• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제37권3호
• /
• pp.287-292
• /
• 2005

[ $\pi$ ]The effects of silica-based additives have been investigated to improve the creep property of a $UO_2$ pellet. The additive composition, $50wt\%SiO_2-47wt{\%}CaO-3wt\%Cr_2O_3$ (SCC), was selected according to the dihedral angle and the distribution of the second phase. It was observed that the creep rate of the $0.07 wt\%$ SCC-added $UO_2$ was slower than that of the pure $UO_2$. However, the creep rate of the $0.22 wt\%$ SCC-added $UO_2$ was about 3_48 times faster than that of the pure $UO_2$, depending on the applied stress in the lower stress range. In the case of the $0.35 wt\%$ SCC-added $UO_2$, the creep rate decreased in comparison with that of the $0.22 wt\%$ SCC-added $UO_2$. The observed enhancement in the creep rate might depend on a balance between the positive role of the viscous intergranular phase and the negative roles of the additives and the grain growth.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제26권3호
• /
• pp.124-129
• /
• 1989

비유전율 및 팽창계수가 낮다는 장점을 갖고 있는 코디에리트는 IC페키지로서 매우 흥미있는 재료이다. 졸겔방법에 의해서 얻어진 코디에리트는 무정형 하얀 가루의 결정으로 이를 약 $900^{circ}C$ 로 열처리 하여, 구운 코디에리트 시료를 만들었다. XPS에 의해서, 코디에리트 시료의 미시적 특성을 연구하였는데, 시료 표면에서는 시료내부의 값들과 비교해 볼때, Mg의 많은 감소와 AI과 Si의 증가를 알 수 있었다. $100{\AA}$ 이하의 시료표면에는 ${pi}$ - 코딩리트 상을 갖는 결정이 존재하고, 시료내부는 적은량의 마그네슘 알루미나트($MgAl_2O_4$)가 존재하였다. 한편 코디에리트 표면에서 열처리에 다른 화학적 변화가 없는 것을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
• /
• pp.378-381
• /
• 2003

The chemical mechanical polishing (CMP) has been widely accepted for the global planarization of multi-layer structures in semiconductor manufacturing However, cost of ownership (COO) and cost of consumables (COC) were relatively increased because of expensive slurry. In this paper, the effects of different slurry composition on the oxide CMP characteristics were investigated to obtain the higher removal rate and lower non-uniformity. We prepared the various kinds of slurry. In order to save the costs of slurry, the original slurry was diluted by de-ionized water (DIW). And then, alunima abrasives were added in the diluted slurry in order to promote the mechanical force of diluted slurry.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.152-152
• /
• 1999

1Gb급 이상 기억소자의 캐패시터 재료로 주목받고 있는 (Ba,Sr)TiO3 [BST] 박막의 전극재료로는 Pt, Ru, Ir과 같은 금속전극과 RuO2, IrO2와 산화물 전도체가 유망한 것으로 알려져 있다. 그런데, DRAM의 집적도가 증가하게 되면, BST같은 고유전율 박막을 유전재료로 사용한다 하더라도, 3차원적인 구조가 불가피하게 때문에 기존의 sputtering 방법으로는 우수한 단차피복성을 얻기 힘들므로, MOCVD법이 필수적이다. 본 연구에서는 기존에 연구되었던 Pt에 비해 식각특성이 우수하고, 비교적 낮은 비저항을 갖는 Ru 박막증착에 대한 연구를 행하였다. 본 연구에서는 수직형의 반응기와 저항 가열 방식의 susceptor로 구성된 저압 유기금속 화학증착기를 사용하여 최대 6inch 직경을 갖는 기판 위에 Ru박막을 증착하였다. Precursor로는 기존에 연구된 적이 없는 bis-(ethyo-$\pi$-cyclopentadienyl)Ru (Ru(C5H4C2H5)2, [Ru(EtCp)2])를 사용하였으며, bubbler의 온도는 85$^{\circ}C$로 하였다. Si, SiO2/Si를 사용하였으며, 증착온도 25$0^{\circ}C$~40$0^{\circ}C$, 증착압력 3Torr의 조건에서 Ru 박막을 증착하였다. Presursor를 운반하는 수송기체로는 Ar을 사용하였으며, carbon과 같은 불순물의 제거를 위해 O2를 첨가하였다. 증착된 박막은 XRD, SEM, 4-point probe등을 통해 구조적, 전기적 특성을 평가하였으며, 열역학 계산을 위해서는 SOLGASMIX-PV프로그램을 사용하였다. Ru 박막의 증착에 있어서 산소의 첨가는 필수적이었으며, Ru 박막의 증착속도는 30$0^{\circ}C$~40$0^{\circ}C$의 온도 영역에서 200$\AA$/min으로 일정하였으며, 첨가된 산소의 양이 적을수록 더 치밀하고 평탄한 표면형상을 보였으며, 또한 더 낮은 전기 전도도를 보였다. 그리고 증착된 박막은 12~15$\mu$$\Omega$cm 정도의 낮은 비저항 값을 나타냈으며 이것은 기존의 sputtering 법에 의해 증착된 Ru 박막의 비저항 값들과 비교될만하다. 한편, 높은 온도, 높은 산소분압 조건에서 RuO2의 형성을 관찰하였으며, 이것은 열역학적인 계산을 통해서 잘 설명할 수 있었다.

