• Journal of Welding and Joining
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• 제16권2호
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• pp.93-99
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• 1998

The effects of welding conditions of gas metal arc welding on the elements loss of solid wire, oxygen content and impact toughness of weld metals were studied. Deoxidizing elements loss was increased with increase of arc voltage in both short-circuit transfer mode and globular transfer mode. It is believed that increase of arc voltage results in increase of reaction time between elements in the droplet and surrounding gas at the end of wire and in the arc column. Based on the thermodynamic equilibrium model, the oxygen content of weld metal can be predicted with the content of silicon and manganese as following : [%O] = $K([%Si][%Mn])^{-0.25}$, K = -15518/T+6.01. The equilibrium temperature was dependent on shielding gas, and it was 187$0^{\circ}C$ for $CO_2$ gas and 180$0^{\circ}C$ for 20%$CO_2$-80%Ar gas. The oxygen content of weld metal which shows maximum impact toughness was varied with deoxidizing alloy system of wires, 0.041 wt% for Si-Mn type wire and 0.026 wt% for Si-Mn-Ti type wire.

• 멤브레인
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• 제28권3호
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• pp.143-156
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• 2018

본 총설은 다양한 저널 게재 논문으로부터 분리막 및 광촉매의 혼성 정수/하수 처리 공정을 요약하였다. 이 총설에는 (1) 분리막 광촉매 반응기(membrane photoreactor, MPR), (2) 분리막 결합 광촉매 공정에서 막오염 관리, (3) 유기 오염물의 분해를 위한 광촉매 분리막 반응기, (4) 정수처리용 막분리 공정과 광촉매 분해의 결합, (5) 휴믹산 분해를 위한 광촉매 및 세라믹 막여과의 혼성공정, (6) 활성슬러지 여과를 위한 한외여과의 막오염에 이산화티타늄 나노입자의 영향, (7) 정수처리용 광촉매 및 정밀여과의 혼성시스템, (8) 선박 평형수 처리용 한외여과 및 광촉매의 혼성공정 및 (9) 분리막 및 광촉매 코팅 프로필렌 구의 혼성수처리 공정이 포함되어 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.171-171
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• 2007

Dysprosium-doped bismuth titanate (BDT) thin films were successfully deposited on Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrates by liquid delivery MOCVD process and their structural and ferroelectric properties were characterized. Fabricated BDT thin films were found to be random orientations, which were confirmed by X-ray diffraction experiment and scanning electron microscope analysis. The crystallinity of the BDT films was improved and the average grain size increased as the crystallization temperature increased from 600 to $720^{\circ}C$ at an interval of $40^{\circ}C$. The BDT thin film annealed at $720^{\circ}C$ showed a large remanent polarization (2Pr) of $52.27\;{\mu}C/cm^2$ at an applied voltage of 5V. The BDT thin film exhibits a good fatigue resistance up to $1.0{\times}10^{11}$ switching cycles at a frequency of 1 MHz with applied pulse of ${\pm}5\;V$. These results indicate that the randomly oriented BDT thin film is a promising candidate among ferroelectric materials useti비 in lead-free nonvolatile ferroelectric random access memory applications.

• 토지주택연구
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• 제13권2호
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• pp.117-123
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• 2022

본 연구는 대표적인 미세먼지와 실내유해물질인 질소산화물의 저감을 위해 이산화티탄 광촉매를 환기장치에 적용한 것으로 그 내용은 다음과 같다. 기존 연구는 실내에 자외선 적용의 한계로 인해 주로 건축자재에 광촉매 혼입을 통해 실외 자재를 대상으로 진행되었다. 자외선 실내 적용 한계를 극복하고자 기존 선행연구를 통해 확인된 이산화티탄 광촉매의 오염물질 분해 효과를 실내에 적용이 가능하도록 자외선램프의 설치가 가능한 반응장치를 설계 및 제작하였다. 해당 반응장치를 실내 환기장치에 적용하여 Mock-Up에 적용하였다. Mock-Up 실험은 그 체적을 시간당 1회, 5회 환기하는 풍량을 변화시켜 NOx 저감 성능을 확인하였다. 그 결과, 환기 풍량이 증가함에 따라 NOx 저감시간이 비례하여 감소되어 그 성능이 증가하는 것을 확인하였다. 해당 연구를 통해 오염물질 저감 효과를 가진 이산화티탄 광촉매의 실내 활용 방안과 그 성능을 확인할 수 있는 기초적인 연구 결과를 도출하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제29권2호
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• pp.71-76
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• 2019

