 제7권5호
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• pp.364-371
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• 1998

Field programmable gate array (FPGA)의 전압 프로그램 요소(voltage programmable link)로써 사용될 새로운 안티퓨즈를 제조하였다. 제조된 안티퓨즈는 Al/$BaTiO_3/SiO_2$/TiW-실리사이드 구조를 갖는다. 안티퓨즈의 프로그램 전압은 $BaTiO_3$의 증착 두께를 조절함으로써 정확하게 조절할 수 있었다. $BaTiO_3(120{\AA})$/$SiO_2(120{\AA})$의 안티퓨즈에서 TiW-실리사이드 전극에 (-)극성을 인가하여 측정된 프로그램 전압은 14.4 V였으며, on-저항은 $40-50{\Omega}$의 값을 갖는다. 안티퓨즈의 전류-전압 특성은 Frenkel-Poole 전도 기구를 따르고 있으며, 그 특성은 인가 전압의 극성에 따라 차이를 보였다. 이것은 Al/$BaTiO_3$계면과 TiW-silicide/$SiO_2$계면 특성이 다르기 때문이다.

• 대한화학회지
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• 제57권4호
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• pp.483-488
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• 2013

$CuCl_2$로부터 용액합성법에 의해 CuO를 제조하였다. $CuCl_2$를 용액에 첨가하기 전에 용액내에 anatase형 $TiO_2$ 입자를 분산시켜 CuO가 형성되는 과정에서 $TiO_2$/CuO 결합입자를 합성하였다. 얻어진 $TiO_2$/CuO에 적당량의 글루코스를 가하여 반응시켜 CuO의 일부를 $Cu_2O$로 환원시켰다. 얻어진 시료 $TiO_2/Cu_xO$ (1$TiO_2/Cu_xO$ 복합체는 anatase와는 다르게 가시광선 전 영역에서 흡광이 발생했으며 당연한 결과로 태양광선에서 $TiO_2/Cu_xO$ 복합체의 광촉매 활성은 anatase $TiO_2$에 비하여 매우 뛰어난 것으로 나타났다. 또한 $TiO_2/Cu_xO$ 복합체의 항균성이 대단히 뛰어난 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.125-129
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• 2004

[ $BaTi_4O_9$ ] thin film were grown on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate using rf magnetron sputter, and the microstructure and dielectric properties of the thin films were investigated. For the film grown at $350^{\circ}C$ and rapidly thermal annealed at $900^{\circ}C$, the $BaTi_5O_{11}$ Phase was formed. However, the $BaTi_4O_9$ phase was formed when the growing temperature exceeded $450^{\circ}C$ The dielectric constant of the $BaTi_4O_9$ thin film grown at $550^{\circ}C$ and rapidly thermal annealed at $900^{\circ}C$ was about 40 at low frequency range($100kHz{\sim}1MHz$) and 36 at microwave range($1{\sim}10GHz$) which is very close to that of the bulk $BaTi_4O_9$ phase. The dissipation factor was very low, about 0.005 at low frequency as well as microwave range.

• 공업화학
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• 제18권6호
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• pp.545-551
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• 2007

$TiCl_4$ 수용액의 침전반응으로 $TiO_2$를 제조할 때 침전용액의 염산농도와 반응온도 및 $Ti^{4+}$농도는 $TiO_2$ 침전물의 결정구조를 결정하는 중요한 인자이며, 이들의 조절을 통하여 브루카이트상의 부피분율 제어가 가능하다. 순수한 브루카이트상 이산화티타늄을 제조하기 위해서는 $Ti^{4+}$농도를 1.0 M 이하로 유지하고, 침전용액의 염산농도를 2.53~6.41 M이 되도록 조절한후 $70^{\circ}C$ 이하에서 20 h 침전반응 시켜야 한다. 한편, 순수한 브루카이트상 분말을 열처리한 결과 브루카이트상은 열처리 온도의 증가에 따라 아나타제상으로 상전이 된 후 최종적으로 루틸상으로 상변화가 진행되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권9호
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• pp.1002-1005
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• 1998

