• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.114.1-114.1
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• 2010

Fe계 촉매는 FT(Fischer-Tropsch) 합성반응에 매우 유망한 촉매로 주목받고 있으며, $280^{\circ}C$ 미만의 저온 FT 합성반응의 경우, 침전법이 Fe계 촉매의 가장 전형적인 제조방법으로 알려져 있다. Fe계 촉매에 첨가되는 조촉매로는 Cu, K, $SiO_2$ 등이 가장 대표적이며, 이 중에서 특히 구조 조촉매로 첨가되는 $SiO_2$는 Fe계 촉매의 기계적 강도를 향상시킬 뿐만 아니라, 촉매의 성능에도 크게 영향을 미치는 것으로 보고되고 있다. 본 연구에서는 침전법을 이용하여 저온 FT 합성반응용 Fe계 촉매를 제조하였고, 구조 조촉매로 첨가한 $SiO_2$의 원료물질에 따른 Fe계 촉매의 성능변화를 조사하였다. $SiO_2$의 원료물질로는 콜로이드 $SiO_2$와 분말 $SiO_2$를 이용하였으며, 분말 $SiO_2$를 이용한 촉매가 콜로이드 $SiO_2$를 이용한 촉매보다 다소 높은 CO 전환율 및 중질탄화수소 선택도를 나타내는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07a
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• pp.134-137
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• 2004

새로운 리튬 2차전지용 양극활물질인 Li[NiMnCo]O2를 간단히 합성할 수 있는 방법과 Si의 doping에 의해 그 특성을 향상하였다. 원하는 당량비의 Li, Ni, Co, Mn의 nitrate를 고순도의 에탄올에 용해하고 여기에 Si의 원료물질로서 poly(methyl phenyl siloxane)을 원하는 양(전체 전이금속 이온의 $2{\sim}10\;mol%$)만큼 첨가한 후 약 30분 정도 교반하였다. 이 용액을 약 $70{\sim}80^{\circ}C$ 정도의 온도에서 고점도의 진흙 상태가 될 정도로 가열하고 $450{\sim}500^{\circ}C$의 온도에서 약 5시간 정도 열처리 하여 유기물이 없는 상태의 전구체를 제조하였다. 이 전구체를 분말형태로 분쇄하고 $600{\sim}650^{\circ}C$ 정도의 온도에서 3시간, $900{\sim}950^{\circ}C$ 정도의 온도에서 5시간 연속적으로 열처리 하여 최종 활물질을 제조하였다. 이렇게 제조된 활물질은 175mAh/g 정도의 높은 비용량을 나타내었으며 4.5V 충전 조건에도 우수한 수명특성을 나타내었다. Si이 doping되지 않은 활물질에 비해 Si이 doping된 물질은 율특성, 수명특성에서 보다 우수한 특성을 나타내었는데 이것은 층상구조 활물질의 격자상수 증가와 impedance 증가 억제에 기인한 것으로 분석되었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.9 no.1
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• pp.34-38
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• 1999

$PbTiO_3$(PT)thin films were prepared by simultaneous of $TiO_2$ and PbO on Si(100) substrate using metaloganic chemical vapor deposition (MOCVD). Titanium tetra-isopropoxide (TTIP) and $Pb(TMHD)_2$were used as source materials. As evaporation temperature and flow rate of TTIP were examined the crystal structure of PT thin films using XRD with setting deposition temperature, flow rate of Pb, and total flow rate of $520^{\circ}C$, 30 sccm, and 750 sccm, respectively. PT thin films could be deposited under 48~$50^{\circ}C$ and 18~22sccm of evaporation temperature and flow rate of TTIP, respectively. It was found that lead, oxygen, and silicon diffused at the iaterface between the film and the substrate.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.415-415
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• 2012

ICP (RF) 열 플라즈마 분말 합성법은 초고온 열플라즈마(~10,000 K) 속으로 원료물질을 투입한 뒤, 용융, 기화 및 재합성의 과정을 거쳐 초미분(<1 ${\mu}s$)을 합성하는 방법으로 고출력 시스템의 경우 고온/고 엔탈피 열 유동을 통한 고융점 및 저융점 복합물질의 동시 기화에 의한 물질 조성이 제어된 나노 복합체의 대량 합성이 가능할 것으로 기대되고 있다. 본 연구에서는 전북대학교 고온플라즈마 응용연구센터의 60&200 kW의 고출력 ICP (RF) 열 플라즈마 시스템을 이용하여 LTO (Lithium Titanium Oxide)와 IZTO (Indium Zinc Tin Oxide), Barium Borosilicate Glass (K2O-BaO-B2O3-SiO2)의 다성분계 나노 복합체를 합성하였으며, FE-SEM, TEM, XRD, ICP-OES를 이용하여 그 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1995.05a
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• pp.812-817
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• 1995

세슘의 고정화재료로서 Si/Al의 몰비가 약 2인 석탄화력발전소 산업폐기물인 fly ash와 CsNO$_3$의 반응이 열중량 분석기, 시차 열분석기 및 X-ray 회절분석기를 이용하여 공기분위기에서 수행되었다. X-ray 회절 분석결과 fly ash는 mullite와 quartz로 되어 있었고, fly ash와 세슘과의 반응물인 pollucite(CsAlSi$_2$O$_{6}$)의 생성이 확인되었다. 따라서 기상의 세슘화합물을 효과적으로 제거하기 위한 포집제의 원료물질로서 fly ash의 이용 가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2003.12a
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• pp.86-88
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• 2003

