• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권10호
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• pp.991-1000
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• 1996

PbTiO$_{3}$-PbZrO$_{3}$-Pb(Ni$_{1}$3/Nb$_{2}$3/O$_{3}$) (PZT-PNN) thin films were prepared from corresponding metal organics partially stabilized with diethanolamine by the sol-gel spin coating method. Each mol ratio of PT:PZ:PNN solutions were #1(50:40:10), #2(50:30:20), #3(45:35:20), #4(40:40:20), #5(40:50:10), #6(35:45:20) and #7(30:50:20) respectively. The spin-coated PZT-PNN films were heat-treated at 350.deg. C for decomposition of residual organics, and were sintered from 450.deg. C to 750.deg. C for crystallization. The substrates, such as Pt and Pt/TiN/Ti/TiN/Si were used for the spin coating of PZT PNN films. The perovskite phase was observed in the PZT-PNN films heat-treated at 500.deg. C. The crystalline of the PZT-PNN films was optimized at the sintering of 700.deg. C. By the result of AES analysis, It is confirmed that the films of TiN/Ti/TiN was a good diffusion barrier and that co-diffusion into the each films was not observed.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제6권3호
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• pp.241-247
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• 1993

본 연구에서는 투광성 0.085Ba(L $a_{1}$2/N $b_{1}$2/) $O_{3}$- 0.915Pb(Z $r_{y}$ $Ti_{1-y}$) $O_{3}$(0.45.leq.y.leq.0.70)세라믹을 2단 소성법으로 제작한 후, PbZr $O_{3}$조성 및 온도에 따른 구조적, 강유전적특성을 측정하였다. XRD측정 결과, PbZr $O_{3}$조성이 감소할수록 결자상수 및 단위격자 체적은 감소하였으며 시편의 결정구조는 입방정계에서 능면체정계, 정방정계로 변화되었다. 8.5/60/40시편의 경우 포화분극, 잔류분극 및 항전계가 각각 33.28[.mu.C/$cm^{2}$], 4.15[kV/cm]로 전형적인 메모리 특성을 나타내었으며 PbZr $O_{3}$조성이 증가함에 따라 강유전 이력곡선은 slim loop특성을 나타내었다. 잔류분극은 온도가 증가함에 따라 감소하였으며 특히 PE-FE상경계 부근에 위치한 조성의 경우, 상전이 온도 이하의 온도에서 급격히 감소하는 경향을 나타내었다.다.

• 한국세라믹학회지
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• 제25권5호
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• pp.488-494
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• 1988

Effects of MnO2 addition on themicrostructure, dielectric and piezoelectric properties of Rhombohedral, Tetragonal and Morphotropic phase boundary(MPB) in Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3 system were investigated and respectively the amount of MnO2 addition was 0, 0.2, 0.5, 1.0, 3.0wt%. In the tetragonal region, compared with the Rhombohedral and Morpotropic phase boundary, Mechanical quality factor(Qm), Curie temperature(Tc) and Dissipation factor were promoted by addition of MnO2. According to the results of the microstructure, dielectric and piezoelectric properties, the solid solution range of MnO2 addition in this system was 0.2-0.5wt%.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권9호
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• pp.969-973
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• 1998

Pb(Zr, Ti)O3 (PZT) (Zr:Ti= 52: 48) thin films were prepared on MgO(100) substrates by dipping-py-rolysis process using metal naphthenates as starting materials. Thin films were fabricated by spin coating technique and the precursor films were prefired at 20$0^{\circ}C$ in air for 0.5, 1, 2, 3, and 24 h followed by final heat treatment at 75$0^{\circ}C$ for 30min. Film prefired for 24 h lost orientational properties and pole figure analysis showed the lost of the epitaxial relationship between the films and substrate while highly a/c-axis oriented thin films were obtained for the samples prefired for 1, 2, and 3h.

• 대한화학회지
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• 제46권3호
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• pp.242-251
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• 2002

졸-겔 형판 합성법을 이용하여 페로브스카이트 구조를 갖는 나노튜브를 합성하고 그 특성을 조사하였다. PbTiO3(PT), PbZrO3(PZ)와 PbZrO3-PbTiO3(PZT)고용체 나노튜부는 반응물, Ti(OPri)4, Zr(OBu)3와 Pb(OAc)2-3H2O 들의 킬레이트 졸-겔 합성법에 의해서 합성하였다. 산화 알루미늄 형판은 200nm의 직경을 갖는 훠트만 아노디스크가 사용되었다. 6.0M-NaOH 용액에서 형판을 제거한 다음, 주사현미경 분석에 의해서 50m 길이와 200nm 외곽 직경의 생성물 나노튜브를 확인할 수 있었다. 투과현미경 분석과 전자회절 분석에 의하여 나노튜브가 다결정임을 확인하였다. DSC 분석에 의하여 PT 나노튜브의 상전이 온도는 특이하게도 234.4$^{\circ}C$ 임이 확인되었으며, 이때의 입자크기는 X-선 분석의 하나인 Scherrer 식에 의해서 15.4nm 임이 계산되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제28권4호
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• pp.297-304
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• 1991