Bismuth titanate thin films were prepared on {{{{ { SrTiO}_{3 } }}(100) and Si(100) substrates by dipping-pyrolysis pro-cess using metal naphthenates as starting materials. crystallinity and in-phase alignment of the films were analyzed by X-ray diffraction $\theta$-2$\theta$ scans and $\beta$ scans (pole-figures) respectively. Highly c-axis-oriented {{{{ { { {Bi }_{4 }Ti }_{3 }O }_{12 } }} thin films with smooth surfaces were obtained after heat treatment at 75$0^{\circ}C$ on {{{{ { SrTiO}_{3 } }}(100) sub-strate while the films grown of Si(100) exhibited polycrstalline characteristics. C-axis oriented film show-ed an epitaxial relationship with the {{{{ { SrTiO}_{3 } }} substrate.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.335-338
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• 1998

The effect of glass flit addition on microwave dielectric properties of BaTiO$_3$-3TiO$_2$ ceramic was studied. Addition of glass frit to this system obtained sintered sample below sintering temperature 105$0^{\circ}C$. At BaTiO$_3$-3TiO$_2$+ g1ass frit 3wt% + BaWO$_4$6 wt%m, this ceramic showed excellent microwave properties of dielectric constant 34, Q$\times$f 8,100, temperature coefficient of resonant frequency 4 ppm/$^{\circ}C$ .

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.108.2-108
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• 2002

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.342-343
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• 2005

In this study,. the microwave dielectric properties of the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics with sintering temperature were investigated for LTCC application. According to the X-ray diffraction patterns, the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics had columbite structure of the $TiTe_3O_8$ phase and scheelite structure of the $CaWO_4$ phase. Increasing the sintering temperature, the bulk density, the dielectric constant and the quality factor of the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics were increased. In the case of the $0.6TiTe_3O_8-0.4CaWO_4$ ceramics sintered at $810^{\circ}C$, the bulk density, the dielectric constant and the quality factor were 5.72$g/cm^2$, 33.6, 22,013GHz respectively.

• 한국결정학회:학술대회논문집
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• 한국결정학회 2003년도 춘계학술연구발표회
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• pp.25-25
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• 2003

BaTi₄O/sub 9/계 세라믹스에 저온 소결 조제로 첨가된 lithium-borosilicate계 유리 프리트의 첨가에 따른 상분해 현상을 XRD, TEM에 의하여 분석하였다. 유리 프리트의 첨가가 없는 BaTi₄O/sub 9/계 세라믹스는 첨가량과 열처리 온도에 관계없이 BaTi₄O/sub 9/상과 소량의 TiO₂상만이 관찰되었으나 저온 소결 조제로 사용된 유리 프리트의 첨가량이 증가할수록 BaTi₄O/sub 9/계 세라믹스는 BaTi₄O/sub 9/상 보다 Ti-rich상인 Ba₂Ti/sub 9/O/sub 20/상, BaTi/sub 5/O/sub 11/상, 또는 BaTi/sub 5/O/sub 11/상과 Ba₄Ti₃O/sub 30/상으로 공존하며 분해되는 것을 관찰하였다. 공존하며 분해되는 것을 관찰하였다. 유리 프리트가 10 wt% 첨가시 600℃ 까지는 BaTi₄O/sub 9/상과 TiO₂상으로 존재하였으나 700℃ 전후에서 BaTi/sub 5/O/sub 11/상과 Ba₄Ti/sub 13/O/sub 30/상으로 분해되기 시작하여 875℃에서는 BaTi₄O/sub 9/상이 완전히 분해되어 BaTi/sub 5/O/sub 11/상이 주상으로 Ba₄Ti/sub 13/O/sub 30/상은 이차상으로 존재하는 것을 확인하였다. 또한, 열처리 온도가 증가할수록 Ba₄Ti/sub 13/O/sub 30/상이 상대적으로 감소하고 있는 것도 관찰할 수 있었다.