• 한국자기학회지
• /
• 제10권1호
• /
• pp.30-36
• /
• 2000

Q switch mode 혹은 Fixed Q mode Nd-YAG 레이저 어블레이션법으로 (100)Si 기판위에 SmCo 박막을 증착하였다. 증착시 Sm$_{100-x}$Co$_{x}$ (73$\leq$x$\leq$93) 조성의 타겟을 사용하였고, 기판온도는 600~$700^{\circ}C$ 변화시켰으며 각 mode 에너지를 조절하였다. Q switching mode로 증착된 박막의 4$\pi$Ms, $_{i}$H$_{c}$ 및 4$\pi$M$_{r}$/4$\pi$M$_{s}$는 각각 5.2~7.7 kG, 190~250 Oe, 0.4~O.74이었다. 반면, Fixed Q mode로 얻어진 박막의 $_{i}$H$_{c}$, 4$\pi$M$_{r}$/4$\pi$M$_{s}$는 각각 430~6290 Oe, 0.32~0.91로 훨씬 양호한 경자기 특성이 나타났다. 후자의 자기특성은 박막에 존재하는 입자(droplet)내 SmCo$_{5}$ 와 Sm$_2$Co$_{17}$상의 생성에 의한 것으로 판단된다. 입자의 존재로 인한 박막표면의 거칠기는 향후 연구에서 해결되어야 할 문제점으로 확인되었다.문제점으로 확인되었다.었다.

• 한국농공학회논문집
• /
• 제54권2호
• /
• pp.127-135
• /
• 2012

The processes of chemical and physical weathering occur simultaneously. The objective of this study was to estimate the degree weathered using fractal dimension through comparison with chemical characteristic of soil samples from Pohang (PH) and Kimpo (KP). Comparing chemical characteristics with fractal dimension, $SiO_2$, $Na_2O$, $K_2O$ content decreased and loss of ignition increased as fractal dimension increased. And fractal dimension showed high correlation with CWI while ATI, STI CIW, PI, CIA and RR demonstrated different degrees of correlation with fractal dimension. The tendency of the changes in oxide content and chemical weathering index with increasing fractal dimension appeared to be similar with the chemical changes due to weathering. Therefore, fractal dimension could be a good indicator representing the extent of weathering and chemical changes.

• 한국재료학회지
• /
• 제4권4호
• /
• pp.379-384
• /
• 1994

$HF-HNO_{3}$계의 화학용액에서 실리콘웨이퍼를 식각함으로써 실온에서 자외선 조사에 의해 가시광을 발광하는 다공질실리콘(porous-Si)을 형성하였으며, 이렇게 형성시킨 다공질 실리콘의 발광특성고 표면형상을 각각 photoluminescence(PL)측정과 atomic force microscopy(AFM)를 이용하여 조사하였다. $HF:HNO_{3}: H_{2}O$=1 : 5 : 10인 용액을 이용하여 다공질실리콘을 형성시킬때 식각시간에 따른 다공질실리콘의 PL강도 및 표면형상의 변화를 관찰한 결과 1-10분의 영역에서 식각시간을 변화시켰을때 식각시간에 따라 표면의 색깔이 변하였으며 5분간 식각시켰을 경우 표면의색깔은 오렌지 색을 가지고 가장 강한 PL 강도를 보였다. 그리고 AFM관측결과 식각시간이 길어짐에 따라 다공질실리콘의 표면형상크기(surface feature size)가 점점 작아져 5분간 식각시킨 시료의 표면형상 크기는 1,5000~2,000$\AA$범위이며, PL강도가 다공질실리콘의 표면형상과 관계가 있음을 알 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제11권3호
• /
• pp.135-145
• /
• 2011