Dielectric hysteresis characteristics of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 ceramics have been investigated as a function of the amount of MnO2 addition ranged from 0.0 wt% in Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 ceramics enhanced the dielectric strength, aging effect and remanent polarization, while reduced the coercive field. These results could be explained by the effect of Mn-Vo association due to the substitution of Mn for the (Zr, Ti) site in PZT.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제6권6호
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• pp.457-460
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• 2005

금속 알콕사이드의 가수분해법인 졸-겔 공정을 이용하여 일차로 $TiO_2$와 $ZrO_2$ 나노 입자를 합성하고 난 후 $TiO_2$ 나노입자와 PbO를 혼합하여 $PbTiO_3$의 나노 입자를 얻었다. 2차 공정으로 나노입자 크기의 $ZrO_2$와 혼합하여 최종적으로 $PbZrTiO_3(PZT)$ 분말을 합성하였다. 소결된 압전체의 결정상을 분석하기 위하여 X-선 회절분석을 시행하였으며, 소결전 합성분말의 모양과 크기를 투과전자현미경을 이용하여 관찰하였으며 $900^{\circ}C$의 저온에서 소결한 $PbZrTiO_3$시편의 미세조직을 관찰하기 위하여 주사전자현미경을 이용하였다. 합성된 입자들의 크기는 각각 $TiO_2$는 약 20 ${\~}$ 30nm, $ZrO_2$는 15${\~}$30nm이였으며, $900^{\circ}C$ 저온에서 소결한 PZT 시편의 SEM 관찰결과 평균 입경은 $2{\~}4{\mu}m$의 페로 브스카이트 결정으로 치밀한 조직을 나타내었으며, 우수한 압전 특성도 나타내었다.

• 대한전기학회논문지
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• 제44권5호
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• pp.644-648
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• 1995

Transparent xBa(La$_{1}$2/Nb$_{1}$2/)O$_{3}$-(1-x)Pb(Zr, Ti)O$_{3}$ (x=8.5, 9.0[mol.%], Zr/Ti=70/30~40/60) ceramics were fabricated by the two-stage sintering method, the electrooptic properties were investigated with Ba(La$_{1}$2/Nb$_{1}$2/)O$_{3}$ content and Zr/Ti composition ratio. Decreasing the Zr/Ti ratio, the electrooptic property was changed from a quadratic electrooptic effect to a linear electrooptic effcet. In the BLN-PZT 9.0/50/50 specimen having the tetragonal structure, the linear electrooptic coefficient had the highest value of 6.01*10$^{-10}$ [m/V] and in the BLN-PZT 9.0/55/45 specimen which located near the MPB region, the quadratic electrooptic coefficient had the highest value of 10.53*10$^{-16}$ [m$^{2}$/V$^{2}$].

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권7호
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• pp.652-659
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• 1996

Sintering characteristics and electrical properties of xPb(Mg$_{1}$8/Te$_{1}$8/Mn$_{1}$4/Nb$_{1}$2/) $O_{3}$-(1-x) Pb (Zr$_{1}$2/ $Ti_{1}$2/) $O_{3}$ (x=0.075, 0.1, 0.125) ceramics are investigated. A sintering temperature of ceramics could be reduced to 950.deg. C by a reaction between PbO and B site compound material. The physical properties of 0.1Pb(Mg, Te, Mn, Nb) $O_{3}$ - 0.9Pb(Zr, Ti) $O_{3}$ bulk ceramic with 3wt% glass frit(0.857PbO-0.143W $O_{3}$) were following : den = 7.95 g/cm$^{3}$, T$_{c}$=340.deg. C, .epsilon.$_{33}$= 754, k$_{31}$=0.3 and Q.=1780. The 3-layer piezoelectric transformer by using a tape casting method showed a good monolithic structure, and its voltage setup ratio was 2.5 times higher than that of a single device by using bulk ceramics.s.s.

• 한국재료학회지
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• 제10권4호
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• pp.282-289
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• 2000

전자싸이클로트론공명-플라즈마 화학기상증착법으로 $PbTiO_3$박막을 증착하였다. $RuO_2$ 기판과 Pt 기판 위에 금속유기화합물 원료기체 유량 및 증착온도에 따라서 $PbTiO_3$박막의 증착특성을 연구하였다. $RuO_2$ 기판 위에서 Pt 기판에 비하여 Pb-oxide 분자의 잔류시간이 상대적으로 크고, 페로브스카이트 핵생성 밀도는 상대적으로 작으며, 단일한 페로브스카이트 상의 $PbTiO_3$ 박막을 얻을 수 있는 공정범위가 Pt 기판보다 좁았다. $PbTiO_3$ 박막 증착 전 Ti-oxide 씨앗층을 도입함으로써 $RuO_2$ 기판에서도 페로브스카이트 핵생성 밀도를 증가시켜 단일한 페로브스카이트 박막을 얻을 수 있는 공정범위가 확장되었다. $PbTiO_3$에서 Ti 성분을 Zr으로 일부 대체시킨 $Pb(Zr,Ti)O_3\;(PZT)$ 박막의 경우에도 Ti-oxide 씨앗층을 도입함으로써 넓은 공정범위에서 단일한 페로브스카이트 PZT 박막을 $RuO_2$기판 위에서도 제조할 수 있었다.