An optical switch/modulator is designed and the light propagating characteristics is analyzed by the simplified BPM. The distinctive feature of the switch/modulator is that all the waveguide branches are designed to be single-mode. Principle of the device is based on the coupled mode theory in the Y-junction interconnecting waveguide. In spite of all the waveguides are designed to be single-mode, adjusting the interconnecting waveguide length of the device, the same characteristics as existing device up to date is obtainable. Numerical results show that the switching characteristics periodically depends on the interconnecting waveguide length with a spatial of about 150${\mu}m$ in the Ti:LiNbO3 step index waveguide. The concept of design would be utilized effectively in fabricating the monolithic high density of optical integrated circuit.
An optical modulator with CPW(coplanar waveguide) electode on Ti:LiNbO$_{3}$ optical waveguide wasfabricated and characterized. The electrical-optical bandwidth measurement showed an optical response of -3dBat 10 GHzand S$_{11}$ lessthan -10dB upto 20GHz. The typeical specifications are : 5.6V of driving voltage, 4.2dB of insertion loss and 30dB of on/off extinction. The eye pattern proved that the optical meduator, fabricated in this work, has properties good enough for application.
The characteristics of optical waeguides and IDT electrodes fabricated for acousto-optic tunable filters (AOTE) used for optical communications were analyzed. A $Ti:LiNbO_3$ in-diffusion method was employed for the formation of the optical waveguide with a dimension of width $8\mu\textrm{m}$, length $30000\mu\textrm{m}$, and thickness $1150{\AA}$. The diffusion was carried at $1050^{\circ}C$ for 8 houss to pattern the optical waveguide with Ti. The resulted waveguide exhibited a single mode at a 1550nm wavelength range and its propagation loss was less than 0.5dB/cm. The width of IDT, with 10 SAW periods, was $5000\mu\textrm{m}$, S11 reflection characteristics and impedances of th eelectrodes deposited with Au were analyzed using a network analyzer; $48.1\Omega$ at th ecenter frquency of 193MHz for Au deposition thickness of $1500{\AA}$ and $50.7\Omega$ at the center frequency of 192MHz for au deposition thickness of $1600{\AA}$.
We proposed an optical modulator of reflective type to compose the electric field sensor, and theoretically analyzed the performance and characteristics. For the high sensitivity of the sensor, a method to improve the modulation index of the modulator was presented. The electric field sensor using Ti:LiNbO$_{3}$ waveguide was fabricated and qualitatively investigated the characteristics by measuring the low frequency electric field. Even though the sensor showed relatively low modulation index, the electric filed strength of 10$^{-2}$V/m was measured. The experimental results revealed the utilities of this type electric field sensor.
고전압 펄스를 인가시켜서 주기적으로 도메인을 반전시키는 공정을 검토하였으며, 이를 적용해서 제작된 Ti 확산 리튬나오베이트 채널광도파로(Ti:PPLN) 기반의 의사 위상정합 2차 조화파 발생을 체계적으로 측정하였다. 2차 조화파 발생을 위해서 $16.6{\mu}m$ 분극 주기와 49 mm 길이의 Ti:PPLN 채널광도파로를 제작하였으며, 473(%/W) 변환효율이 측정되었다.
방향성 결합 구조의 음향파 도파로를 이용한 편광모드 변환형 파장가변 광 필터를 LiNbO$_3$ 와 Ti 이중 확산 공정기술을 이용하여 제작하였다. 균일 결합구조형 AOTF의 부모드의 크기를 두 음향파 도파로의 방향성 결합형 가중 결합 원리를 이용하여 8 dBwjd도 추가적으로 억제시킬 수 있었다. 1551.6mm 파장의 TE, TM 입사 편광모드와 173.58MHz, 17.78mW RF 구동신호각각에 대해서 -12.68dB 부모드 억압과 90% 변환효율이 측정되었다. 파장변화율과 통과 대역폭은 각각 8.86nm/ MHz, 1.7nm로 측정되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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