Accurate process characterization and optimization are the first step for a successful advanced process control (APC), and they should be followed by continuous monitoring and control in order to run manufacturing processes most efficiently. In this paper, process characterization and recipe optimization methods with multiple outputs are presented in high density plasma-chemical vapor deposition (HDP-CVD) silicon dioxide deposition process. Five controllable process variables of Top $SiH_4$, Bottom $SiH_4$, $O_2$, Top RF Power, and Bottom RF Power, and two responses of interest, such as deposition rate and uniformity, are simultaneously considered employing both statistical response surface methodology (RSM) and neural networks (NNs) based genetic algorithm (GA). Statistically, two phases of experimental design was performed, and the established statistical models were optimized using performance index (PI). Artificial intelligently, NN process model with two outputs were established, and recipe synthesis was performed employing GA. Statistical RSM offers minimum numbers of experiment to build regression models and response surface models, but the analysis of the data need to satisfy underlying assumption and statistical data analysis capability. NN based-GA does not require any underlying assumption for data modeling; however, the selection of the input data for the model establishment is important for accurate model construction. Both statistical and artificial intelligent methods suggest competitive characterization and optimization results in HDP-CVD $SiO_2$ deposition process, and the NN based-GA method showed 26% uniformity improvement with 36% less $SiH_4$ gas usage yielding 20.8 ${\AA}/sec$ deposition rate.

• 한국레이저가공학회지
• /
• 제17권3호
• /
• pp.19-23
• /
• 2014

To directly engrave circuit-line patterns as wide as $6{\mu}m$ in a buildup film to be used as an IC substrate, we applied a projection ablation technique in which an 8 inch dielectric ($ZrO_2/SiO_2$) mask, a DPSS 355nm laser instead of an excimer laser, a ${\pi}$-shaper and a galvo scanner are used. With the ${\pi}$-shaper and a square aperture, the Gaussian beam from the laser is shaped into a square flap-top beam. The galvo scanner before the $f-{\theta}$ lens moves the flat-top beam ($115{\mu}m{\times}105{\mu}m$) across the 8 inch dielectric mask whose patterned area is $120mm{\times}120mm$. Based on the results of the previous research by the authors, the projection ratio was set at 3:1. Experiments showed that the average width and depth of the engraved patterns are $5.41{\mu}m$ and $7.30{\mu}m$, respectively.

• 대한가정학회지
• /
• 제32권1호
• /
• pp.151-164
• /
• 1994

This research was conducted to survey kinds and frequencies of side dishes served in commercial Korean style restaurant in some part of Korea. The results were summerized as follows: 1. The average number of side dishes in Tang(Korean soup) was 3.3 that is Bae-chu Kimchi. Si-Kum-chi namul, Moeng-ran jeot and O-jing-o jeot in ordering frequencies. 2. In Chigae(stew) and Pi-bim bab(mixed rice including Sot bab) the average number of side dishes was about 4 Jungol and that of Jim was from 3 to 5 and the kinds of side dishes were variety of menu items. 3. Meons (noodles) were served with 1 or 2 kinds of side dishes those based of Bae-chu Kimchi and added 1 Kind of side dish. 4. Han-jeong-sik (Korean style full course meny) was served with 16 kinds of side dishes averge it was consisted of Bab(steamed rice) side dishes such as U-gu-zi guk(vegetable soup) Deun-jang chigae (fermented soy stew) Hong-o jim (fish stew) Go-sa-ri namul Pulgogi Ho-bak jeon, Beon-sut bokum Yuk hoi Bae-chu kimchi Mung-ran jeot Sae-u tuikim and Gam-ja tuikim in ordering frequences.