자동화 시스템이 일반화되면서 제품 관리를 위한 라벨지(label)의 수요는 증가하고 있으며, 다양한 환경에서 사용할 수 있는 기능성 라벨지 개발이 빠르게 진행되고 있다. 인쇄회로기판의 경우 제작 과정에서 $300^{\circ}C$ 이상의 리플로우 솔더링 공정과 여러 차례의 세정 공정을 거치기 때문에 열적 화학적 안정성을 갖는 바코드 라벨지(barcode label)가 사용되고 있으나 황변(yellowing) 현상 발생으로 인한 인식률 저하의 문제가 발생하고 있다. 본 연구에서는 실리카 무기 바인더와 이산화티탄 백색안료를 사용한 복합 코팅층을 개발하고, 열적 화학적 안정성을 확보한 기능성 라벨지 연구를 진행하였다. 졸-겔 공정으로 제조한 실리카 무기 바인더는 기재(substrate)로 사용하는 폴리이미드 필름과 우수한 밀착성과 내마모성 특성을 갖는 것으로 확인하였다. 또한 이산화티탄 백색안료와 혼합하여 폴리이미드 필름에 백색의 코팅층을 제조할 수 있었으며, 복합 코팅층은 $400^{\circ}C$ 이상의 고온에서도 우수한 백색도와 광택도를 특성을 유지하는 것을 알 수 있었다. 또한 산성(pH 1.6)과 염기성(pH 13.6) 세정제를 통한 화학 처리 후에도 백색도와 광택도 변화가 일어나지 않는 우수한 화학적 안정성을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.193-193
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• 2012

In thin film silicon solar cells, p-i-n structure is adopted instead of p/n junction structure as in wafer-based Si solar cells. PECVD is the most widely used thin film deposition process for a-Si:H or ${\mu}c$-Si:H solar cells. Single-chamber PECVD system for a-Si:H solar cell manufacturing has the advantage of lower initial investment and maintenance cost for the equipment. However, in single-chamber PECVD system, doped and intrinsic layers are deposited in one plasma chamber, which inevitably impedes sharp dopant profiles at the interfaces due to the contamination from previous deposition process. The cross-contamination between layers is a serious drawback of single-chamber PECVD system. In this study, a new plasma process to solve the cross-contamination problem in a single-chamber PECVD system was suggested. In order to remove the deposited B inside of the plasma chamber during p-layer deposition, a high RF power was applied right after p-layer deposition with SiH4 gas off, which is then followed by i-layer, n-layer, and Ag top-electrode deposition without vacuum break. In addition to the p-i interface control, various interface control techniques such as FTO-glass pre-annealing in O2 environment to further reduce sheet resistance of FTO-glass, thin layer of TiO2 deposition to prevent H2 plasma reduction of FTO layer, and hydrogen plasma treatment prior to n-layer deposition, etc. were developed. The best initial solar cell efficiency using single-chamber PECVD system of 10.5% for test cell area of 0.2 $cm^2$ could be achieved by adopting various interface control methods.

