• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1885-1887
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• 1999

본 연구에서는 $BaTiO_3$를 기본조성으로하는 반도성 세라믹스인 PTC 써미스터에 $Nb_2O_5$을 미량 첨가하여 미세구조 및 PTCR의 전기적 특성에 대해서 연구하였다. 또한 복소 임피던스 측정을 통하여 $Nb_2O_5$ 첨가에 따른 grain, grain boundary 저항변화에 대해서도 고찰하였다. $(Ba_{0.9}Sr_{0.05}Ca_{0.05})TiO_3-0.01SiO_2-0.001MnCO_3$를 기본조성으로 하여 $Nb_2O_5$ 첨가량을 $0.15{\sim}0.2mol%$까지 변화시켰으며 소결조건은 소결온도 $1350^{\circ}C$, 2h 유지하였으며 냉각속도는 $100^{\circ}C/h$로 하였다 첨가된 Nb의 양이 증가할수록 grain의 크기는 점차로 작아졌으며 상온저항과 peak 저항이 함께 증가하였다. 0.15mol% 첨가된 시편의 경우 상온저항은 $19[\Omega]$이었으며 peak 저항은 $5{\times}10^6[{\Omega}]$정도가 되었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제5권4호
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• pp.5-9
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• 2006

The SCT thin films are deposited on Pt-coated electrode($Pt/TiN/SiO_2/Si$) using RF sputtering method with Sr/Ca ratio. The maximum grain of thin films is obtained by ratio of Ca at 15 mol%. The dielectric constant was increased with increasing the ratio of Ca, while it was decreased if the ratio of Ca exceeded over 15 mol%. The dielectric constant changes almost linearly in temperature ranges of $-80{\sim}+90$. All SCT thin films used in this study show the phenomena of dielectric relaxation with the increase of frequency, and the relaxation frequency is observed above 200 kHz. The current-voltage characteristics of SCT thin films showed the increasing leakage current as the measuring temperature increases.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권1호
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• pp.267-270
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• 2013

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권1호
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• pp.7-15
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• 2004

The ferroelectric SBT thin films as a material of capacitors for non-volatile FRAMs have some problems that its remanent polarization value is relatively low and the crystallization temperature is quite high abovc 80$0^{\circ}C$. Therefore, in this paper, SBTN solution with S $r_{0.9}$B $i_{2.1}$T $a_{1.8}$N $b_{0.2}$$O_{9}$ composition was synthesized by sol-gel method. Sr(O $C_2$ $H_{5}$)$_2$, Bi(TMHD)$_3$, Ta(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$and Nb(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$ were used as precursors, which were dissolved in 2-methoxyethanol. SBTN thin films with 200 nm thickness were deposited on Pt/Ti $O_2$/ $SiO_2$/Si substrates by spin-coating. UV-irradiation in a power of 200 W for 10 min and rapid thermal annealing in a 5-Torr-oxygen ambient at 76$0^{\circ}C$ for 60 sec were used to promote crystallization. The films were well crystallized and fine-grained after annealing at $650^{\circ}C$ in oxygen ambient. The electrical characteristics of 2Pr=11.94 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$, Ps＋/Pr＋=0.54 at the applied voltage of 5 V were obtained for a 200-nm-thick SBTN films. This results show that 2Pr values of the UV irradiated and rapid thermal annealed SBTN thin films at the applied voltage of 5 V were about 57% higher than those of no additional processed SBTN thin films. thin films.lms.s.s.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.111-115
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• 2003

200nm 정도의 두께를 가진 SBT 박막이 liquid delivery MOCVD 공정에 의해 (111) oriented Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 증착되었다 이 실험에서는 $Sr(TMHD)_2$tetraglyme, $Bi(ph)_3$ 그리고 $Ta(O^iPr)_4$(TMHD)를 출발 물질로 사용하였다. Sr 출발 물질의 열적 안정화를 위해서 adduct로 tetraglyme를 사용하여 실험하였고 유기 용매로는 n-butyl acetate를 사용하였다 Substrate temperature와 reactor pressure는 각각 $570^{\circ}C$와 5Torr로 유지시켰다. 또한 vaporizer의 용도는 $190-200^{\circ}C$, 그리고 delivery line 의 온도는 vaporizer 보다 높게 유지 $(220-230^{\circ}C)$하여 출발 용액을 분당 0.1ml로 50분간 주입하였다. 수송가스로 Ar, 산화제로 $O_2$ 가스를 사용하였다. 제조한 SBT 박막은 $750^{\circ}C$에서 열처리한 후 인가전압 3V와 5V에서 $2P_r$값이 각각 6.47, $8.98{\mu}C/cm^2$이었으며, $2E_c$값은 인가전압 3V와 5V에서 각각 2.05, 2.31V이었다 그리고 $800^{\circ}C$에서는$750^{\circ}C$에서 열처리한 SBT 박막보다 다소 우수한 이력특성을 나타내어 $2P_r$ 값은 인가전압 3V와 5V에서 각각 7.59, $10.18{\mu}C/cm^2$ 이었으며, $2E_c$값은 인가 전압 3V와 5V에서 각각 2.00, 2.21V 이었다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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• pp.256-257
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• 2000