Gate 산화막을 high-k 물질인 $HfO_2$ 박막을 이용하여 N-type MOS field effect transistor를 제작하였다. 전극은 poly-Si 전극을 사용하였다. Gate 산화막은 ALD 로 $Hf(N(CH_3)_2)_4$ 원료를 이용하여 $HfO_2$ 박막을 형성하였다. 산화제는 $H_{2}O$ 와 $O_3$ 를 사용하였는데, $H_{2}O$ 가 약간 우수하였으나 그 차이는 크지 않았다. $HfO_2$ 를 증착하기 전에 in-situ 로 $O_3$ 를 흘려 줌으로써 $SiO_2$를 얇게 형성하였는데, 이 결과 threshold voltage 가 약 0.2V 높아지고 saturation current 가 커지는 것이 관찰되었다. 이러한 결과는 $HfO_2$ 박막을 직접 channel 위에 증착하는 것보다 $O_3$ 를 이용 얇은 $SiO_2$ 를 형성하고 그 위에 $HfO_2$ 박막을 증착하는 방법이 transistor의 특성을 향상시키는 데 도움이 된다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.32 no.5
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• pp.626-634
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• 1995

The SiC-porcelain powder mixtures containing 51.9wt% SiC are produced as by-products from the surface abrasion process of porcelain cores. This raw powders were used as starting materials for the synthesis of SiC containing ceramics. The specimen, which was fired at 135$0^{\circ}C$ from raw powders, had SiC, $Al_{2}O_{3}$, , cristobalite, mullite as crystalline phases, and the fractured microstructure showed dispersed SiC crystalline particles almost wetted with glassy matrix and spherical pores. Although the oxidation of SiC containing powder compacts wetted with glassy matrix and spherical pores. Although the oxidation of SiC containing powder compacts started at the range of 600~80$0^{\circ}C$ form the analysis of weight gain, the presence of $SiO_{2}$ crystallien phase and cristobalite was confirmed at 100$0^{\circ}C$ by XRD analysis. Mullitization of specimens was accelerated by preheating before the final firing. The specimen sintered at 135$0^{\circ}C$ after 100$0^{\circ}C$ preheating consisted of SiC, cristobalite, mullite as crystalline phases, and revealed 2.24g/$cm^{3}$ bulk density, 11.73% water adsorption, porous microstructure with small amount of glassy phase. SiC contents of specimens, which was 51.9 wt% in the raw powders, reduced to 37~22 wt% after firing at 135$0^{\circ}C$ depending on the preheating condition.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.17 no.3
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• pp.267-275
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• 2004

A hydrothermal process was used to synthesize dioctahedral smectite from dickite [$A1_2$$Si_2$$O_{5}$ $(OH)_4$], Dickite was previously activated by heating at $800^{\circ}C$ far 4 hours with $Na_2$$CO_3$. After the heat-treatment, $SiO_2$ was added for stoichiometry, The autoclaving was carried out in closed stainless steel vessel (about 1 liter) at the condition of various temperature, pressure, time etc. High quality smectite could be obtaind by heating at $290^{\circ}C$ under the pressure of 60 kgf/$\textrm{cm}^2$ for 48 hours. This experiment reveals that pH of the solution was an important factor and should be maintained at 10 to 11 for the formation of dioctahedral smectite. The synthesized smectite was identified as Na-beidellite by the treatment of ethylene glycol and Greene-Kelly test.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.8 no.4
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• pp.589-594
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• 1997

Superconducting $YBa_2Cu_3O_y$ thin films were prepared at the deposition temperature of $650^{\circ}C$ under oxygen partial pressure of 0.0126 Torr on Si(111) and SrTiO3(100) substrates by chemical vapor deposition technique using $\beta$-diketonates of Y, Ba and Cu as source materials. The thin film fabricated on $SrTiO_3(100)$ had a $T_{c,onset}$ of 91K and $T_{c.0}$ of 87K. The thin film prepared on Si(111) had a $T_{c,onset}$ of 91K but didn't have a $T_{c.0}$ at liquid nitrogen boiling point(77.3K). Dense and two-dimensionally well alligned microstructure was developed for the film deposited on $SrTiO_3(100)$ substrate whereas a relatively porous and randomly distributed microstructure was developed for the film prepared on Si(111) substrate.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.29 no.6
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• pp.365-371
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• 2019

In this study, the flame temperature distribution of the diffusion flame burner for SiO₂ deposition was analyzed by the computational fluid analysis. This corresponds to the previous step for simulating the SiO₂ preform deposition process for manufacturing optical fibers using environmentally friendly raw materials. In order to model premixed combustion, heat flow, convection, and chemical reactions were considered, and Reynolds-averaged Navier-Stokes equations and k-ω models were used. As a result, the temperature distribution of the flame showed a tendency to increase the distance from the nozzle surface to the maximum temperature when the flow rate of the auxiliary oxygen increased. In addition, it was confirmed that the temperature distribution due to incomplete combustion was large in the combustion reaction with a large equivalence ratio of the mixed gas.