• 한국철학논집
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• 제57호
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• pp.57-90
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• 2018

본 논의에서는 주대(周代) 묘수제(廟數制)의 존재 여부를 확인하기 위한 방편으로 "춘추"의 기록 속에 나타나는 '묘'와 '궁'에 대한 집중적인 고찰을 시도하였다. 경문 내용이 구체적이지 않은 부분들은 "좌전"의 글과 기타자료들을 통해 사건의 맥락을 확인하였다. "춘추" 경문에서의 '묘(廟)'자의 쓰임 사례에서 주목할 만한 사항으로는 다음과 같다. 노나라의 태묘에서는 범국가적인 행사[事]와 제왕의 정치적인 제사 의례인 체(?) 의례를 이행하였고, 또 그와 같은 의례에 쓰이는 화려한 예기(禮器)를 구비하였다. 당대 군주의 종묘에서는 조정 의례인 조(朝)의례를 이행하였다. '궁(宮)'자의 쓰임 사례는 다음과 같다. 군주 개인의 가족이 기거했던 궁에서 그를 위한 가족 제사를 이행하였다. 노나라 삼환씨(三桓氏)의 정치적 거점이라 할 수 있는 환궁(桓宮)을 화려하게 장식한 기록이 눈에 띈다. 희공(僖公) 재위 시에 있었던 서궁(西宮)과 성공(成公) 3년에 화재로 소실된 신궁(新宮) 등은, 그것이 예궁(?宮)일 것이라는 한대 이후에 형성된 관점과는 달리, 양공(襄公)이 좋아했던 초궁(楚宮)과도 같은 군주의 또 다른 집이었을 것으로 추정한다. '무궁을 세우고'[立武宮] '양궁을 세웠다'[立煬宮]고 하는 기록은, 어떠한 건축물에 '무(武)'와 '양(煬)'이라고 하는 상징성을 부여해 설립하여 제후가 그곳의 위(位)에 서는 행사가 이어진 것임을 논하였다. 따라서 이것은 무공(武公)이나 양공(煬公) 등의 선군을 위한 당대 군주의 효성스러운 제사 이행이 주된 목적이 아니라, 그 의례를 통해 얻는 특정의 정치적 상징성을 드러내고자 한 것이었다. 이러한 상징성은 환궁(桓宮)과 희궁(僖宮)에서 가장 극명하게 나타난다. 결과적으로, 경문에서의 모든 묘와 궁들은 일정 부분 사당(祠堂)의 기능이 있긴 하지만, '천자7묘'나 '제후5묘'라는 묘수제의 규정에 맞추기 위해 사당으로서 조성한 건축물이 결코 아니었음을 확인하였다.

• 한국광물학회지
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• 제18권4호통권46호
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• pp.277-288
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• 2005