유전체 덮개층을 이용한 impurity free vacancy disordering (IFVD) 기술에 의한 양자우물구조의 밴드갭 조절기술은 양자우물을 갖는 광소자의 제작 및 광소자들의 한판 집적에 광범위하게 적용되어 왔다$^{(1-3)}$ . IFVD 기술의 핵심은 유전체 덮개층의 종류 및 그 특성을 적절히 조절함으로써 양자우물의 밴드갭 및 굴절율을 양자우물 기판상에서 공간적으로 조절하는 기술에 있다. 이러한 목적을 위해 SiN$_{x}$ , SiO$_2$, SrF$_2$ 및 WN$_{x}$ 와 같은 많은 유전체 덮개층에 관한 실험들이 진행되었다 $^{(1-6)}$ . (중략)

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1501-1503
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• 1999

The $(Sr_{0.85}Ca_{0.15})TiO_3$(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode$(Pt/TiO_2/SiO_2/Si)$ using RF sputtering method. Ag, Cu, Al, Pt films for the formation of top eletrode were doposited on SCT thin films by thermal evaporator and sputtering. The effects of top electodes have be studied on SCT samples with a variety of top electrode materials.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권1호
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• pp.15-20
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• 2003

NiCr alloys are prepared onto poly-Si/ $SiO_2$/Si substrates to replace Pt bottom electrode with a new one for integration of high dielectric constant materials. Alloys deposited at Ni and Cr power of 40 and 40 W showed optimum properties in the composition of N $i_{1.6}$C $r_{1.0}$. The grain size of films increases with increasing deposition temperature. The films deposited at 50$0^{\circ}C$ showed a severe agglomeration due to homogeneous nucleation. The NiCr alloys from the rms roughness and resistivity data showed a thermal stability independent of increasing annealing temperature. The 80 nm thick BST films deposited onto N $i_{1.6}$C $r_{1.0}$/poly-Si showed a dielectric constant of 280 and a dissipation factor of about 5 % at 100 kHz. The leakage current density of as-deposited BST films was about 5$\times$10$^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$ at an applied voltage of 1 V. The NiCr alloys are possible to replace Pt bottom electrode with new one to integrate f3r high dielectric constant materials.terials.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권7호
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• pp.473-478
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• 2001

강유전 물질인 Pb/sub 0.99/［(Zr/sub 0/6Sn/sub 0.4/)/0.9/Ti/sub 0.1/］0.98/Nb/sub 0.02/O₃(PNZST) 박막을 10 mole%의 과잉 PbO가 첨가된 타겟을 이용하여 La/sub 0.5/Sr/sub 0.5/CoO₃(LSCO)/Pt/Ti/SiO₂/Si 기판상에 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착하였다. 증착된 박막에 대하여 온도와 시간을 다양하게 변화시키면서 급속 열처리(rapid thermal annealing) 한 후, 그 결정성과 전기적 특성을 조사하였다. 80 W의 RF 전력, 500 ℃의 기판온도에서 증착한 후, 급속 열처리된 박막이 페로브스카이트상으로 결정화되었으며, 650 ℃, 공기중에서 10초동안 급속 열처리된 박막이 가장 우수한 결정성을 나타내었다. 이러한 박막으로 제작된 PNZST 커패시터는 약 20 μC/㎠정도의 잔류 분극과 약 50 kV/cm 정도의 항전계를 나타내었으며, 2.2×10/sup 9/의 스위칭 후에도 잔류분극의 감소는 10 %미만이었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.589-592
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• 2002

The $Sr_{0.7}Bi_{2.3}Ta_2O_9$(SBT) thin films are deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiO2/SiO2/Si) using RF magnetron sputtering method. The structural and electric properties of SBT capacitors were influenced with annealing atmosphere. In the XRD pattern, the SBT thin films in all annealing atmosphere had (105) orientation. In the SEM images, Bi-layered perovskite phase was crystallized in all annealing atmosphere and grains largely grew in oxygen annealing atmosphere. The maximum remanent polarization and the coercive electric field in oxygen annealing atmosphere are $12.40{\mu}C/cm^2$ and 48kV/cm respectively. The dielectric constant and leakage current density annealing in oxygen atmosphere are 340 and $6.81{\times}10^{-10}A/cm^2$ respectively. The fatigue characteristics of SBT capacitors did not change up to $10^{10}$ switching cycles.