A transparent dielectric of the $PbO-B_2O_3-SiO_2-A1_2O_3$ system which was a low melting glass has been used for PDP (Plasma Display Panel), but it has a problem which is a reaction to be occurred between a transparent dielectric layer and electrodes (Ag, ITO) after firing. This research was conducted for ion migration of $Ag^+\$ and $Sn^ {2+}$ during firing three different frits of low melting glass. The result showed that yellowing phenomena occurred through a chemical reaction between $Ag^+\$and $Sn^ {2+}$ at 550~58$0^{\circ}C$ for 20~60 min. In addition, it was confirmed that the migration of $Sn^{2+}$ from ITO electrode made a strong effect on the yellowing phenomena.
PDP용 투명유전체 재료로 사용되는 $PbO-B_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$계의 소성과정 중에서 투명전극 (ITO)과의 반응성 및 광학적, 열적, 전기적 특성을 조사하였다. 본 연구에서 유전체막.두께는 12$\mu\textrm{m}$으로, 온도는 550-58$0^{\circ}C$에서 소성한 후 여러 물성을 평가하였다 그 결과로, 유전체와 투명전극(ITO)의 반용에서, In 이온이 유전체층으로 확산이동하였으며, Sn 확산은 거의 발생하지 않았다. 선팽창계수, 유전상수, 유리전이온도,광 투과율은 유전체 조성의 PbO 양에 큰 영향을 받았다. PbO양 증가는 선팽창계수와 유전상수를 증가시킨 반면, 유리전이온도와 광 투과율온 저하시켰다. $Al_2O_3/B_2O_3$ 비가 증가함에 따라서는 선팽창계수는 감소, 유전상수는 증가, 광 투과율은 감소하였으며, 유리 전이점 변화는 거의 나타나지 않았다.
본 연구에서는 $PbO-TiO_2-SiO_2-BaO-ZnO-Al_2O_3-CaO-B_2O_3-Bi_2O_3-MgO$계의 유리를 $1,400{\circ}C$에서 용융시킨 후, 급랭, 분쇄하여 glass frit을 제조하였다. Glass frit 분말을 일축가압성형한 후 $750~1,000{\circ}C$의 온도범위에서 2시간 동안 소성 및 결정화 하였다. Glass frit의 결정화는 $750{\circ}$ 전후의 온도에서 시작되었고, 저온에서의 주된 결정상은 $Al_2O_3$와 hexagonal celsian($BaAl_2Si_2O_8$)이었다. 소성온도가 높아지면서 monoclinic celsian, $ZnAl_2O_4,\;Zn_2SiO_4,\;CaTi(SiO_4)O,\;TiO_24 등이 주된 결정상으로 나타났고, 특히 celsian은 hexagonal에서 monoclinic으로 상전이가 발생하였다. 그리고 15wt%의 PbO를 첨가한 glass frit에만 $PbTiO_3-CaTiO_3$ 고용체가 나타났다. 1MHz 대역에서 유전특성을 살펴본 결과 유전상수는 11~16이었고, 유전손실은 0.020 미만이었다. 그러나 15wt%의 PbO를 첨가한 glass frit의 경우는 $PbTiO_3-CaTiO_3$ 고용체 결정상의 존재로 유전상수가 17~26으로 높았고, 유전손실은 0.010~0.015로서 다른 조성들에 비하여 우수한 특성을 나타내었다.
The electrical resistivity of the ceramic glaze coated on ceramic substrate plays an important role on the characteristics of the thick and thin film electrical circuits. In this study the effects of the various modifiers on the electrical resistivity were examined in SiO2-Al2O3-B2O3-RO-Na2O (RO=CaO , SrO, BaO, PbO) glass system. In alkali free glasses where divalent cations are responsible for electrical conduction the electrical conductivity of th glasses increased with the ionic size of divalent cations due to the decrease in the bond strength between oxyben and divalent cation. In Na2O containing glasses however where Na+ ion is responsible for electrical conduction the ionic conductivity decreased with the ionic size of divalent cations because the blocking effect of the cations on Na+ ion movement increased with larger divalent cations. Na+ ionic conduction also depended on the glass structure relaxation due to the corrdination number changes of B2O3 and Al2O3 which varied with the NaO2 content in the glass.
In thick film resistors, the characteristics of the frit and the reaction between glass frit and conductor material play an important role for their electrical properties. In this study, various glass frits in the system of $60RO{\cdot}20SiO_2$$15B_2O_3{\cdot}5Al_2O_3$(RO=PbO, ZnO, CdO; mole%) were mixed with $RuO_2$ and coated on 96% alumina substrate. Only the glass frit containing PbO was reacted with $RuO_2$in$RuO_{2+}$-thick film resistor and produced the new crystalline phase of $Pb_2Ru_2O_{65}$. Their electrical resistivities strongly depend on the amount of $Pb_2Ru_2O_{65}$ crystalline phase obtained, which varied with firing temperature. The sheet resistivities of these resistors were varied from $10^3\; to\; 10^6\;{\Omega}/{\Box}$ depending on heat treatment, and the absolute value of TCR was decreased as the heat treatment temperature increaed. However, $RuO_2$ did not reacted with the glass frits containing ZnO nor CdO, and the resulting showed very high sheet resistivities.
본 연구는 합성 모데나이트(Na6.6Al6.6Si41.4O96·20.4H2O, Na-MOR)를 이용한 다양한 중금속의 포획 연구를 하기 위한 기초 단계로, 고분해능 X-선 분말 회절을 이용하여 치환체의 격자상수 및 부피 변화를 이해하기 위한 목적으로 실험을 진행하였다. 열중량 분석법(Thermogravimetric analysis, TGA)으로 측정한 결과, 1가 양이온 치환체(Cs-MOR, Na-MOR)는 단위포 당 19.4, 20.4개의 물분자가 존재하였으며, 2가 양이온 치환체(Pb-MOR, Sr-MOR, Cd-MOR)는 단위포 당 21, 23.1, 23.2개가 존재하는 것을 확인하였다. 측정한 모든 물질은 사방정계에 속하는 Cmcm의 공간군을 가지는 것으로 확인할 수 있었다. 치환 전 물질인 Na-MOR과 비교했을 때, 치환체의 (110)면과 (200)면의 회절강도가 명확하게 변화하였으나, 전체적인 피크의 위치는 거의 유사하게 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 또한 Na-MOR에서는 확인이 되지 않았던 (220)면의 피크가 Pb-, Cd-, Sr-MOR에서 뚜렷하게 관찰되었다. 이를 통해서 양이온 치환에 따른 원자들의 분포 변화가 주로 ab-평면상에서 나타나지만, 격자상수의 변화는 미세할 것으로 짐작할 수 있었다. Whole profile fitting 방법을 사용하여 치환된 모데나이트의 미세한 격자상수의 변화를 관찰하였다. 치환체의 격자상수 및 격자부피의 변화는 치환된 양이온의 반경 및 전하수에 따라 서로 다른 경향성을 보였다. 1가 양이온의 경우, 이온반경이 증가할수록 a-축의 길이는 증가하지만, 반면에 b- 및 c-축의 길이는 감소하였다. 2가 양이온의 경우, 이온반경이 증가할수록 대체적으로 a-축의 길이가 감소하고, b- 및 c-축의 길이는 증가하였다. 격자부피는 1가 또는 2가 양이온 치환체들이 각각 독립된 경향성을 가지며, 이온반경에 따라 증가하는 것을 확인할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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