함수유리질 암석인 진주암은 장기지역의 제3기 마이오세 화성쇄설성 퇴적층인 범곡리층군의 하부에서 산출된다. 진주암은 대개 그 하위의 장기층군과의 부정합면을 따라 단속적으로 분포하고, 시공간적으로 유문데사이트, 부석질 용결응회암과 밀접한 접촉 및 성인적 관계를 보이며 층상으로 산출된다. 이 진주암은 전형적인 진주암과 비교해 반정과 암편을 많이 함유하는 것이 특징이며 화학 조성상 낮은 $SiO_{2}$ 함유 수준($63.2\∼66.4\;wt\%$)을 이룬다. 반면에 함수량에 있어서는 진주암보다는 송지암에 가까운 함유 수준($3.2\∼7.8\;wt.\%$)을 나타낸다. 이 진주암과 그 주변의 화산암류 및 화성쇄설성 암석들 사이의 암석기재학적 특징들을 비교해 본 결과, 부석질 용결응회암과 유문데사이트가 진주암의 원암일 개연성을 지시하는 것으로 나타난다. 진주암과 그 원암들의 희유 및 희토류 원소들의 조성비(Zr/$TiO_{2}$ 대비 Nb/Y)와 야외에서의 산출상태는 이러한 해석을 뒷받침하며, 특히 진주암 내에 남아있는 기공 조직은 화산유리뿐만 아니라 부석 암편도 진주암질 유리의 주요 원물질이었을 것이라는 점을 강하게 지시한다. 이 진주암은 호소 환경에서 형성된 망해산층의 퇴적 단계에서 물과 암석 간에 완만하게 진행된 수화$\cdot$변질 형식의 속성작용에 의해서 생성된 것으로 여겨진다. 진주암화 과정 동안에 $SiO_{2}$와 알칼리는 일률적으로 감소하는 경향을 나타낸다. 이 진주암은 속성작용에 의해서 2차적으로 형성되었고 횡적 연장성도 결여되기 때문에, 이 암층에 의거한 기존의 범곡리층군의 층서 체계는 수정되어야 할 것이다.실험을 할 때 생후 2${\~}$3주령이 가장 적합한 시기임을 확인하였다. 것이 바람직하다고 판단되었다.의한 발아촉진 효과는 종피의 탈색과 부식으로 인한 광흡수의 증대에서 기인되는 것으로 추측된다.3월 8일과 3월 15일 피복처리구의 그린업이 가장 효과적이었다. 한국잔디 및 한지형 잔디의 비닐 피복으로 인한 초봄 그린업 촉진시 유의할 점은 충분한 수분 유지를 위해 비닐 피복전에 관수를 하거나 비온 후에 비닐 피복하는 것이 좋으며, 비닐 제거시 잔디의 일소현상의 피해를 줄이기 위해 흐린날 비닐을 제거하는 것이 좋을 것으로 판단되었다.유발식이 급여로 $524\%$가 증가된 동맥경화지수는 질경이 에틸아세테이트 분획 병합투여로 대조군에 비하여 $40.2\%,\;51.2\%$가 감소됨으로써 동맥경화 발병 위험율이 대조군에 비하여 감소되었다. HDL-콜레스테롤 함량/총콜레스테롤 함량 비는 고콜레스테롤혈증 유발 식이 급여로 정상군보다 $73.9\%$가 감소됐으나 질경이 에틸아세테이트 분획 병합투여로 대조군에 비하여 유의한 증가를 나타냈다. 26두가 발정 반응($96.3\%$)을 나타내어 2.75${\~}$3.5의 경우가 2.50 이하의 경우에 비하여 높은 발정반응을 나타내었다.osterone과 0.40의 정의 상관이었고 근내지방도와 creatinine 농도간에는 -0.55의 비교적 높은 음의 상관계수가 추정되었으나 유의성은 인정되지 않았다. 6. 한우 비거세우의 도살시 혈청 성분 농도와 도체형질과의 상관에서 육량지수는 연령에 대해 보정한 HDLC 농도와 -0.71의 음의 상관이었으며, 도체율은 globulin과 0.70의 높은 정의 상관이었고,

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.965-968
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• 2004

Effective transverse Piezoelectric Coefficients $(e_{31,f})$ of thick PZT $(Pb(Zr_{0.52}Ti{0.48}Ti_{0.48})O_3)$ films on $SiN_x/Si$ substrates were measured with PZT thicknesses and top electrode dimensions. $e_{31,f}$ is one of important Parameters characterizing Piezoelectricity of PZT films. Thick PZT films have been used as various sensors and actuators because of their high driving force and high breakdown voltage. Thick PZT films were fabricated on Pt/Ta/$SiN_x$/Si substrates using sol-gel method. Thicknesses of PZT films were $1{\mu}m$ and $1.8{\mu}m$. $|e_{31,f}|$ values of $1.8{\mu}m$-thick-PZT films were higher than those of $1{\mu}$-thick-PZT films. Maximum $|e_{31,f}|$ of $1.8{\mu}$-thick-PZT films was about $50^{\circ}C/m^2$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.400-403
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• 2003

Etching characteristics of (Pb,Sr)$TiO_3$(PST) thin films were investigated using inductively coupled chlorine based plasma system as functions of gas mixing ratio, RF power and DC bias voltage. It was found that increasing of Ar content in gas mixture lead to sufficient increasing of etch rate and selectivity of PST to Pt. The maximum etch rate of PST film is $562\;{\AA}$/min and the selectivity of PST film to Pt is 0.8 at $Cl_2/(Cl_2+Ar)$ of 20 %. It was proposed that sputter etching is dominant etching mechanism while the contribution of chemical reaction is relatively low due to low volatility of etching products.